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TokNan

已于 2023-12-08 14:47:23 修改

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文章标签：硬件工程

于 2023-09-17 15:46:04 首次发布

本文链接：https://blog.csdn.net/L0ving_Q/article/details/132944488

版权

EG2104栅极驱动

原理

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当SD =0 时两个MOS截至此时不工作；
SD=1并且IN =0时，自举电容进行充电电容两端电压约为VCC也就是12V但要减去二极管的压降
当SD=1且IN=1时上MOS打开，VS的电压为VIN，VB的电压大概为VIN+VCC，此时体现了电容的自举升压作用。电路内部VB和HO导通此时维持MOS的打。
两个二极管D1 D1的作用是加快MOS的开关速度
推荐在MOS的G级加入两个10nF电容，消除米勒平台，降低误触发。
自举电容的耐压高于VCC即可，不需要高于VIN+VCC
PWM的占空比不能太高小于95%即可
电阻R1和R2的作用是防止驱动回路形成振铃，大约取20Ω左右。

应用

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二极管选用快恢复或者肖特基二极管
自举升压电容C1 使用C0G或者NP0的规格 1206
一般来说在VCC GND间加入滤波电容大概为10倍的C1
自举升压参考TI的手册

计算举例：
我使用到的NMOS为SL05N06Z，查阅手册可以得出：Qg=9nc
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使用到的二极管为1N4148WS其正向压降F=1V

此时可以计算出自举电容电压Vge=Vcc-F=11V
Cg=Qg/Vge=0.818nF
Cboot=10Cg 但实际上大概选15倍所以我选的18nF

自举升压模块

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恒流电路

恒流要素：基准电压，电流采样，比较器（误差放大器），调整管
三极管应当工作在放大状态，CE之间可以模拟为等效电阻

三极管恒流

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此时的三极管一定工作在放大状态
RL的电流恒定为Ube / R1
假设R1的电流增加，会导致Q2导通，Q1基级被拉低，Q1截至
这种情况下电流很小不超过50mA

运放恒流

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由于存在负反馈结构，此时的运算放大器工作在放大区，此时out=p（Up - Un）这是计算前提
R1通过的电流恒定为 VIN / R1 ;放大器类似电压跟随器
假设R1通过的电流增加，则Un的电压增加，运放两端的差值变小，out减小，那么R1两端的电压就会降低，促使通过的电流减小，完成了负反馈的闭环。
此时R3的阻值应该为R4 // R2

稳压管恒流

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TL431+PNP

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二极管+PNP

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LM317恒流

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截取自TI的手册，注意R1需要一个比较大的封装比如1206，假设后边需要50mA，R1的功耗应该是60mW，需要选择合适的散热功率，输入电压不要超过40V
输入，输出应当配置适当的电容，低ESR

MOS恒流

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RS485电路设计

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常规设计

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自动收发设计

参考文章：http://t.csdn.cn/09jOa
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结合如下的内容进行分析

隔离电路

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CAN电路设计

常规设计

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共模电感是为了滤除共模干扰。
常见的终端匹配电阻为120Ω，目的是为了较少信号的反射。特别地，将120Ω电阻分为两个60Ω电阻，在搭配一个4.7nF电容（详情见上图），这样能有效滤除总线上的共模干扰

隔离电路

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光耦

发光二级管的电流是If，光感三极管的电流Ic
具体的参数需要自己去计算，也要看手册
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R1电阻的设置应当保证发光二极管能够有1mA的电流去点亮。一般5mA就足够用了
IC=CTR * IF，根据此数值计算R2的取值
开关电源经常用PC817 EL357N
120M31 可支持的频率很高

MOS加速关断

MOS为什么不需要加速开启

MOS的开启过程相当于是GS之间达到一定的电压Vgsth，其电压增长模型可以参照RC电路，在开启过程中其电压和时间曲线为先快后慢的过程，在极短的时间内便能到达开启电压；故不需要加速开启；达到开启电压后会继续充电，但关断时需要小于Vgsth，参照RC电路其下电时是先快后慢，此时的压差很大，降低到小于Vgsth需要较长的时间，所以需要加速关断。