DDR介绍及设计要求详解1

DDR介绍及设计要求详解

1. • DDR类别和参数介绍

DDR采用TSSOP封装技术，而DDR2和DDR3内存均采用FBGA封装技术。TSSOP封装的外形尺寸较大，呈长方形，其优点是成本低、工艺要求不高，缺点是传导效果差，容易受干扰，散热不理想，而FBGA内存颗粒精致小巧，体积大约只有DDR内存颗粒的三分之一，有效地缩短信号传输距离，在抗干扰、散热等方面更有优势，而DDR4采用3DS(3-Dimensional Stack)三维堆叠技术来增大单颗芯片容量，封装外形则与DDR2、DDR3差别不大。在我们的设计用到的内存颗粒有SRAM、DRAM、EEPROM、Flash等，其中DDR系列用的是最多的，其DDR-DDR4的详细参数如下：

随着制造工艺不断提高，从DDR到DDR2再到DDR3内存，其制造工艺都在不断改善，更高工艺水平会使内存电气性能更好，成本更低；DDR内存颗粒广泛采用0.13微米制造工艺，而DDR2采用了0.09微米制造工艺，DDR3则采用了全新65nm制造工艺，而DDR4使用20nm以下的工艺来制造，从DDR～DDR4的具体参数如下表所示

MemoryType		DDR		DDR2	DDR3		DDR4
核心频率（MHz）		133-200		133-200	133-200		133-200
时钟频率（MHz）		133-200		266-400	533-800		1066-1600
预读数		2n		4n	8n		8n
数据传输速率（MT/s）		266-400		533-800	1066-1600		2133-3200
带宽（GB/s）		2.1-3.1		4.2-6.4	8.5-14.9		17-21.3
工作电压(V)		2.5/2.6		1.8	1.35/1.5		1.2
最大功耗		418mW		318mW
通常工作电压		<