静态随机存储器SRAM面临两大问题挑战

SRAM是可在任何CMOS工艺中“免费获得”的存储器。自CMOS诞生以来，SRAM一直是任何新CMOS工艺的开发和生产制造的技术驱动力。利用最新的所谓的“深度学习领域专用域结构”（DSA），每个芯片上的SRAM数量已达到数百兆位。这导致了两个具体挑战。接下来由专注于代理销售SRAM、SDRAM、MRAM、Flash等存储芯片的宇芯电子介绍关于SRAM两大问题挑战。

第一个挑战是使用FinFET晶体管的最新CMOS技术使单元尺寸的效率越来越低。在图1中可以看到这一点，其中SRAM单元大小是CMOS技术节点的函数。

图1：过去30年中6晶体管SRAM单元尺寸的缩小趋势。一旦FinFET晶体管成为CMOS的基础，请注意减速。

平面到FinFET的过渡对SRAM单元的布局效率有重大影响。使用FinFET逐渐缩小关键节距已导致SRAM单元尺寸的迅速减小。鉴于对更大的片上SRAM容量的需求不断增长，这样做的时机不会更糟。离SRAM将主导DSA处理器大小的局面并不遥远。

第二个挑战是从正电源通过SRAM单元流到地面的泄漏电流。这主要是由于亚阈值晶体管泄漏是指数激活的，这意味着随着芯片温度的升高，泄漏急剧增加。由于它没有做任何有用的工作，因此会浪费能源。尽管通常被称为静态功耗，但这种泄漏也会在SRAM处于活动使用状态时发生，并形成能量浪费的下限。

已经采用了近20年的缓解技术来限制这种影响，最先进的技术是将SRAM电源电压从其工作值降低到所谓的数据保持电压（DRV）。最初此技术可将工作电源电压下的漏电流降低5到10倍。随着技术节点的发展，电源电压不断降低，工作电压和DRV之间的净空缩小了，从而导致使用该技术的漏电流