使用STM32进行flash的读写

最新推荐文章于 2024-05-02 15:43:06 发布
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文章标签： stm32 单片机 arm
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一、创建STM32CUBEMX工程

芯片选择103C8
在这里插入图片描述
配置定时器
警告不管
在这里插入图片描述
打开外部时钟
在这里插入图片描述
配置时钟
在这里插入图片描述
将PC13设置为output
在这里插入图片描述
设置堆栈大小为4k，生成文件
在这里插入图片描述

二、keil5中的配置

将flash.c和flash.h添加到工程中
添加flash.c的时候选第二行
在这里插入图片描述
在main.c中添加flash.h
在这里插入图片描述
在main.c中分别添加如下代码

uint8_t FlashWBuff [255];
uint8_t FlashRBuff [255];

uint8_t i;
	uint8_t FlashTest[] = "Hello This is ZhangShiSan Flash Test DEMO";

在这里插入图片描述
在这里插入图片描述
点开魔法棒
在这里插入图片描述
在这里插入图片描述
将程序下载到硬件中
在这里插入图片描述
进入dubug
在这里插入图片描述
在view下打开memory1窗口
在这里插入图片描述
打开watch1窗口
在这里插入图片描述
开启变量自动更新Periodic Windows Update
在这里插入图片描述
将变量FlashWBuff 和 FlashRBuff加入到 Watch1
在这里插入图片描述
在memory1中输入要观察的地址0x800c000
在这里插入图片描述
运行程序，可以看到数组FlashRBuff中内容与数组FlashWBuff中内容一样
在这里插入图片描述
定义好的句子写到了地址0x0800c000中了
在这里插入图片描述

三、参考

https://blog.csdn.net/m0_58414679/article/details/122220799?spm=1001.2014.3001.5501
https://blog.csdn.net/weixin_52288941/article/details/122147152?spm=1001.2014.3001.5501

汤瓢
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STM32之flash的读写
heitui__的博客
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一、创建STM32CUBEMX工程 配置定时器 打开外部时钟 配置时钟 配置PC13为output对应板子上的LED 二、KEIL下的配置 将flash.c 和flash.h添加到工程中 添加代码 #include "flash.h" uint8_t FlashWBuff [255]; uint8_t FlashRBuff [255]; uint8_t i; uint8_t FlashTest[] = “Hello This is ZhangShiSan Flash Test DEMO
mdk(keil)怎么查看整个工程占用FLASH及SRAM大小
shijizai的博客
12-18 1171
mdk(keil)怎么查看整个工程 占用FLASH及SRAM大小，共总结了两种方法
STM32 Flash
qq_68719489的博客
05-02 1204
STM32F1系列的FLASH包含程序存储器、系统存储器和选项字节三个部分，通过闪存存储器接口（外设）可以对程序存储器和选项字节进行闪存存储器，可以在通用地址空间直接寻址，即可读写FLASH的用途：（1）利用程序存储器的剩余空间来（2）通过在程序中编程（IAP），闪存存储器可以用ICP或IAP方式编程：ICP方式用于更新闪存存储器的全部内容，它通过JTAG、 SWD协议或系统加载程序(Bootloader)下载用户应用程序到微控制器中。IAP。
关于keil的进阶操作.烧录、flash回读、sct文件
time_grid的博客
09-18 2220
keil进阶。
STM32—Flash读写详解
zhuxinmingde的博客
07-28 5608
本文主要介绍STM32多种的内部Flash读写方式和读写长文件的功能函数怎样编写。阅读完本文可以使你能够正常的完成Flash读写操作。不同型号的 STM32，其 FLASH 容量也有所不同，最小的只有 16K 字节，最大的则达到了1024K 字节。STM32 的闪存模块由：主存储器、信息块和闪存存储器接口寄存器等 3 部分组成。主存储器：该部分用来存放代码和数据常数（如 const 类型的数据）。对于大容量产品，其被划分为 256 页，每页 2K 字节。注意，小容量和中容量产品则每页只有 1K 字节。
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最近选型使用STM32G030这款芯片，由于做的功能需要频繁读写flash，最开始没有注意到芯片的擦写次数是1000次，为了确保功能实现，只能是每次写入flash时判断当前页是否写满，写满才擦除重新开始写；每次需要写入flash...
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本文主要介绍STM32多种的内部Flash读写方式和读写长文件的功能函数怎样编写。阅读完本文可以使你能够正常的完成Flash读写操作。介绍 STM32 FLASH 闪存的编程和擦除 Flash读写的标准库函数 软件设计 FLASH的读取 直接读取某一地址的内容 读取选定位置的选定大小的内容 FLASH的写入 直接使用标准库写入 写入选定位置的选定大小的内容 如何在Keil 5中查看Flash某地址的内容...
STM32读写内部Flash（介绍+附代码）
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对于STM32G070微控制器，您可以使用它的FLASH存储器进行读写操作。以下是一个简单的示例代码，用于在STM32G070上进行FLASH读写操作。 首先，您需要包含适当的头文件和定义相关的宏： ```c #include "stm32g0xx_hal.h" #define FLASH_START_ADDR 0x08000000 // Flash起始地址 #define FLASH_PAGE_SIZE 2048 // Flash页大小 ``` 然后，您可以编写两个函数来执行读写操作。一个是用于从FLASH中读取数据的函数，另一个是用于将数据写入FLASH的函数： ```c // 从FLASH中读取数据 void readFromFlash(uint32_t address, uint32_t *data, uint32_t count) { for (uint32_t i = 0; i < count; i++) { data[i] = *(volatile uint32_t *)(address + (4 * i)); } } // 将数据写入FLASH HAL_StatusTypeDef writeToFlash(uint32_t address, uint32_t *data, uint32_t count) { FLASH_EraseInitTypeDef eraseInitStruct; uint32_t PageError = 0; // 解锁FLASH HAL_FLASH_Unlock(); // 擦除指定地址的FLASH页 eraseInitStruct.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES; eraseInitStruct.PageAddress = address; eraseInitStruct.NbPages = 1; if (HAL_FLASHEx_Erase(&eraseInitStruct, &PageError) != HAL_OK) { return HAL_ERROR; } // 写入数据到FLASH for (uint32_t i = 0; i < count; i++) { if (HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD, address + (4 * i), data[i]) != HAL_OK) { return HAL_ERROR; } } // 锁定FLASH HAL_FLASH_Lock(); return HAL_OK; } ``` 请注意，这只是一个简单的示例代码，并且没有包含错误处理和其他边界条件。在实际使用中，您可能需要添加适当的错误处理和边界检查。 希望这能帮助到您开始在STM32G070上进行FLASH读写操作。如有任何进一步的问题，请随时提问！

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