IGBT米勒平台产生原因

IGBT米勒平台产生原因

我们在使用IGBT的时候，可以从手册中得到IGBT栅极的充电特性，但是栅极的充电特性在中间一部分会出现一个平台电压，影响着IGBT的动态性能，这是为什么呢？

IGBT的等效电路

IGBT可以看做是一个MOSFET和一个BJT组成的达林顿结构，如图所示

其中栅-源极间电容为CGS，栅-漏极间电容（反馈电容）CGD 由交叠氧化电容COXD 以及耗尽层电容CGDJ 串联构成，其中CGS、COXD 都为固定值，而CGDJ随耗尽层宽度即外加电压的大小而变化，其表达式为：

可以看到，耗尽层电容的大小随外加电压V的减小而增大。充电曲线如下图所示：

VGS分为三段，第一段上升主要是IG对CGS进行充电，使得栅极电压上升，因为此时由公式1可以得到CGDJ容值远小于COXD，由于两个电容是串联，因此等效电容CGD很小，导致IG主要是给CGS充电。
到了第二个阶段，mosfet导电沟道慢慢形成，但是由于此时没有完全导通，ID的值基本不变，此时相当于电流钳位住VGS，使得VGS的电压也保持不变。因为VGS与ID之间存在一个可以认为为恒定值的跨导g。此阶段CGDJ迅速增大，导致CGD的容值也迅速增大，IG实际上给CGD充电。
第三个阶段，CGD≈COXD，此阶段IG同时给CGS和CGD充电，使得VGS上升。
值得一提的是，在这个过程中，IG给CGD充电，严格意义上说应该是CGD通过栅电流IG放电，使得漏极电压下降。

参考文献：[1]唐勇,胡安,陈明.IGBT栅极特性与参数提取[J].电工技术学报,2009,24(07):76-80.