硬件基础笔记

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电容

电容的本质时存储和释放电荷
保守的话耐压值打5折，再不行的话也得打个8折
大容值的电容通常具有较大的寄生电感因而其自谐振频率较小，所以比较适合用于滤除低频干扰噪声
小容值的电容通常等效电感较小因此自谐振频率较大，所以适合用于滤除高频干扰噪声
数值计算：103=10X10³=10,000pF=10nF=0.01uF

钽电容

一种电解电容，也是有极性的。
温度性能好，ESL小，体积小
ESR比同参数的铝电解电容小
价格高 漏电流小
耐电压能力差,高温降额使用，耐电流能力差
应用于电源滤波、低频旁路和信号耦合

陶瓷电容

结构简单，电容容量较宽
耐高压，绝缘性好，性能稳定
容量小 大点话可以直接用电解电容
47uF 20% 6.3V X7R 1210
220uF 20% 6.3V X7R 1210

铝电解电容

电解电容都有极性
容量大，体积大
频率特性差，在高频状态下等效容量小
漏电流比较大
ESL ESR都比较大
在极高温和极低温下，性能很不稳定
应用于电源滤波，低频旁路和信号耦合

选型与应用

1容量与误差：D-0.5% F-1% G-2% J-5% K-10% M-20%
2额定工作电压 能够长期稳定工作所能承受的最大直流电压
钽电容打折50% ； 陶瓷电容，铝电解电容80%
3漏电流：外加电源时自身的电流损耗
4正切角损耗：在电场作用下，电容器在单位时间内发热而损耗的能量
5温度系数：单位温度变化，引起电容容量的变化，越小越好
6频率特性：电参数随频率电话的性质，一般来讲越小越好，因为大部分电容随着频率的上升电容量会减少
7等效串联电阻ESR：ESR大的话电容损耗就会很大

二极管

肖特基二极管

它不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的
开关频率高，反向恢复时间极短(可以小到几纳秒)，正向压降低，正向导通压降仅0.4V左右
耐压比较低，漏电流稍大些
用途：多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管，也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。在通信电源、变频器等中比较常见

TVS瞬态抑制二极管

TVS 有单向与双向之分，单向TVS一般适用于直流电路，双向TVS一般适用于交流电路中，其实双向也可以用于直流电路之中。
Vrm：最大反向工作电压 必须大于正常工作电压
Irm：反向漏电流，虽然默认是开路但仍然具有很小的漏电流
Vcl：钳位电压，当电流流过TVS时产生的电压
Vbr：最小击穿电压，当两端电压大于此电压时TVS导通
TVS应该靠近干扰源接插件，走线粗点，拉开TVS和被保护电路的距离
TVS管在电路中一般工作于反向截止状态，不影响电路的任何功能，当两端经受瞬间的高能量冲击时，它能以极高的速度（最高达1/(10^12)秒）使其阻抗骤然降低，同时吸收一个大电流，将其两端间的电压箝位在一个预定的数值上，从而确保后面的电路元件免受瞬态高能量的冲击而损坏。干扰脉冲过去后，TVS又转入反向截止状态。由于在反向导通时，其箝位电压低于电路中其它器件的最高耐压，因此起到了对其它元器件的保护作用
通常情况下，关断电压和击穿电压分别取需要保护工作电路电压的1.1倍和1.2倍
交流电压或存在负电压信号只能用双向TVS
高电压TVS寄生电容较大可以使用肖特基二极管并联

ESD静电保护二极管

ESD二极管其实和 TVS 二极管原理是一样的，也是为了保护电，主要功能是防止静电。
静电防护的前提条件就要求其电容值要足够地低，一般在1PF-3.5PF之间最好，主要应用于板级保护
ESD二极管功能是 防静电，主要应用于板级保护。
TVS二极管功能是 防浪涌过电压，主要应用于电源电路初级和次级保护。

电感

通直流，阻交流；频率越高，线圈阻抗越大
阻碍电流的变化，保持器件工作电流的稳定
滤波

参数

1-标称电感量
反应了电感存储磁场能量的本领
高频电路中电感量相对较小，低频电路中电感量相对较大
2-额定工作电流（IDC）
长期工作不损坏电感的电流，和温升电流之间选小的
3-直流内阻
通过直流电源时的阻抗，一般在毫欧级别
4-品质因数Q
电感存储的能量与消耗能量的比值。
5分布电容

选型

选择的时候应该计算电感数值，耐压和可通过电流。
在开关电源时，计算出的电感值没有可以适当的选大点，饱和电流和温升电流选小的，记得打折。
电源的温升默认是40度，但国内部分厂家为了参数好看温升为50度。
电感也会导致压降，记得算下压降；所以计算电源参数的时候推荐适当的偏高一点。

电感发热分析

主要发热来自直流电阻，同时也有交流电阻导致发热，交流电阻和工作频率相关，在设计时要特别注意。

磁珠磁环

起到滤波的作用，消除存在于传输线结构中的噪声。
在一定频带内能反射噪声，吸收噪声并转换为热能。
其阻抗值和频率相互匹配
在一定范围内随频率的增加，阻抗增加；在达到最高点后急速下降。
需要滤除的信号应当大于转折点，使其工作在感性状态。

磁珠与电感区别

三极管

三极管的放大公式：Ic=(1+β)Ib

开关作用

三极管当做开关来使用时，是利用了其要么工作在饱和区（导通），要么工作在截止区（不导通），总之就是不能工作在放大区。
我们的电路输入一般是只有两种状态，0V或者是其它的高电平（1.8V，3.3V，5V等），截止状态一般不用怎么考虑，因为如果让三极管的Vbe=0也就是输出端为0，自然就截止了，重要的是饱和状态如何保证。
在饱和状态下：Vce=0，同时要求发射结和集电结都正偏，我们以此基础进行计算。
（默认规律：在深度饱和状态下Ib = 1/10 Ic,实际应当参照手册给出的β进行计算，不用Ic的β也不同 ）
Demo：

根据数据手册计算，导通时Uce=0.2，设Ic=5mA
Rc=（5V-0.2V）/Ic=960
Ib=Ic/10=0.5mA
Rb=(3.3V-0.7V) / Ib=3.2K
也就是说Rb小于3.2K就能工作在放大状态
此原理图为取反模式

放大作用

放大倍数 A=RC / RE
推导过程参照：https://zhuanlan.zhihu.com/p/89751503
偏置电阻计算
推导参照：
http://www.kiaic.com/article/detail/2996.html
https://zhuanlan.zhihu.com/p/580281265
Uce一般为1/2VCC
Irb1一般为10倍的Ib

MOS管

三极管	MOS管
放大区	恒流区
截至区	夹断区
饱和区	可变区

手册查阅

V_DS：原件在断开状态下漏极和源级所能承受的最大电压（一般打7-8折计算）
I_D：漏极可以承受的极限电流值，超过此电流可能击穿
R_DS(on)：MOS打开时DS间的电阻，导通电阻
IDSS:表示VGS=0，VDS为定值时的漏源漏流，一般在微安级别
IGSS：栅极驱动电流，越小越好
V_gs(th):MOS的开启电压
当然也要去关注相关的极限值

MOS内部存在电容，电容影响开关速度
开关速度快的优点时开关损耗小，效率高，温升低，对应的缺点是EMI特性差，MOS关断尖峰过高

开关作用

一般输入方向都是逆着小箭头（图标中接在DS间的二极管）的哦，NMOS用的多，因为各方面性能优于PMOS
为什么MOS管需要串接电阻？？？
限制驱动电流，防止瞬间电流过大损害MCU
消除MOS栅极的震荡信号
上下拉电阻的作用是什么？？？
1-给MOS管一个确定的电平，防止收到干扰
2-给寄生电容Cgs一个放电路径
3-防止静电击穿
常用规律总结
1-NMOS管通常做为下管使用，PMOS管通常做为上管使用，其目的都是为了给S极一个固定的电压值**
低端驱动(外负载的正极直接接电源正极，负极接MOS管回GND)用NMOS，高端驱动(外负载的正极接MOS管的D极，负极直接接回GND)用PMOS
2-Vgs的驱动电压越高，MOS的导通电阻就越小，导通速度也越快
3-MOS的GS极间的寄生结电容大小，影响了开断速度。越小开断越快，响应越迅速。选型时，应尽量选择小的，可以有更快的开断速度，以降低开关损耗
导通条件
MOS管是压控型，导通由G和S极之间压差决定。
  对NMOS来说，Vg-Vs>Vgs(th)，即G极和S极的压差大于一定值，MOS管会导通，但是也不能大太多，否则烧坏MOS管，开启电压和其他参数可以看具体器件的SPEC。简单的说，就是NMOS高电平导通。
  对PMOS来说，Vs-Vg>Vgs(th)，即S极和G极的压差大于一定值，MOS管会导通，同样的，具体参数看器件的SPEC。简单的说，就是PMOS低电平导通
 Demo：

电平转换

这个在IIC协议中用的多一些



NOMS中存在一个体二极管，当右侧Slave = 0时导通，导致Vgs>阈值，进而使0传递过去

保护电路

反接保护

对于负载不大，输入电流较小的场合可以使用肖特基二极管

负载比较大的情况下，可以使用MOS设计防反接电路

上电时通过内部的寄生二极管，MOS导通
R1，R2 为分压电阻，调整阻值使Vgs电压尽量大，降低损耗
D1稳压二极管，防止Vgs超过极限电压

过压保护

正常输入电压的最大值应该比过压保护值低1-2V，因为电源存在纹波

D1的工作电压为5.6V，当输入为5V时Q1是截至的，因为E和B的电压是相同的，R3分压大概4.8V。此时MOS管导通正常工作。
当输入电压大于Uce+Ud1 比如7V时，D1起到稳压作用，此时Q1是导通的，R3被短路，MOS间的压差大概是Uce，此时MOS截至，起到了反接的作用，但仍然没有实现超出5V即可反接

过流保护

负载电流超出了最大负载电流，对于LDO过流会导致电压下降或者烧毁芯片；对于BUCK或者BOOST电路，会导致输出功率不足，电压会下拉。一般采用运放的形式将电流转换为电压 ADC读取电压，之后MCU控制MOS通断。

短路保护

LDO短路可能会烧毁
BUCK短路的话内部具备短路保护
BOOST电路会烧毁电感
可以使用可跟换的保险丝
或者在非高温环境，使用PTC自恢复保险丝

USB

USB3.0兼容USB2.0，STM32F1系列不支持高速模式，D+上拉使用的是全速模式，D-上拉是低速模式

推荐加入ESD保护电路

逻辑器件

现在CMOS可以做到功耗更低，速度更快；还有一种BiCMOS双极CMOS，既可以降低功耗，又能提升驱动能力，工艺比较复杂，成本比较高，用在高端系列。
总线保持：保持最终的状态。

基本参数

输入高电平Vih：输入电平高于Vih时，逻辑器件认为输入的时高电平
输入低电平Vil：输入电平低于Vil时，逻辑器件认为输入的时低电平
输出高电平Voh：逻辑器件输出高电平时的电平值均大于此值
输出低电平Vol：逻辑器件输出的低电平均小于此数值
阈值电平Vt：电路勉强翻转的电平，介于Vih和Vil之间，对于CMOS电路基本是电源的二分之一，为保证稳定工作，必须保证输入高电平>Vih，输入低电平<Vil；一般来说：Voh>Vih>Vt>Vil>Vol。
代表着不同电平的逻辑器件有概率不能直接互连
应当满足条件：
发送方Voh大于接收方Vih；发送方Vol小于接收方Vol

选型

通过此电路可以把1.8VPWM转换为3.3VPWM，但此时的工作频率上限为50MHz

通过逻辑器件处理信号是存在延时的哦。测延时的话一般选择VCC一半时的时间差此时就是传输延时，不要去测开始或者结束的。
电容过多的话会导致容性负载过大，原本垂直变化的信号变成了倾斜变化。
功耗电容
定义为内部等效电容，由空载运行时电流消耗计算得出。都很低，一般估计为1-1.5mW。

举例-电平转换

直接连接的话功耗电流会陡增，MOS存在未完全截至的情况。

注意事项

1 逻辑门的输出不能并到一起，否则内部MOS会短路
2 未使用的输入端不允许悬空，应当上拉或者下拉
3 输入端应当设置ESD保护
4 降低噪声，加入退耦滤波电容，走线短二宽
5 在输出端设计阻尼电阻器

功耗计算

静态功耗

当CMOS逻辑处于静态，其功耗由漏电流产生，基本就是漏电流X输入电压

动态功耗

集成运放

特点

开环差模放大倍数超大
差模输入电阻很大
差模输出电阻很小带载能力强

虚短与虚断

虚短
对于理想运算放大器工作在线性区时Uo=Aod*（Up-Un），可以计算出Up-Un=Uo/Aod = 0，此时可以得出Up = Un，也就是俗称的输入端虚短
虚断
对于理想运算放大器工作在线性区时输入电阻Ri无限大，Up-Un=0，此时可以得出Ip=In=(Up-Un)/Ri=0，也就是俗称的输入端虚断

常用电路分析

电压跟随器

当使用单片机的ADC进行数据采集时，可以使用电压跟随器来降低IO引脚内部电阻对数据采集的影响，运放的输出电阻为无穷下，可以提高精度。

同相比例放大电路

反相比例放大电路

反相求和放大电路

同相求和放大电路

差分运算电路

IV转换电路

驱动电路

驱动方式

低端驱动：开关管控制负载的低电势端，通常控制GND的通断
高端驱动：开关管控制负载的高电势端，通常控制POWER的通断

OC与OD

实现电平转换

实现与结构
通常用于IIC协议的控制

推挽与开漏

开漏模式可以多个GPIO控制一个电平，也就是支持线与操作，一般开漏输出都会配备一个上拉电阻。高电平的驱动能力比较差。

半桥电路

半桥电路比较常用的就是驱动无刷电机。

全桥电路

常用LV8548MC-AH

继电器

继电器驱动电路，D1二极管防止击穿。PCB LayOut时需要把5号引脚 挖空包围

滤波电路

分类

高通滤波器：允许信号中较高频率的成分通过滤波器
低通滤波器：允许信号中较低频率的成分通过滤波器
带通滤波器：允许fp1到fp2之间的信号通过。
带阻滤波器：允许fp1到fp2之外的信号通过，阻塞fp1到fp2之间的信号

电容滤波

电容的本质时充电和放电，具有储能的作用，由于充放电需要时间，所以电压不能突变，可以起到滤波的作用，大电容过滤低频，小电容过滤高频

位置

主要看IC的工作频率，开关频率比较高，那么应该小电容靠近，再配置大电容，以便高频供电环路小，滤波效果好。如果是驱动类，开关频率比较低，那么应该是大电容靠近，之后再用小电容；对于电源类，电容摆放原则：都是有大到小的原则。输入滤波电容：大容量放在外侧，小容量靠近引脚；输出滤波电容：大容量靠近引脚，小容量放在外侧也就是按电流的走向由大到小

RC滤波

RC滤波属于低通滤波器，一般使用在信号滤波，不能用于电源滤波
运放输入端使用

开关电源中SW可以滤波干扰

LC滤波

不消耗能量，可以用于电源滤波也可以用于信号滤波，开关电源中就有使用到

π型滤波电路

电源通常使用π型LC滤波电路

EMC

时域：电压信号随时间变化，代表仪器为示波器
频域：谐波幅度随频率变化，代表一起为频谱仪
电磁干扰的主要原因就是一些高速高频的信号

磁珠

考虑阻抗，在不同频率下磁珠具有不同的阻抗，要注意阻抗匹配
考虑DCR可以理解为直流电阻，特别是磁珠用在电源线，较大的DCR会导致压降过大，通常来看阻抗越小，封装越大，DCR越小
考虑电流磁珠有最大工作电流

磁环

对高频噪声有很好的一直作用，低频的阻抗比较小，高频的阻抗比较大，磁环不接入电路，套在线束外面，

原理图设计

数字IC电源脚放置滤波电容，典型数值就是0.1uF X7R 0603，类似单片机供电脚放置的电容
晶振电路可以在输入端加入俩电阻 22R，可以先放两个0电阻备用
开关电源，自举电容可以串一个电阻，大概22R
电源线可以加磁珠来避免干扰

PCB设计

高频滤波电容一定要紧贴IC
开关电源依照拓扑手册降低环路
晶体电路要进行包地，底面铺铜，下方禁止布线

补充内容

XT30 扁平的一边为+ 呈现为45倒角的为 - （所以 1为GND 2为VCC）