2023电赛C题一点思路

        第一次参加电赛，选择了C题。目前情况是进入了国赛，前两天刚参加完综合测评。

        我们先看看这道题吧。

2023电赛C题题目

 

题目的理解

        看到这道题，电容电感的测量，立马想到的是2019年电赛的C题，其中也是进行电容电感的测量，最常规的做法就是LCR电桥法，相信大部分人都看过许老师那版数字电桥，而我们队伍的硬件设计，也是基于数字电桥法的。

        同时我这边放的题目是是最开始的题目，第二天组委会进行题目的调整，将发挥部分（3）的高频要求去掉了，本来我们组也没打算做高频的内容，于是我们的方案继续推进下去。

1、数字电桥法测阻抗

        让我们先看一下数字电桥得原理。

        数字电桥的测量对象为阻抗元件的参数，包括交流电阻R、电感L及其品质因数Q，电容C及其损耗因数D。因此，又常称数字电桥为数字式LCR测量仪。其测量用频率自工频到约100千赫。基本测量误差为0.02%，一般均在0.1%左右。
        

        数字电桥原理如图所示。图中DUT为被测件，其阻抗用Zx表示，Rr为标准电阻器。切换开关可分别测出两者的电压Ux与Ur，于是有下式：

                                                

        于是对于这题，我们只需要用DDS发出频率为的正弦波，再用单片机ADC采样测出数字电桥输出得两个波形的幅值/峰峰值之比，乘上标准电阻，便可以算出被测元件的阻抗。

         最后再通过和便能计算出具体的电容和电感值。

2、相位差法测D和Q

        但是对于这道题，新增了要求：测电容的损耗角正切D以及电感品质因素Q。

        先让我们了解一下何为损耗正切角D以及品质因素Q。损耗角正切Q是指定频率下电容阻抗的实部和虚部之比，而对于品质因素Q，它和D是互为倒数关系的。既然知道了损耗角正切Q就是指定频率下电容阻抗的实部和虚部之比，而这个比值便是tan(90°-阻抗角)，而阻抗角便是电压和电流的相位差，于是这题的的D值和Q值得测量就转换为LCR电桥输出的两个电压的相位差。

3、单片机采集的数据

        知道了如何测量阻抗以及D值Q值的方法，我们就知道需要测量哪些。

        首先便是数字电桥的两个输出的正弦波的幅值或峰峰值。由于使用的是Ti单片机，我们之前并没有十分熟悉Ti单片机，同时我们使用的Ti单片机采样频率不好操控，也没办法将之前在stm32上开发完全的FFT算法进行移植，所以只能简单得进行AD直流采样，于是我们设计了峰值检测模块，去检测无直流偏置的正弦波的幅值，得到两个正弦波的幅值。

        其次便是两个正弦波的相位差了，由于无法采用FFT，相位这块测量我们也得通过硬件和软件的配合进行完成。首先是硬件部分，我们采用了两个过零比较器，将之前的所得的两个无直流偏置正弦波转换为两个方波。然后是软件部分，运用Ti单片机的定时器捕获功能（这块是我队友搞了两天最终开发出来的功能），测出两个方波上升沿相差得时间，再转换为相位差，最后通过求D值得公式，便可以得到D值。

总结

        这道题其实理解起来并不难，主要是之前并不熟悉Ti单片机的开发花费了比较多时间。之后指导老师说，这道题不像D题和H题这些题，没办法使用纯数字的方法完成题目，就是说必须软件配合硬件去做，最后其实很多人都没选这道题。

        关于我们的硬件方案，我这两天整理一下，之后也写一篇新的文章来讲讲我们的硬件是怎么设计的。