实例分享：MS castep的电子性质计算分析经验（免费、新手向），2

 电子性质的分析方法

能带结构（Band Structure）

态密度（Density of State，DOS）

电荷密度（Electron density）

布居分布（Population Analysis）

自旋电荷密度、自旋布居分布

采用MS castep模块，对能带结构（Band Structure）、态密度（Density of State，DOS）、电荷密度（Electron density）、布居分布（Population Analysis）等电子性质进行计算并分析。

如果本科毕业设计涉及MS castep的电子性质计算分析，本文或许可以有帮助。

能带结构（Band Structure）

作用：可以判断材料类型、带隙类型、禁带宽度。注意：MS把费米能级设置在价带顶，并置零。

材料类型：根据禁带宽度可分类为导体、半导体、绝缘体：

0eV：金属/导体；

(0，0.5eV）：超窄禁带半导体；

(0.5-2.2eV)：窄禁带半导体；

(2.3-3.5eV)：宽禁带半导体；

(4,6eV)：超宽禁带半导体；

＞6eV：绝缘体。

带隙类型：能带结构图直观地显示了布里渊区沿着高对称方向电子能量与K矢量之间的关系。能带图Y轴表示电子具有的能量，X轴表示波矢K。费米能级以下的称为价带（valence band，VB），价带能量最高的地方称为价带顶（VBM，valance band maximum）;费米能级以上的称为导带（conduction band，CB），导带能量最低的地方称为导带底（CBM，conduction band minimum）；CBM和VBM之间的宽度称为带隙，一般用Eg表示；如果CBM和VBM在同一波矢方向，则该材料是直接带隙半导体；如果不在同一波矢方向，则是间接带隙半导体。

禁带宽度：Eg=Ec-Ev。

例如：某材料能带图以及带隙附近能带图：

发现：禁带宽度为0.523eV，为窄禁带半导体，间接带隙