华大HC32F460——将数据保存在Flash特定扇区

FLASH具有以下主要特性： 

容量高达512 KBytes(其中有32Bytes为功能保留位) 分为64个扇区，每个扇区为8KBytes。

OTP(One Time Program)区域共1020Bytes，分为960Bytes的数据区和60Bytes 的锁存区。

128位宽数据读取。

编程单位为4Bytes，擦除单位为8KBytes。

在512KB产品中，FLASH地址结构如下图所示。

注意： - 扇区63 中地址 0x0007_FFE0~0x0007_FFFF 共 32Bytes 为功能保留地址；对这 32Bytes地址进行编程、扇区擦除、全擦除，FLASH数据不会改变，对这些地址读，读到 数据为全1。

在256KB产品中，FLASH地址结构如下图所示。

代码采用官方数据库案例：EFM扇区擦除，单编程，单编程回读。

需要开启LL_EFM_ENABLE——DDL_ON

修改后代码如下（注释）

/* 读取Flash中保存的压力补偿值 */
int EFM_ReadValue(void)
{
    /* 为某些必需的外围设备注册写启用 */
    LL_PERIPH_WE(EXAMPLE_PERIPH_WE);
    
    /* 等待Flash就绪 */
    while (SET != EFM_GetStatus(EFM_FLAG_RDY));
    
    /* EFM_FWMC写入启用 */
    EFM_FWMC_Cmd(ENABLE);

    /* 扇区13区范围：0x00018000 ~ 0x00019FFF */
    u32Addr = EFM_SECTOR_ADDR(EFM_SECTOR13_NUM);
    
    EFM_ReadByte(u32Addr, (uint8_t *)&u32ReadData1, sizeof(PressData));
    
    /* EFM_FWMC写入禁用 */
    EFM_FWMC_Cmd(DISABLE);
    
    usb_printf("Press Com_value : %d pa\r\n", u32ReadData1);
    
    return (int)u32ReadData1;
}

/* 读取Flash中保存的占空比 */
int EFM_ReadRatio(void)
{
    /* 为某些必需的外围设备注册写启用 */
    LL_PERIPH_WE(EXAMPLE_PERIPH_WE);
    
    /* 等待Flash就绪 */
    while (SET != EFM_GetStatus(EFM_FLAG_RDY));
    
    /* 启用EFM_FWMC写入 */
    EFM_FWMC_Cmd(ENABLE);

    /* 扇区13区范围：0x00018000 ~ 0x00019FFF */
    u32Addr = EFM_SECTOR_ADDR(EFM_SECTOR13_NUM) + 32;
    
    EFM_ReadByte(u32Addr, (uint8_t *)&u32ReadData2, sizeof(RatioData));
    
    /* EFM_FWMC写入禁用 */
    EFM_FWMC_Cmd(DISABLE);
    
    usb_printf("duty cycle : %d %\r\n", u32ReadData2);
    return (int)u32ReadData2;
}

/* 往Flash里保存数据 */
void EFM_WriteData(void)
{
    uint32_t PressData = value;
    uint32_t RatioData = ratio;

    /* 为某些必需的外围设备注册写启用 */
    LL_PERIPH_WE(EXAMPLE_PERIPH_WE);

    /* 等待Flash就绪 */
    while (SET != EFM_GetStatus(EFM_FLAG_RDY));
    
    /* EFM_FWMC写入启用 */
    EFM_FWMC_Cmd(ENABLE);

    /* 删除扇区13 13区范围：0x0001a000 ~ 0x0001bFFF */
    u32Addr = EFM_SECTOR_ADDR(EFM_SECTOR13_NUM);
    (void)EFM_SectorErase(u32Addr);/* EFM扇区擦除 */
    
    /* 把压力补偿值写到13扇区的闪存 */
    while(LL_OK != EFM_ProgramWordReadBack(u32Addr, PressData));
    
    /* 移动指向13扇区闪存的目标地址，继续写入数据 */
    u32Addr += 32;
    
    /* 把占空比写到13扇区的闪存 */
    while(LL_OK != EFM_ProgramWordReadBack(u32Addr, RatioData));
    
    /* EFM_FWMC写入禁用 */
    EFM_FWMC_Cmd(DISABLE);
    
    /* 为某些必需的外围设备注册写保护 */
    LL_PERIPH_WP(EXAMPLE_PERIPH_WE);
    
    usb_printf("Com_value setting %d pa\r\n", PressData);
    usb_printf("duty ratio setting %d %\r\n", RatioData);
}

 

切记，往Flash存储器保存新数据时，需要考虑扇区的对齐和数据管理。Flash存储器的读写操作通常是以扇区为单位进行的，每个扇区的大小通常是固定的。因此，在写入新数据之前，需要确保目标位置是在扇区的边界之内，否则可能会导致数据写入错误或损坏。

此外，为了防止在写入新数据时误删自己的程序或其他重要数据，建议在写入新数据之前先备份程序或其他重要数据。同时，在写入新数据之前，也需要确保目标位置没有其他重要的数据，以避免误删其他数据。

最后，在写入新数据时，也需要按照Flash存储器的读写规范进行操作，避免不当的操作导致Flash存储器的损坏或数据丢失。建议在使用Flash存储器之前先仔细阅读相关技术文档或参考手册，并遵循正确的操作步骤。