反激电源设计（6）——电磁计算（RCD选型及计算）

1 RCD理论分析

2 RCD计算及选型

2.1 RCD计算

2.2 RCD选型

3 PSIM仿真（有RCD与无RCD对比）

3.1 等效MOS管（结电容）

V_Q最高电容为620V

3.2 RCD仿真

V_Q = 580V， 说明RCD具有吸收作用！