模拟电路笔记

PN结

N型半导体中自由电子是多数载流子，而在P型半导体中空穴是多数载流子。当我们将N型半导体和P型半导体结合在一起时，电子和空穴均需从浓度高的区域向浓度低的区域扩散，即N型半导体中的自由电子往P型半导体中跑，P型半导体中的空穴往N型半导体中跑，从而使得原交界面处形成了一个空间电荷区（PN结），其中靠近N型半导体的N区带 + 电，靠近P型半导体的P区带 - 电，可见形成了内电场，用于阻止载流子扩散。而内电场促使少子漂移，阻止多子扩散，最后,多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡，形成平衡PN结。在空间电荷区，由于缺少多子，所以也称耗尽层
PN结非常显著的一个特点是单向导电性

普通二极管

常见结构

点接触二型极管：工作频率可达100+MHz 用于高频电路和低功率整流电路
面接触二型极管：可以通过较大的电流，只能在低频率下工作，一般作为整流管
平面二极管：大功率整流电路和开关电路中

锗二极管的正向特性优于硅二极管
硅二极管的反向特性优于锗二极管

主要参数

最大整流电流IF：二极管长期运行时允许通过的最大正向平均电流，其值与PN 结面积及外部散热条件等有关。
最高反向工作电压UR：二极管工作时允许施加的最大反向电压，一般为击穿电压的一半
反向电流：二极管未击穿时的反向电流，对温度很敏感，此数值越小越好，证明其单向导电性越好
最高工作频率：二极管工作时的上限频率，受结电容的影响超过此频率二极管工作性能下降

理想模型相当于一个理想的开关，导通时就相当于导线，不导通时完全断开

稳压二极管

特性

利用二极管的反向击穿特性实现稳压，工作在反向击穿状态，其反应电压应大于稳压电压。
控制反向电流不超过一定值，稳压二极管就不会因过热而损坏
必须串联一个限流电阻

主要参数

1. 稳定电压Uz：在规定电流下稳压管的反向击穿电压，也是其固定的工作电压
2. 动态电阻Rz：，是稳压管 工作在稳压区时，端电压变化量与其电流变化量之比
3. 最小稳定电流 Izmin：稳压管工作在稳压状态时的参考电流，电流低于此值时稳压效果变坏，甚至根本不稳压，故也常将 Iz记为Izmin。
4. 最大稳定电流Izmax:工作状态的最大电流，超过此电流稳压管可能损坏
5. 最大耗散功率Pzm：稳定电压Uz与最大稳定电流Izmax的乘积
6. 温度系数：表示温度每变化 l oC 稳压值的变化

典型电路

总结1

二极管都具备PN结的特性，其具备单向导电性，但都需要所加电压大于导通电压，硅二极管是0.7V，锗二极管是0.2V；稳压二极管稳压时也需要加上去的电压大于稳定电压

晶体三极管

如何分辨基极b、集电极c、发射极e？
一个横线就是b，有箭头才是e，没箭头是c

箭头代表电流的方向也就是P to N
箭头表示的是发射极的位置

使晶体管工作在放大状态的外部条件是 发射结正向偏置且集电结反向偏置

共射电流放大

三状态分析

主要就是满足发射极正偏向，集电极反偏所以能工作在放大区域，具体如下图所示

场效应管

场效应管与晶体管比较

放大电路主要参数

也就是说输入电阻不计算电源的内阻，输出电阻不计算负载电阻

共射放大电路

B：输入端
C：输出端
E：接地

静态工作点

求解静态工作点可以设置输入端短路
只有直流电源，没有交流电源的工作状态；当然晶体管应当工作于放大状态此时Vcc的作用也有使集电极反偏。

放大电路组成原则

提供直流电源，设置合适的静态工作点，保证晶体管工作在放大状态。
电阻适当与电源配合使其具有合适的静态工作电流。
输入信号必须能够作用于放大管的输入回路。
当负载接人时，必须保证放大管输出回路的动态电流能够作用于负载。

分析方法

直流通路是在直流电源作用下直流电流流经的通路，也就是静态电流流经的通路，用于研究静态工作点 。
电容：隔直流，通交流
电感：隔交流，通直流
对于直流通路
1-电容容抗为无穷大视为开路；
2-电感线圈视为短路（即忽略线圈电阻）
3-信号源视为短路，但应保留其内阻
设交流输入信号为零，若信号源存在内阻应当保留对于的内阻，在直流通路的基础上利用节点电流定律和回路电压法灯方程求解主要求解U_BEQ 、I_BQ、I_CQ、U_CEQ
对于交流通路
容值大的电容（如耦合电容）视为短路，
无内阻的直流电源 （如 Vcc) 视为短路，直流电源直接接地即可