华大HC32F460开发记录----------------FLASH(EFM)

最新推荐文章于 2023-12-13 09:57:49 发布
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文章标签： 单片机 物联网 arm
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本文链接：https://blog.csdn.net/rtx_tlp/article/details/121097536
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FLASH的主要特征：

1、512k容量  分为64个扇区 每个扇区为8K byte

2、编程单位4byte 擦除单位为8Kbyte

3、OTP区域一共1020byte 分为960byte数据区、60bytes锁存区

FLASH读取数据：

   系统复位以后，要正确的读取FLASH的数据，用户需要根据CPU的动作频率在Flash读模式寄存器中设置正确的等待周期

 

FLASH读取数据示例：

最低0.47元/天 解锁文章
rtx_tlp
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HC32F460内部Flash当EEPROM存设定参数信息
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[方案相关]基于HC32F4A0开发板的Flash读写及数码相框功能实现
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HC32F4XX,内部flash EFM_SequenceProgram问题
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在做loadbooter时，发现通过EFM_SequenceProgram写入flash失败，通过memory看数据，全是乱的 ，看手册，毛都没提这个操作需要在ram中进行，强大的百度帮助了我，参考这个网友提供的方式https://jingyan.baidu.com/article/b24f6c82d8cbc9c7bee5da35.html，做了一遍，OK了，希望华大的人能用心点，即时更新上最新的demo，芯片内部的事情，我们用户不太好弄的明白。 MARK一下，EFM_SingleProgramRB没啥问
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内部flash写入的时候，需要将代码分配到内存中执行，烧写flash时，程序无法从flash执行的，这一点确实比STM32差一些； /************************************************************************************************************* * 文件名 : hc32f46x_flash.c * 功能 : HC32F46X 内部FLASH驱动 * 作者 : cp1300@139.
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因此，在写入新数据之前，需要确保目标位置是在扇区的边界之内，否则可能会导致数据写入错误或损坏。对这 32Bytes地址进行编程、扇区擦除、全擦除，FLASH数据不会改变，对这些地址读，读到 数据为全1。最后，在写入新数据时，也需要按照Flash存储器的读写规范进行操作，避免不当的操作导致Flash存储器的损坏或数据丢失。此外，为了防止在写入新数据时误删自己的程序或其他重要数据，建议在写入新数据之前先备份程序或其他重要数据。同时，在写入新数据之前，也需要确保目标位置没有其他重要的数据，以避免误删其他数据。
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HC32F460是慧聪半导体推出的一款高性能、低功耗的32位MCU芯片，同时采用RT-Thread实时操作系统。RT-Thread是一个开源的实时操作系统内核，具有高性能和低功耗的特点。以下是关于HC32F460和RT-Thread的详细说明： HC32F460芯片是基于ARM Cortex-M4内核设计的，主频高达168MHz，采用高性能的16位ADC和12位DAC，具备强大的计算和数据处理能力。该芯片还支持多种通信接口，如UART、SPI、I2C等，具有丰富的外设资源，能够满足各种应用的需求。 RT-Thread是一个小巧而灵活的实时操作系统内核，具有优异的实时性和较小的代码体积。它支持多任务、中断服务例程和线程间通信，适用于多种嵌入式应用场景。RT-Thread还提供了丰富的软件组件和驱动程序，方便开发人员快速构建应用程序。 HC32F460芯片搭配RT-Thread操作系统，可以充分发挥芯片性能，提高系统的实时性和稳定性。通过RT-Thread的任务管理机制，用户可以编写多个任务并实现任务间的切换和通信。此外，RT-Thread还提供了丰富的软件组件和驱动程序，供开发人员使用，简化了开发流程。 总之，HC32F460搭配RT-Thread可以提供高性能、低功耗的解决方案，适用于各种嵌入式应用。无论是工业自动化、智能家居还是物联网设备，都可以通过HC32F460与RT-Thread实现高效可靠的系统设计。

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