NTMFS4C024NT1G NTMFS4C029NT1G 30V N-CH MOS管 晶体管

NTMFS4C024NT1G NTMFS4C029NT1G N-CH 30V MOS管 晶体管 中文规格pdf

1、MOSFET N-CH 30V 21.7A/78A 5DFN 场效应管

型号:NTMFS4C024NT1G 

年份:新

FET 类型N 通道

技术MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)21.7A(Ta),78A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)2.8 毫欧 @ 30A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.2V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)30 nC @ 10 V

Vgs(最大值)±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1972 pF @ 15 V

FET 功能-

功率耗散(最大值)2.57W(Ta),33W(Tc)

工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型表面贴装型

供应商器件封装5-DFN(5x6)(8-SOFL)

封装/外壳8-PowerTDFN,5 引线

2、MOSFET N-CH 30V 15A/46A 5DFN 场效应管

型号:NTMFS4C029NT1G

批次:新

FET 类型N 通道

技术MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)15A(Ta),46A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)5.88 毫欧 @ 30A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.2V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)18.6 nC @ 10 V

Vgs(最大值)±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)987 pF @ 15 V

FET 功能-

功率耗散(最大值)2.49W(Ta),23.6W(Tc)

工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型表面贴装型

供应商器件封装5-DFN(5x6)(8-SOFL)

封装/外壳8-PowerTDFN,5 引线

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