STT-MRAM存储器具备无限耐久性

在MRAM这类内存写入时，组件的穿隧氧化层会承受的庞大电压，使得数据的保存、写入耐久性，以及写入速度三者往往不可兼得，必须有所权衡。这意味着即使STT MRAM技术已经接近成熟，其受到的限制仍让它无法满足高速RAM应用必须兼具高速写入、无限耐久性，以及可接受的数据保存能力之需求。

STT-MRAM（也称为STT-RAM或有时称为ST-MRAM和ST-RAM）是一种高级类型的MRAM设备。与常规设备相比，STT-MRAM可实现更高的密度、低功耗和更低的成本。STT-MRAM相对于ToggleMRAM的主要优势是能够扩展STT-MRAM芯片以更低的成本实现更高的密度。

STT-MRAM具有成为领先存储技术的潜力，因为它是一种高性能存储器（可以挑战DRAM和SRAM），可以远低于10nm并挑战闪存的低成本。

STT代表自旋转移扭矩。在STT-MRAM设备中，使用自旋极化电流翻转电子的自旋。这种效果是在磁性隧道结(MTJ)或自旋阀中实现的，STT-MRAM器件使用STT隧道结(STT-MTJ)。通过使电流通过薄磁性层来产生自旋极化电流。该电流然后被引导到更薄的磁性层，该磁性层将角动量转移到改变其自旋的薄层。

Everspin的MRAM技术使用自旋扭矩转移特性，即通过极化电流操纵电子的自旋，以建立所需的自由层磁状态，以对存储阵列中的位进行编程或写入。与Toggle MRAM相比，自旋转移扭矩MRAM或STT-MRAM显着降低了开关能量，并且具有高度可扩展性，可实现更高密度的存储器产品。第三代MRAM技术使用垂直MTJ。开发了具有高垂直磁各向异性的材料和垂直MTJ堆栈设计，可提供长数据保留、小单元尺寸、更大密度、高耐久性和低功率。