SRAM是可在任何CMOS工艺中“免费获得”的存储器。自CMOS诞生以来,SRAM一直是任何新CMOS工艺的开发和生产制造的技术驱动力。利用最新的所谓的“深度学习领域专用域结构”(DSA),每个芯片上的SRAM数量已达到数百兆位。这导致了两个具体挑战。接下来由专注于代理销售SRAM、SDRAM、MRAM、Flash等存储芯片的宇芯电子介绍关于SRAM两大问题挑战。
第一个挑战是使用FinFET晶体管的最新CMOS技术使单元尺寸的效率越来越低。在图1中可以看到这一点,其中SRAM单元大小是CMOS技术节点的函数。
图1:过去30年中6晶体管SRAM单元尺寸的缩小趋势。一旦FinFET晶体管成为CMOS的基础,请注意减速。
平面到FinFET的过渡对SRAM单元的布局效率有重大影响。使用FinFET逐渐缩小关键节距已导致SRAM单元尺寸的迅速减小。鉴于对更大的片上SRAM容量的需求不断增长,这样做的时机不会更糟。离SRAM将主导DSA处理器大小的局面并不遥远。
第二个挑战是从正电源通过SRAM单元流到地面的泄漏电流。这主要是由于亚阈值晶体管泄漏是指数激活的,这意味着随着芯片温度的升高,泄漏急剧增加。由于它没有做任何有用的工作,因此会浪费能源。尽管通常被称为静态功耗,但这种泄漏也会在SRAM处于活动使用状态时发生,并形成能量浪费的下限。
已经采用了近20年的缓解技术来限制这种影响,最先进的技术是将SRAM电源电压从其工作值降低到所谓的数据保持电压(DRV)。最初此技术可将工作电源电压下的漏电流降低5到10倍。随着技术节点的发展,电源电压不断降低,工作电压和DRV之间的净空缩小了,从而导致使用该技术的漏电流