VH501TC 提供多种振弦传感器激励方法,以最大限度兼容所有厂家和型号的振弦传感器。振弦传感器激励方法参数位于实时数据窗口右侧,共有 5 种方法可选,分别用MODTH0~MODTH4 表示。各方法说明如下:
激励电压数据在屏幕上显示为 xxx/xxx 的形式,其中前面的数字表示实际的激励电压,后面的数字表示激励电压源电压 VSEN。高压脉冲激励和低压扫频激励方法所使用的电源均来自于 VSEN,相对来说,使用比较高的 VSEN 时能得到更好的传感器信号,但有些传感器必须使用比较低的 VSEN 电压才会得到稳定的频率数据。
VH501TC 有两个版本,当需要修改激励方法或者激励电压源时,若设备背面有两个
旋转开关,则直接旋转开关即可;若没有旋转开关时需要用上述操作按键的方法进行参
数修改。激励方法旋转开关的档位含义与上表相同,激励电压旋转开关的档位 0~15 表
示设置 VSEN 为 0~15V(前 5 档固定为 5V)。
注意:建议 VSEN 的电压不要超过 12V,推荐设置为 5~8V。如果 VSEN 电压设置太
高,测量某些小阻值(小于 200 欧姆)传感器时会有传感器或者设备损坏的危险。
在使用过程中,应注意观察显示于屏幕中的振弦信号质量值,针对某类或者某些传
感器,不同的激励方法对信号质量影响会很大,激励方法的切换和使用应以信号质量最
高为选取标准。