[开关电源-电路拓扑]反激4 RCD吸收计算推导

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已于 2024-08-23 17:38:22 修改

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分类专栏：开关电源文章标签：嵌入式硬件能源

于 2024-08-20 22:19:02 首次发布

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RCD吸收参数计算公式推导

首先，RCD钳位电路吸收的能量不仅包括原边漏感能量，还包括副边反射电压产生的回馈能量。

其次，通过分析反激在关断过程中，RCD吸收的电容C的电压Uc、MOS管的Uds波形、以及原边变压器电流Ip的波形变化。具体工作波形如下图所示。
在这里插入图片描述

具体的工作波形分析，可以下载参考博客1的文献。此处不介绍，将放在附录中介绍。同时这里也可以看出，原边变压器电感电流并不是突变。而是快速原边电流在快速的下降。原因是在初级线圈突然断开后，变压器将存储的磁能快速的变为转变为电场能。当转变为原边的电动势大于Ui+Uf后，副边二极管D2导通，使得原本由初级线圈电流产生的磁场能量，瞬间由次级线圈中的电流接管。（如果只看这一瞬间，磁芯中的磁场能量并没有立即转化成别的能量，只是成因从初级线圈变成了次级线圈，初级线圈电流突变为 0，次级线圈电流突然就有了。）

然后，设计过程中需要设定MOS管DS的最高电压为Ui+Ucp。其中DS正常电压为Ui+Uf。因为RCD电路的电容C一端为Uin，一端为需要钳位的电压。因此电容C的钳位电压为Ucp。Ucp需要满足的电压条件为： $U_f<U_{cp}<(0.8-0.9)U_{ds}-U_{in-max}$ 。当Ucp取值越小，即RCD钳位电压越低，吸收损耗功率越大，会降低系统效率；当Ucp取值越大，吸收的损耗功率越小，提高了效率，但也会导致MOS管电压应力增大。因此，Ucp一般取值为MOS管的安全电压的临界值，即 $U_{cp}=(0.8-0.9)U_{ds}-U_{in-max}$ 。

之后，根据Ucp决定电容C，之后确定电阻R。

吸收电容C：根据电容瞬时电流公式： $i_p = C \frac{dU}{dt}=C \frac{U_{cp}}{dt}$ ，其中，根据漏感瞬时电压公式： $U_{cp} = L_k \frac{di}{dt} = L_k \frac{i_p}{dt}$ ——> $\frac{L_k i_p}{U_{cp}}$ ，带入电容电流公式，可得 $\frac{i_p^2 L_k}{U_{cp}^2}$ 。（与上一篇电容计算一致）。

吸收电阻R：RCD钳位电路的RC充放电周期需要满足RC>>Ts，即RC=(10-20)Ts（Ts为MOS开关周期）。使得在反激变换器正常工作时，电容电压Uc仅在较小的电压范围内波动。由此，R = (10-20)Ts/C

吸收电阻R的损耗功率P可以根据吸收的漏感电感能量进行估算。漏感存储的能量 $W = P_r*Ts=1/2 L_k I_p^2$ ——> $P_r = 1/2 L_k I_p^2 f_s$ 。根据开始说的，RCD钳位电路吸收的能量不仅包括原边漏感能量，还包括副边反射电压产生的回馈能量。因此，这里预留两倍的余量 $P_r = 1/2 L_k I_p^2 f_s *2=L_k I_p^2 f_s$ 。