基于嵌入式STT-MRAM的架构方案

本文由everspin代理宇芯电子介绍关于新型的芯片架构,将嵌入式磁存储芯片STT-MRAM应用于芯片架构设计中,与传统芯片架构相比较,能够降低芯片漏电流,减少芯片静态功耗，延长手持设备的在线工作时长,降低整体使用成本。

本方案的技术特征在于:
(1) 用兼容SRAM的嵌入式STT-MRAM IP取代传统的SRAM单元。SRAM-like的总线接口信号包括片选CS、写使能WE、读使能RE、输出使能信号OE、复位 RST、时钟CLK、地址线A、数据输入线 DIN和数据输出线DOUT。除了一些串行配置接口之外,基本与SRAMIP的接口保持一致，非常便于SOC的系统集成。

如图1为应用嵌入式STT-MRAM之后的新型芯片架构示意图。

图1基于嵌入式STT-MRAM的新型芯片架构图

(2)嵌入式eMRAM的主要作用在于:取代片上的sram单元，用来保存系统交互数据和作为数据缓存。同时对于拥有TCM (Tightly CoupledMemory)技术的ARM核来说,用一块贴近ARM的MRAM ,可以用来存取指令,提升CPU取指令和执行的速度,进一步提升系统整体的性能。

(3)静态漏电流的显著降低。图2和图3描述了传统的带数据保持功能的Memory ( RetentionMemory)和eMRAM的供电示意。