半导体物理 第八章 p-n结

平衡p-n结特性

pn结的形成及杂质分布

合金法形成突变结，扩散法形成线性缓变结。

空间电荷区

载流子浓度梯度，导致扩散，破坏电中性，产生自建电场，从而产生漂移电流，达成动态平衡，最终是净零电流。

平衡pn结能带图

平衡态中，费米能级一定保持水平（没有电流存在）。

pn结接触电势差

等于能带弯曲的量，数值上等于各自单独费米能级的差值。

pn结的平衡载流子分布

平衡载流子分布遵循费米狄拉克分布，对电子而言观察费米能级距离导带底的距离。

p-n结电流电压特性

pn结中的电场和电势分布

对突变结，以xj为原点，电场和空间电荷区分布如图。

电势分布对电场积分，是两段二次函数。

对线性缓变结，电场是二次函数，电势是三次函数。

非平衡pn结的能带图

正向偏压减少势垒。对空穴来说，在p区是漂移电流，到n区后成为少子，变成扩散电流并慢慢减小（与电子复合，电子漂移电流增加，因为空穴减少复合率低）。

pn结电流电压特性

非平衡pn结的能带图和载流子密度。空穴准费米能级水平穿过耗尽区，在扩散区内慢慢和电子费米能级重合。在反向偏压下，少子在扩散区内被抽取，到耗尽区边缘几乎是零，扩散电流几乎不变，所以存在反向饱和电流。

理想pn结的J-V关系

忽略势垒区的产生和复合，计算空穴在n区耗尽层边界的扩散电流和电子在p区耗尽层边界的扩散电流。

理想pn结关系的特性

1. 强烈依赖温度
2. 整流特性

理想pn结J-V关系的修正

实际的正向曲线中，电压较小时，势垒区的复合电流起主要作用，m=2；电压较大时，扩散电流起主要作用，m=1；大注入时，（少子浓度可以与多子浓度相比，少子吸引多子，而多子也要顺着少子扩散的方向扩散，于是破坏了电中性条件，产生了一个内建电场，这个电场正好抵消了多子的扩散电流，但这个内建电场会使少子的运动加速，于是有一部分正向电压降落在了少子扩散区，因此等效电压分配会小，电流增大变慢），m=2。

实际的反向曲线中，要计入耗尽区中的产生电流。

p-n结电容

势垒电容

由于所加偏压不同，耗尽区宽度改变，导致耗尽区所带电荷量变化，这个是势垒电容。

扩散电容

在正向偏压下，非平衡少数载流子在耗尽区两侧的扩散区形成的电容就是扩散电容。

大的正向偏压下，扩散电容为主。

p-n结的击穿

雪崩击穿

雪崩击穿电压具有正的温度系数，温度越高，越难发生雪崩击穿。

齐纳击穿（隧道击穿）

齐纳击穿电压具有负的温度系数，温度越高，禁带宽度越小，隧穿几率越大，越容易发生齐纳击穿。

一般对于重掺杂pn结，如果击穿电压小，发生的就是齐纳击穿；如果击穿电压大，发生的就是雪崩击穿。

p-n结隧道效应

简并pn结的能带图

简并pn结中，p区价带电子能通过隧道效应进入n区。

Esaki二极管

简并半导体pn结，正向偏压有一段弯曲（负阻现象）。因为隧穿效应的目的地进入了禁带。