华大HC32F460使用Flash模拟EEPROM

        在一些应用中，经常需要存储一些信息，掉电后可以保存。当然，可以外挂eeprom，flash也可以。不过呢，占用空间，资源，增加成本，设计上的难度也会增加（况且，460的flash这么大，分出来一点作为数据存储）。更具hc32f460的资料，有如下信息：

        1 flash擦除的最小单元为8K bytes，最小编程单元4 bytes；

        2 flash在擦除和编程期间，从flash读取的数值是不确定的（很关键）。

根据这些信息，设计思路如下：

        1 选择16K的flash空间作为数据存储，两个扇区轮流使用，在擦除一个扇区完成时，数据没有写入成功，即使断电还有最近一次的数据，避免数据测地丢失的状况；

        2 执行写入和擦除操作时，不能从flash执行程序，因此需要将部分程序在ram中运行，还必须关中断（自己想吧）。

下面介绍实现的具体方法（Keil开发环境）：

在ram中运行程序

        首先必须要解决如何在ram中运行代码，在keil中使编译的代码在ram中执行。

第一步：制作scatter文件

下面是我是用的，*(.RAM_CODE)这一句是重点，后面用到。

; *************************************************************
; *** Scatter-Loading Description File generated by uVision ***
; *************************************************************

LR_IROM1 0x00000000 0x00080000  {    ; load region size_region
  ER_IROM1 0x00000000 0x00080000  {  ; load address = execution address
   *.o (RESET, +First)
   *(InRoot$$Sections)
   .ANY (+RO)
  }
  RW_IRAM1 0x1FFF8000 0x0002F000  {  ; RW data
	*(.RAM_CODE)
   .ANY (+RW +ZI)
  }
}

 第二步：使用预处理指令#pragma，使代码在ram中运行。

        华大直接把flash相关的函数都封装好了，但是需要修改hc32f460_efm.c，使其能在ram运行。

将需要在ram中运行的程序开始和结束的部分加上两句话，如下：

 这样，函数EFM_ErasePgmCmd就会在ram中运行了。要把所有擦除和编程时调用的函数都这样处理。

当然，也可以直接把文件hc32f460_efm.c开始和结束加上这两句话，不用麻烦了，就是多占用了ram。根据自己的情况决定。

如何擦除一个扇区和编程，自己看看就行了，华大把函数都写好了。

存储数据思路及实现

        储存数据的flash地址，自己定义，一定要8K对齐，假设每次存储的数据为0x100个数据。轮流写入，例如0x08100，0x08200，0x08300....当两个扇区都用完了，需要擦除上一个扇区，以此类推。

        存储为0x100个数据，建议包含这些信息：校验[推荐crc16/32]，存储序号[每次+1]，数据有效标识等。

       如何判断哪个数据是有可用的？

1 根据数据的有效标识，以及校验，判断数据是否正确；

2 根据存储序号的大小，选择序号最大的记录作为最后的记录。同时，如果需要更新，从此开始。

如果正在写入，突然断电，那么上次记录还在；如果正在擦除完一个扇区，又断电了，上次的数据还在。（杠精，怎么总是在关键时停电？）

这样是不是很安全了？

这篇文章是个人的使用心得，希望各位能指点，共同提高。