FLASH 模拟 EEPROM

FLASH 模拟 EEPROM

一、STM32 FLASH 简介

  STM32F4 的闪存模块由主存储器、系统存储器、OPT 区域和选项字节等 4 部分组成。
  主存储器，该部分用来存放代码和数据常数（如 const 类型的数据）。分为 12 个扇区，前 4个扇区为 16KB 大小，扇区 4 为 64KB 大小，扇区 5~11 为 128KB 大小，不同容量的 STM32F4，拥有的扇区数不一样，比如我们的 STM32F407ZGT6，拥有 12 个扇区。从表 46.1 可以看出，主存储器的起始地址为 0x08000000，B0、B1 都接 GND 的时候，就是从 0x08000000 开始运行代码。
  系统存储器，主要用来存放 STM32F4 的 bootloader 代码，此代码在出厂的时候就固化在STM32F4 里面了，专门用来给主存储器下载代码的。当 B0 接 V3.3，B1 接 GND 的时候，从该存储器启动（即进入串口下载模式）。
  OTP 区域，即一次性可编程区域，总共 528 字节大小，被分成两个部分，前面 512 字节（32字节为 1 块，分成 16 块），可以用来存储一些用户数据（一次性的，写完一次，永远不可以擦除！！），后面 16 字节，用于锁定对应块。
  选项字节，用于配置读保护、BOR 级别、软件/硬件看门狗以及器件处于待机或停止模式下的复位。
  闪存存储器接口寄存器，该部分用于控制闪存读写等，是整个闪存模块的控制结构。
  在执行闪存写操作时，任何对闪存的读操作都会锁住总线，在写操作完成后读操作才能正确地进行。既在进行写或擦除操作时，不能进行代码或数据的读取操作。

1.闪存的读取
  STM32F4 可以通过内部的 I-Code 指令总线或 D-Code 数据总线访问内置闪存模块，本章主要讲解的数据读写，即通过 D-Code 数据总线来访问内部闪存模块。为了准确读取 Flash 数据，必须根据 CPU 时钟（HCLK）频率和器件电源电压在 Flash 存取控制寄存器（FLASH_ACR）中正确地设置等待周期数（LATENCY）。当电源电压低于 2.1V 时，必须关闭预取缓冲器。Flash等待周期与 CPU 时钟频率之间的对应关系如下，

CPU 时钟（HCLK）频率对应的 FLASH 等待周期表

  等待周期通过 FLASH_ACR 寄存器的 LATENCY[2:0]三个位设置。系统复位后，CPU 时钟频率为内部 16 M RC 振荡器（HIS），LATENCY 默认是 0，即 1 个等待周期。供电电压，我们一般是 3.3V，所以，在我们设置 168 MHz 频率作为 CPU 时钟之前，必须先设置 LATENCY 为5，否则 FLASH 读写可能出错，导致死机。
  正常工作时（168 MHz），虽然 FLASH 需要 6 个 CPU 等待周期，但是由于 STM32F4 具有自适应实时存储器加速器(ART Accelerator)，通过指令缓存存储器，预取指令，实现相当于 0 FLASH 等待的运行速度。

2 .闪存的编程和擦除
  执行任何 Flash 编程操作（擦除或编程）时，CPU 时钟频率(HCLK)不能低于 1 MHz。如果在 Flash 操作期间发生器件复位，无法保证 Flash 中的内容。
  在对 STM32F4 的 Flash 执行写入或擦除操作期间，任何读取 Flash 的尝试都会导致总线阻塞。只有在完成编程操作后，才能正确处理读操作。这意味着，写/擦除操作进行期间不能从 Flash中执行代码或数据获取操作。
  STM32F4 用户闪存的编程一般由 6 个 32 位寄存器控制，他们分别是：
(1) FLASH 访问控制寄存器(FLASH_ACR)
⚫ FLASH 秘钥寄存器(FLASH_KEYR)
⚫ FLASH 选项秘钥寄存器(FLASH_OPTKEYR)
⚫ FLASH 状态寄存器(FLASH_SR)
⚫ FLASH 控制寄存器(FLASH_CR)
⚫ FLASH 选项控制寄存器(FLASH_OPTCR)

  FLASH_CR 的解锁序列为：
（1）写 0x45670123 到 FLASH_KEYR
（2）写 0xCDEF89AB 到 FLASH_KEYR
  通过这两个步骤，即可解锁 FLASH_CR，如果写入错误，那么 FLASH_CR 将被锁定，直到下次复位后才可以再次解锁。
  STM32F4 闪存的编程位数可以通过 FLASH_CR 的 PSIZE 字段配置，PSIZE 的设置必须和电源电压匹配，见表 46.1.2：

  由于我们开发板用的电压是 3.3V，所以 PSIZE 必须设置为 10，即 32 位并行位数。擦除或者编程，都必须以 32 位为基础进行。

3.FLASH 配置步骤
  STM32F4 的 FLASH 在编程的时候，也必须要求其写入地址的 FLASH 是被擦除了的（也就是其值必须是 0xFFFFFFFF），无法写入。STM32F4 的标准编程步骤如图 所示：

从上图可以得到闪存的编程顺序如下：
1，检查 FLASH_CR 的 LOCK 是否解锁，如果没有则先解锁
2，检查 FLASH_SR 寄存器的 BSY 位，以确认没有其他正在进行的编程操作
3，设置 FLASH_CR 寄存器的 PG 位为‘1’
4，在指定的地址写入数据（一次写入 32 字节，不能超过 32 字节）
5，等待 BSY 位变为‘0’
6，读出写入地址并验证数据

STM32 的闪存擦除分为两种：页擦除和整片擦除。
页擦除过程如下图所示：
1，检查 FLASH_CR 的 LOCK 是否解锁，如果没有则先解锁
2，检查 FLASH_SR 寄存器中的 BSY 位，确保当前未执行任何 FLASH 操作
3，在 FLASH_CR 寄存器中，将 SER 位置 1，并设置 SNB=0（只有 1 个扇区，扇区 0）
4，将 FLASH_CR 寄存器中的 START 位置 1，触发擦除操作
5，等待 BSY 位清零

经过以上五步，就可以擦除某个扇区。