[]DDR2 SDRAM初始化

DDR2电路中常见的名词解释

DDR2的有几个比较麻烦的设置，但一般是有国际的规范要求，在做ARM初始化DDR2之前，先了解一些经常出现的名词吧。

• DDR2的时钟输入是差分的时钟输入，即用到了CK，/CK
• DDR2有专门的时钟使能输入引脚CKE
• OCD 这个叫off-chip-driver 它的用途是实现DQS与DQ的边沿校准，因为数据输入可以在时钟的上升沿跟下降沿均可以实现数据传输，为了保证数据
• DLL 这是delay 锁相环的意思，它的用途是将数据的选通信号DQS跟CK的时钟进行边界对齐，实现多信号的同步，非常重要

BA0~BA1

这2个bit的不同组合逻辑值，除了表征了不同的bank地址，还能用来表征在EMR和EMRS周期中访问的具体哪一个

BA0	BA1	代表的bank序列
0	0	正常模式
0	1	PALL模式
1	0	MRS模式
1	1	EMRS模式

我们在初始DDR2的阶段时，会经常去访问MRS跟EMRS寄存器，其中EMRS(2)和EMRS(3)是将来扩展用的，比如DDR3就用到了一些。

ODT

DDR2相比以前的DDR，它新增了了一个ODT管脚（on die termination 片内信号终止器），它可以使信号的反射和信噪比达到一个更好的平衡，提高信号的稳定性，该管脚颗粒使能DQ、DQS、RDQS、DM信号在颗粒内部终结，不需要像DDR那样用外部的电阻进行匹配，减少了不少PCB layout的麻烦

RDQS

读操纵时数据选通信号，该信号和DM管脚复用，EMRS（1）寄存器的A11=1使能RDQS的功能

DQ （Bi-directional data bus）

数据传送（输入，输出）信号，这是一种双向的数据总线，即，既可以读，也可以写（废话显然）

DQS （LDQS 、UDQS、 RDQS）

写数据选通信号，支持（4位，8位，16位写方式），可以用来选择使用差分信号还是单端信号，EMRS（1）寄存器的A10位用来设置它。如果选用单端信号，/DQS信号必须使用20~10K电阻下拉到VSS

• EMRS(1) A10 = 1 使用单端信号 , /DQS信号必须使用20~10K电阻下拉到VSS。
• EMRS(1) A10 = 0 使用差分信号，即使用DQS和/DQS。

其中，如果ddr2 sdram跟MPU连接时，采用数据总线是16位的，那么还有LDQS和UDQS的说法，同时他们也有差分的/LDQS和/UDQS

• LDQS low DQ,即16位数据中的低8位，对应着DQ0~DQ7
• UDQS up DQ,即16位数据中的高8位，对应着DQ15~DQ8
• RDQS 这是用来读的，为了简化读的时序，便提供了RDQS这个功能，但它和DM引脚复用

也就是说，读的时候，你可以选择简化读时序，就用RDQS，而写的时候，分为4位，8位，16位的写模式（根据硬件电路来决定，支持使用DQS，LDQS、UDQS），也就是说DQS其实是write的时候的数据选通（差分不差分就看你设置的EMRS（1）中的A10位）

DLL

延时锁相环的意思，它在DDR2的内部使用一个单独的1.8v电源和地。

Vdd Vddq Vddl Vref

DDR2的正常工作，离不开稳定的供电源，就此解释下这几个的差异

• Vdd DDR2的正常工作电压
• Vddq DQ供给电压
• Vddl 内部DLL模块的供给电压，自带1.8v
• Vref 参考电压