电感,磁珠应用中可靠性考虑应避免使用的场合
实例:某设计中,当客户端运行特定数据流量的时候,会突发性的产生大幅度电源波动,并产生故障。
- 在电感的使用中,一般电感作为二阶滤波使用。(一阶滤波为电容)需要注意电感会产生谐振峰。当设计上的频率点和电感上的谐波点重合时,将会产生谐振峰,形成大幅度的电源波动。所以适当时候可以取消二阶滤波。
二极管,MOSFET可靠性问题。
- 二极管的压降取决于负载的变化。
- 二极管,M0SFET可靠性设计:1,元件选型;2,降额;3,冗余;4,检测。
- 二极管和三极管不适合并联使用。这是因为二极管和三极管特性原因,当电流增大时二极管三极管内阻随着温度的增大而增大。
- MOSFET内阻随温度的增大而减小。这就是为什么MOS管可以通大电流的原因。
二极管,肖特基二极管对可靠性存在影响的参数
- 正向压降
- 正向通流能力
- 反向耐压
- 反向漏电流
- 反向恢复时间
PMOS和NMOS如何选型
- NMOS型号多,成本低,速度快。
- PMOS型号少,成本高,速度慢。
- NMOS的D接输入,PMOS的S接输入。(有例外)
- S如果接地,NMOS驱动简单,反之,PMOS驱动简单。
MOSFET选型四个要点
- RdsON
导通属性。导通内阻的大小取决于导通的功耗。可靠性上需要考虑高温环境下的RdsON的值。
- Vgs
- Qg
Qg的值越大边缘越缓(指开关时间的功耗),边缘功率越大。 - 安全工作区
如何考虑Qg和RdsON。
如图是一个BUCK电路框图,设输入电压为10V,输出电压为1V时,占空比为10%。则我们知道Q1更多时候都处在开关过程,Q2更多时候处在关闭过程。所以在选择Q1时更多时候需要考虑Qg,选择Q2时更多时候需要考虑RdsON。
MOSFET的功耗考虑
- 导通损耗和开关损耗
在查看数据手册时,需要看Vds门限随温度变化的曲线图。VGS门限值随温度的增高和降低。 - 在高温环境使用时,由于VGS变小,而G级和S级之间存在寄生电容,电容中有内阻,进而产生压降。当压降达到VGS门限值时,则该MOS管可能持续导通。
MOSFET的可能出现的可靠性问题。
- 当存在并联MOS管时,在刚导通阶段。MOS管是无法平均分配电流,从而导致只有个别MOS管在承担大电流,进而导致MOS管损坏。
保险管的选型
- 保险管的选型需要考虑的是在保险管熔断之前不能使后面芯片损坏。但是电源开启时一般存在尖峰电流,所以在选择保险管电流时需要做到适当降额。一般在1A的电路中,要考虑环境温度对保险管电流的影响。80摄氏度环境下保险管的效率在70%+自身的降额75%则1A的电路中,选择大约2A的保险管是合适的。
- 考虑熔断时间。
- 保险管熔断的话,会有化学物质的飞溅,可能会导致电路中电容,电阻短路。
- 数据手册中的稳态电流是以25°标志的,所以一般选型保险管时,你的工作环境高于25度时, 选择保险管时都要进行降额。
光耦的可靠性计算。
光耦有几个重要曲线图:CTR和IF的曲线图。VCE和IF的曲线图。
- 考虑隔离耐压。
- 首先先确定左边电流工作点:
- 以下曲线图,要看的部分为线性部分,则在0.1-10mA部分看起来比较直的部分。这个是确定电流的工作点。一般在线性区取中点,则为5mA,如果考虑到功耗因素可以在5mA偏下一点。这里取2mA
- 当确定了5mA的工作点之后,则需要看VCE和IF的曲线图。当左边电流为2mA时,对应的IC电流为大约为0.3mA左右。
- 左边电阻R1=45V÷2mA=22.5K,R2=3.3÷0.3mA=11K。(理论值)
- 光耦电流考虑后端能否带的动负载,余量一定要非常大,因为光耦的元器件偏差非常大。随温度的变化差异非常大。
- 一般的隔离方式:磁耦,RF耦,电容耦合。
- 传统光耦频率均小于1M以内。
电容耦合
- 电容耦合没有最高频率,有最低频率。为什么:因为信号经过电容耦合后,线路上会形成寄生电感,和电容形成低通滤波器,则会将低频虑掉。所以一般来说低于100Khz是不要用电容耦合。
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