【微波理论】对于微带线损耗问题的一些看法

       对于微带线的损耗，可以知道主要分为导体损耗、介质损耗与辐射损耗；其中导体损耗主要占有主要地位，其产生的主要原因为金属的有限电导率导致电流在流过金属时会产生电阻损耗。

对于导体的电阻，一般有公式：

对于其中的S，应理解为电流流动方向穿过电流的横截面的大小，不能简单的当作是导体的实际横截面的大小。

        在高频时，由于趋肤效应的影响，电流流过的横截面积约等于趋肤深度；

可以看出，随着频率的升高，其趋肤深度也会减小，由此会造成损耗的增加。

仿真实例分析：

10GHz时的微带传输线：理论计算出趋肤深度为0.7um

       当铜厚远超于趋肤深度时，可以看出此时的损耗始终在0.06附近；担当厚度逐渐减小至接近甚至小于趋肤深度时，其损耗会有明显的升高。相较于厚度远超于趋肤深度，当铜厚小于趋肤深度为0.5um时，其损耗变为0.09，相较于远超出趋肤深度的铜厚来说增大了50%。

30GHz时的微带传输线：理论计算出趋肤深度为0.3um

       当铜厚远超于趋肤深度时，可以看出此时的损耗始终在0.23附近；担当厚度逐渐减小至接近甚至小于趋肤深度时，其损耗会有明显的升高。相较于厚度远超于趋肤深度，当铜厚小于趋肤深度为0.2um时，其损耗变为了0.35，相较于铜厚远大于趋肤深度的情况损耗增大了50%。

       同时，在相同厚度不同频率时，可以看出30GHz的损耗是明显高于10GHz的，约为10GHz时的4倍。

因此笔者认为单纯的通过提高铜厚并不能够对损耗有明显的改善作用。

对于损耗高的问题，可以采用其他的导电材料，通过增大趋肤深度可以有效的改善传输线的导体损耗。如：石墨烯