电路分析基础学习(上)第2章

Joejwu

已于 2023-07-10 16:32:22 修改

阅读量539

点赞数 2

分类专栏：电路分析基础文章标签：学习

于 2023-07-05 01:54:55 首次发布

本文链接：https://blog.csdn.net/Joejwu/article/details/131546581

版权

电路分析基础专栏收录该内容

7 篇文章 10 订阅

订阅专栏

李瀚荪版电分第二版

-----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

网孔电流法

在列写网孔电流法的方程时，需要注意一下其中设计的自电阻与互电阻，主要是互电阻，其正负取决于此时两个网络电流的方向是否一致，如果一致，则此时互电阻为正，否则为负；

此外，其中方程的右边电压项，则为每个网孔中电压源电压升的代数和；详细的可见例题2-2；

不要忽略了电流源上的电压，在未标注的情况下，需要标注上；

仅适用于平面电路；

超网孔

若两个网络以电流源或受控电流源为公共边界，则此时两个网孔可合并成一个大网孔，称之为超网孔，此时进行列出一个超网孔的方程即可，再根据电流源与网孔电流的关系可列出其他方程来简化计算；

-----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

节点电压法

同样的，需要明白自电导与互电导的计算，以及方程右边电流的计算；

其本质上还是KCL，不过是将其中涉及到的节点电流用相应的节点电压来替代罢了；

对于两个节点之间仅含有电压源的情况，则这两个节点可直接合并为一个超节点，类似于上面超网孔的情况；

节点电压法适用于平面或非平面电路；

-----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

运算放大器

由图可见，共有5各端口，其中+-U提供直流工作电源，一般简化可不画出来；有两个输入端口，一个反向端口，一个同向端口，输入端口的正负并非表示输入电压的正负数值，而是指的是输出电压与输入电压之间的符号是否相同的关系，当输入电压加在同向端口时，则输入正向放大，否则是反向放大；最后还有一个输出端口；可见运放其实是一个单向器件（不带反馈回路的情况下），输出受输入的影响，但输入不受输出的影响；

工作原理：

运算放大器（Operational Amplifier，简称为Op-Amp）是一种重要的电子器件，常用于电路中的放大、滤波、求和等信号处理任务。它由多个晶体管和其他电子元件组成，具有高增益、高输入阻抗和低输出阻抗等特性。

运算放大器的工作原理可以概括为以下几个方面：

1. 输入阶段：运算放大器通常有两个输入端，分别是非反相输入端（+）和反相输入端（-）。这两个输入端通过输入电阻与外部电路相连。在差分放大器的作用下，通过调整输入信号的电压大小和极性，可以实现对输入信号的放大或反相放大。

2. 差动放大器：运算放大器的输入端通常是一个差动放大器，它由多个晶体管构成。当输入信号施加到非反相输入端和反相输入端时，差动放大器会将两个输入信号进行放大和差分处理。差动放大器的输出是两个晶体管的差值，通过后续的电路设计，可以实现对输入信号的放大、反相放大或滤波等功能。

3. 反馈回路：运算放大器常常通过反馈回路来控制其输出。反馈回路将一部分输出信号重新引入到运算放大器的反相输入端，以实现对输出信号的调节和控制。反馈回路可以分为负反馈和正反馈两种形式。负反馈可以提高系统的稳定性、减小非线性失真和增加输入和输出阻抗等特性，使运算放大器更加可靠和精确。

4. 输出阶段：运算放大器的输出阶段通常是一个输出级，用于提供放大后的信号。输出级通常是一个放大器，它可以驱动外部负载并输出所需的电压信号。

总之，运算放大器的工作原理可以归纳为对输入信号的放大和差分处理，并通过反馈回路对输出进行控制。它的高增益、高输入阻抗和低输出阻抗等特性使其成为电路设计中常用的重要组件。

根据表格，可见理想运放的输入、输出阻抗的特性；

根据理想运放的特性，因为放大增益为∞，但是输出电压值是一个有限值，所以此时的u+-u-=0，即两个输入端的电压相同，即此时的输入不是差分输入电压，如果再有一个输入端是直接接地的话，则此时另一个输入端，即便也同样接地，其输入电压也为0，即“虚地”；

电压跟随器

最为简单的电压跟随器就是将反向输入端与输出端直接相连即可；

-----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

虚地、虚短

在电路中，虚地（Virtual Ground）和虚短（Virtual Short）是两个相关但不同的概念。

1. 虚地（Virtual Ground）：虚地是指在某些特定电路配置中，一个电压节点被假设为接地（0V），尽管它实际上并不直接连接到地。在这种情况下，该节点被称为虚地。这种假设的接地节点可简化电路分析和设计，并且通常应用于运算放大器等差分输入的电路中。通过使用适当的负反馈电路，差分输入电路的非反相输入端被假设为虚地。

2. 虚短（Virtual Short）：虚短是指在某些特定电路配置中，两个电压节点被假设为直接连接在一起，尽管它们实际上并不直接连接。在这种情况下，这两个节点被称为虚短。这种假设可以用于简化电路分析和设计，特别是在分析运算放大器电路时经常使用。通过假设虚短，可以将输入端和反馈端连接到运算放大器的非反相输入端，以实现负反馈和理想运算放大器模型的近似。

总之，虚地和虚短是在特定电路配置中引入的概念，用于简化电路分析和设计。虚地是假设一个节点为接地，而虚短是假设两个节点直接连接。这些概念可在特定情况下提供简化和近似，并在电路分析中有广泛应用。

-----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

BJT三极管/双极型晶体管

NPN型晶体管和PNP型晶体管是两种不同类型的双极型晶体管。它们的区别在于材料类型和电流流动方向。

1. NPN型晶体管：NPN型晶体管由两个N型半导体夹持一个P型半导体构成。其中，两个N型半导体称为发射极（Emitter）和集电极（Collector），夹在中间的P型半导体称为基极（Base）。电流流动方向是从发射极流向集电极（这也是为什么一个叫发射极，一个叫集电极的原因，因为中间的基区很薄，所有发射极的电流射入发射极，形成ic电流，也就是说在放大状态下，ic并非集电结的导通电流，因为此时的集点结还处于反向偏置状态）。

2. PNP型晶体管：PNP型晶体管由两个P型半导体夹持一个N型半导体构成。其中，两个P型半导体称为发射极和集电极，夹在中间的N型半导体称为基极。电流流动方向是从集电极流向发射极。

在工作原理方面，NPN型和PNP型晶体管都可以用作放大器或开关。当在适当的电路配置下，它们可以放大电流或电压信号，并用于各种电子设备和应用。

总结：NPN型晶体管由N-P-N型的结构组成，电流流动方向从发射极到集电极；而PNP型晶体管由P-N-P型的结构组成，电流流动方向从集电极到发射极。

为什么在这些偏置的情况下，晶体管呈现出这样的工作状态呢？

当以NPN型晶体管为例时，可以解释其工作原理和不同工作区域的形成如下：

NPN型晶体管的三个主要区域是发射区（Emitter Region）、基区（Base Region）和集电区（Collector Region）。

1. 截止区（Cutoff Region）：当基极与发射极之间的电压（VBE）小于晶体管的正向截止电压（通常为0.7V），晶体管进入截止区。在这个区域，晶体管的基极电流非常小，集电极与发射极之间不存在导通，也没有电流流动；即两个结均处于反向偏置；

2. 放大区（Active Region）：当基极与发射极之间的电压（VBE）大于正向截止电压（通常为0.7V），并且基极电流（IB）足够大以使晶体管工作在饱和电流增益的线性区域时，晶体管进入放大区。在这个区域，基极电流会引起发射极电流和集电极电流的放大，晶体管可以作为放大器使用。（为了确保晶体管处于放大区而不进入饱和区，基极电流（IB）需要足够大，以维持基区中少数载流子的浓度，保持晶体管的线性放大特性。这样可以确保晶体管在放大区域正常工作，并实现预期的放大效果。）

3. 饱和区（Saturation Region）：当基极电流（IB）进一步增大，使得晶体管的集电极电流达到最大值时，晶体管进入饱和区。在饱和区，晶体管的集电极与发射极之间的电压（VCE）通常很小，接近零（相当于两个PN节都正向到同类，电阻很小）。晶体管在饱和区域具有较低的电阻，可以作为开关使用。

具体的工作原理如下：

1. 当VBE小于截止电压时，NPN型晶体管处于截止区，没有电流流过发射极到集电极。

2. 当VBE大于截止电压且基极电流（IB）足够大时，电子从发射极注入基区，同时产生少数载流子（空穴）。

3. 在放大区，少数载流子通过扩散进入集电区，形成集电极电流（IC），同时主要电子注入基区并流向发射极。

4. 当IB进一步增大，晶体管进入饱和区。在饱和区，电子和空穴都流向集电极，形成较大的集电极电流（IC）。

总结：NPN型晶体管在截止区中没有电流流动，放大区中通过发射极和集电极的电流放大，饱和区中电流达到最大值。根据基极与发射极之间的电压和基极电流的变化，晶体管可以用作放大器、开关和其他电子电路中的控制元件。

-----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------