接口技术 --存储器

1 分类

特点：
SRAM是目前读写最快的存储设备，但制造成本高，通常用于CPU的一级缓存，二级缓存。
DRAM保留数据时间段，速度比SRAM慢，但比任何ROM都要快，计算机的内存就是DRAM的。
DDR SDRAM(Double Data Rate SDRAM)，习惯称DDR，即双倍速率同步动态随机存储器。其在SDRAM的基础上发展而来，SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据，在上升沿传输；而DDR则是一个时钟周期内传输两次数据，能够在上升沿与下降沿各传输一次。根据工作频率的不同，DDR有DDR200、DDR266、DDR333、DDR400、DDR533等。DDR2内存拥有两倍于DDR内存的预读取能力(即4bit数据读预取)，也就是说，DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的数据读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍速度运行。DDR3相比DDR2有更低工作电压，数据预读升级到8bit。
EEPROM(Electrically Erasable Programmable ReadOnly Memory)，电可擦除可编程只读存储器。
Flash存储器，又称闪存，不仅具备EEPROM的性能，又不会断电丢失数据，U盘就是这种存储器。目前主要有两种：Nor Flash和Nand Flash。

	Nor	Nand
接口	RAM-Like	复用I/O
容量	1MB~32MB	16MB~512MB
XIP(代码可直接运行)	Yes	No
性能	擦除	非常慢(5s)
写	慢	快
读	快	快
可靠性	较高，位反转比例小于Nand Flash的10%	较低，位反转较常见，必须要有校验措施
可擦写次数	10000~100000	100000~1000000
易用性	容易	复杂
主要用途	保存代码和关键数据	保存数据
生命周期	低于Nand Flash的10%	是Nor Flash10倍以上

注：
① XIP，即代码可直接运行，无需复制到内存。Nor Flash接口与RAM完全相同，可随机访问任意地址数据，Nor Flash存储程序，Nand Flash存储数据，两者一般同时使用。
② Flash以块为单位，擦除必须以块擦除 -> Nor Flash 块大小64Kb-128Kb；Nand Flash 块大小8-64Kb；这也是擦除慢的原因。
③ Nand Flash 一般以512byte为单位读写，更适合存储数据。
④ EDC/ECC检测/恢复位反转(Linux中已经实现)
⑤ Nor->jiffs2;Nand->yaffs
现代工艺，出现坏块几率不大，手机中一般只使用Nand Flash

2 Nor Flash

2.1 接口

   Nor Flash的接口为RAM-Like，属于内存类接口，故其包含有数据线、地址线、控制信号。Nor Flash可以像内存一样读，但是不能像内存一样写，需要做一些特殊的操作才能进行写操作，读只需像内存一样读很简单。下图为接口示意图：

根据连线图，发现A0接了LADDR1，是由于该款芯片位宽为16位。对于计算机而言，读取数据必然都是8bit的倍数。假设执行：
MOV R0， #3 @去地址为3的内存上
LDRB R1, [R0] @ 从内存为3的地址上，读出一个字节
CPU发出0x00000003地址，经内存控制器，到芯片中接收到A(0) = 1;A(1) = 0;根据内存分布也就是第一个地址空间的第3地址的数据。如下图所示：

简言之，CPU发出的地址到具体的存储芯片中会转化为地址空间，再去取相应地址值。所以在编程中对于16位宽操作需要左移1位。

2.2 规范

（1）jedec
   内核中实现定义了一个数组，通过比较ID，相同则使用
   探测简单，但数组过于庞大
（2）CFI
   直接发送各种命令读取芯片状态(通用)
   进入CFI模式：往55H写入98H

2.3 指令

   Nor Flash的操作需要写入相应的命令，以MX29LV800BBTC为例datasheet中给出了命令参数：

注：
ADI ：读写ID，A1=0,A0=0(manufacturer)；A1=0,A0=1(device)
DDI ：本款芯片ID：C2H(manufacturer)；22DA/DA-top 225B/5B-bottom(device)
PA ：内存地址位
PD ：读取PA的数据

3 Nand Flash