降低Leakage Current 降低功耗
1. Multiple Threshold-voltage CMOS (MTCMOS)
多阈值电压CMOS
由于Vth低,Tr的翻转速度变快,fast on fast off
但是Vth低会导致Leakage current 增大
2. Variable Threshold Voltage (VTCMOS)
CMOS的阈值电压可以用电改变
3. Dual-Vt 技术
活动频繁的地方使用低Vth的Tr,critical path
其他地方使用高Vth的Tr,not-critical path
4. SoC的一种解决方案:不同区块使用不同的电压

本文探讨了多种降低LeakageCurrent以减少功耗的技术,包括MTCMOS、VTCMOS、Dual-Vt技术和SoC的不同电压方案。这些方法通过调整CMOS阈值电压,在确保快速开关的同时,有效控制了漏电流。
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