长芯微LPS5356 12A 同步降压转换器P2P替代TPS51367

LPS5356 是一款高压输入、同步转换器,此转换器带有集成的 FET,它基于 DCAP-2 控制拓扑结构,从而实现快速瞬态响应并支持 POSCAP 和所有 MLCC 输出电容器。 与 TI 领先的封装技术组合在一起,长芯微的 FET 技术为诸如 VCCIO 和 VDDQ 等用于 DDR 笔记本内存的单输出电源轨或者广泛应用中的任何负载点 (POL) 提供最高密度的解决方案。TPS51367 的主要特性是其 ULQ™-100 模式以实现低偏置电流(低功率模式下为 100µA,由 LP# 启用)。 这个特性对于延长系统待机模式中的电池使用寿命非常有帮助。 此特性集包括 800kHz 的开关频率。 可由一个外部电容器设定的软启动时间。自动跳跃、预偏置启动、集成引导加载开关、电源良好、使能和一整套的故障保护机制,其中包括 OCL,UVP,OVP 5V UVLO 和热关断。它采用 3.5mm x 4.5mm,焊球间距 0.4mm,28 引脚 QFN (RVE) 封装,额定运行温度范围为 -10°C 至 85°C。

特性

• 输入电压范围:3V 至 22V
• 输出电压范围:0.6V 至 2V
• 12A 集成 FET 转换器
• 最少的外部组件数量
• ULQ™-100 模式运行以实现系统待机期间的长电池使用寿命
• 软启动时间可由外部电容器设定
• 开关频率:400kHz 和 800kHz
• D-CAP2™ 架构以实现高分子有机半导体固体电容器 (POSCAP) 和所有多层陶瓷电容 (MLCC) 输出电容器的使用
• 用于精确过流限制 (OCL) 保护的集成且支持温度补偿的低侧导通电阻感测
• 电源良好输出 OCL,过压保护 (OVP),欠压保护 (UVP) 和欠压闭锁 (UVLO) 保护
• 热关断(非锁存)
• 输出放电功能
• 集成升压金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 开关
• 焊球间距 0.4mm,高度 1mm 的 28 引脚,3.5mm x 4.5mm,RVE,四方扁平无引线 (QFN) 封装

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