半导体物理 第四章 半导体中杂质和缺陷能级

硅、锗晶体中的杂质能级

替位式杂质和间隙式杂质

杂质分为替位式杂质和间隙式杂质。

施主杂质、施主能级、受主杂质、受主能级

施主杂质：P在Si中成为替位式杂质，可以电离成为正电中心，在导带形成一个电子。多余价电子的能级称为施主能级。

受主杂质：B在Si中成为替位式杂质，可以电离成为负电中心，在价带形成一个空穴。空位上电子的能级称为受主能级。

类氢模型杂质浅能级电离能

用有效质量替代电子质量，用介电常数代替真空介电常数。

玻尔半径：

杂质的补偿作用

深能级杂质

深能级杂质的能级离带边较远，可以有多种带电状态，因此可以有多重能级。

对于载流子浓度影响较小，但是可以增强载流子复合，降低非平衡载流子的寿命。

Ⅲ-Ⅴ族化合物中的杂质能级

GaAs中的杂质

GaAs是闪锌矿结构，和金刚石类似。

Si既可以成为施主，也可以成为受主（两性杂质），首先倾向成为施主，逐渐小部分成为受主。

缺陷-位错能级

点缺陷

1. 杂质原子（替位式、间隙式）
2. 热缺陷（弗兰克尔缺陷、肖特基缺陷）

对弗兰克尔缺陷：空位-间隙成对出现；对肖特基缺陷：只有空位（一般空位比间隙原子多得多）。

对于空位，有不饱和键，倾向于接收电子，成为受主；对于间隙，有多余的价电子，可以成为施主。

对于GaAs来说，也会因为化学计量配比不均衡而形成空位。

线缺陷-位错

刃位错和螺位错，可以成为施主或受主。