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RSS订阅原创 2. C++数据类型
静态转换是将一种数据类型的值强制转换为另一种数据类型的值，常用在比较相似的类型之间的转换，例如float和int之间的转换。类型转换是将一个数据类型的值转换为另一种数据类型的值。C++有四种类型转换：静态转换、动态转换、常量转换和重新解释转换。常量转换用于将const类型的对象转换为非const类型的对象，它只能转换掉const属性，不能改变对象的类型。重新解释转换将一个数据类型的值重新解释为另一个数据类型的值，通常用于在不同的数据类型之间进行转换。静态转换不进行任何运行时类型检查，可能导致运行时错误。
2025-04-15 20:32:58
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原创 思源笔记云使用
思源笔记的订阅分为普通订阅和年付订阅，普通订阅可以使用云服务，但是不能使用思源官方提供的云服务，年付订阅较贵，而且每年都需要重复订阅，但是比较方便，可以直接同步，不用个人进行配置。在启用云端同步之前需要设置仓库密码，这个密码在思源笔记初始化之后会对接到云端，所以在所有设备的思源笔记上都要使用相同的密码，并且最好不要重新设置，否则会导致一些难以言明的bug。创建七牛云账号，绑定微信，进行实名认证，然后在产品中选择对象存储Kudo，然后新建存储空间。云端存储服务提供商选择S3。订阅之后，打开设置。
2025-04-14 19:34:18
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原创 1. C++基本语法
在C++中，空格用于描述空白符、制表符、换行符和注释。空格分隔语句的各个部分，让编译器能识别语句中的某个元素。注释是程序的解释性语句，在编译时会被程序忽略，C++包括单行注释和多行注释。C++标识符是用来标识变量、函数、类、模块，或任何其他用户自定义项目的名称。一个合法的标识符由字母（大小写敏感）、数字和下划线组成，且不能以数字开头。C++的语句以分号结束，空格并不分割语句，只分割语句中的元素。语句块是一组使用大括号括起来的按逻辑连接的语句，例如。保留字不能作为常量名、变量名或其他标识符名称。
2025-04-14 13:19:20
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原创 MacOS的命令行工具
shell 单词的本意是“壳子”，在计算机领域一样可以理解为机器外面的一层壳，只要是人与电脑之间交互的接口，就可以称为shell，终端则是接口的窗口。shell目的是进行用于人机交互，它实际上是一个程序，本质上是命令解释器。它可以解释shell脚本（使用shell语言编写的命令）。在MacOS上常用的shell由两种：zsh和bash。zsh基本上能兼容所有的bash命令。shell启动的时候会自动执行配置文件，例如对于zsh，启动时会执行。或者也可以在终端.app的设置中切换。
2025-04-11 20:10:58
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原创 0. C++简介
C++ 是一种静态类型的、编译式的、通用的、大小写敏感的、不规则的编程语言，支持过程化编程、面向对象编程和泛型编程。（使用静态类型的编程语言是在编译时执行类型检查，而不是在运行时执行类型检查。C++ 是由 Bjarne Stroustrup 于 1979 年在新泽西州美利山贝尔实验室开始设计开发的。C++ 进一步扩充和完善了 C 语言，最初命名为带类的C，后来在 1983 年更名为 C++。C++是C的一个超集，任何合法的C程序都是合法的C++程序。
2025-04-11 19:02:49
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原创 半导体物理 第十章 半导体表面与MIS结构
半导体表面电容和表面电荷变化有关，变化越快，电容越大（微分电容），电容由大变小再变大，最小值在弱反型中间，因为要从耗尽区的电荷缓慢增长变为强反型的快速增长。到了强反型后，由于电子会随着外加电场的增大而迅速增大，外加电场被反型层中积累的电子所屏蔽，耗尽区宽度达到最大。高频情况：反型层中电子的变化跟不上高频信号的变化，但同时耗尽层也处于最大厚度，因此电荷并不随电压显著变化。深耗尽状态时是外加电压突然增大时，空间电荷层的载流子跟不上外加电压的变化，还是由耗尽区的受主提供电荷。易受损伤，氧化，玷污；
2025-03-24 22:01:00
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原创 半导体物理 第九章 金半接触
肖特基接触：金属的费米能级低于半导体的费米能级，接触后半导体的费米能级下移与金属相同，同时导带底也下移，但是由于载流子的运动使得半导体靠近金属一侧的表面能带向上弯曲，大小等于费米能级的偏移，因此在金属-半导体表面形成一个势垒，金属侧的势垒是垂直的，半导体侧的势垒是弯曲的且大小小于金属侧的势垒，这样的接触是肖特基接触，在表面有比较客观的电势变化，势垒称为肖特基势垒。若金属费米能级高于半导体，就会形成欧姆接触，此时半导体与金属接触的一侧会进入简并态，并不存在势垒。以上被电子填充时，表面带负电，呈现受主型。
2025-03-24 21:09:12
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原创 半导体物理 重要物理图像
μ实际上就是费米能级，它是T的函数，在一定的温度和掺杂浓度下是固定的，而e指数分母上还有一个T，从而导致了曲线的变化，而实际上随着T的变化费米能级μ同样也在变化，不同颜色的曲线实际上中心并不相同。
2025-03-24 21:08:31
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原创 半导体物理 第八章 p-n结
大注入时，（少子浓度可以与多子浓度相比，少子吸引多子，而多子也要顺着少子扩散的方向扩散，于是破坏了电中性条件，产生了一个内建电场，这个电场正好抵消了多子的扩散电流，但这个内建电场会使少子的运动加速，于是有一部分正向电压降落在了少子扩散区，因此等效电压分配会小，电流增大变慢），m=2。对空穴来说，在p区是漂移电流，到n区后成为少子，变成扩散电流并慢慢减小（与电子复合，电子漂移电流增加，因为空穴减少复合率低）。载流子浓度梯度，导致扩散，破坏电中性，产生自建电场，从而产生漂移电流，达成动态平衡，最终是净零电流。
2025-03-24 16:31:17
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原创 半导体物理 第七章 非平衡载流子
丹倍效应：由于电子和空穴扩散速度不同，在光照一侧产生的非平衡载流子中电子扩散速度快，会在光照表面带正电，形成漂移电流，与电子扩散电流和空穴扩散电流相抵消。非平衡载流子寿命和非平衡载流子浓度和复合率的关系如下，在小注入时几乎为一常数，大注入时随非平衡载流子浓度下降。r是电子空穴复合几率，只和温度有关。内建电场产生的漂移电流等效为降低电子扩散，加速空穴扩散，产生了双极扩散系数，小于电子扩散系数，大于空穴扩散系数。电子俘获系数远大于空穴俘获系数，所以，陷阱俘获电子后很难俘获空穴，因此被俘获的电子会重新回到导带。
2025-03-21 17:12:03
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原创 半导体物理 第六章 半导体中载流子的输运
式中A项是声学波散射，B项是电离杂质散射。AB段：温度较小，温度增大时，杂质电离增大，本征激发忽略（载流子数量增大），电离杂质散射减小，晶格振动散射忽略（迁移率增大）。BC段：温度中等，电离杂质完全电离，本征激发次要（载流子数量不变），电离杂质散射次要，晶格振动散射增大（迁移率减小）。CD段：温度高，电离杂质电离次要，本征激发增大（载流子数量增大），电离杂质散射次要，晶格振动散射次要（迁移率不变）。具有单能谷的半导体，对电子起散射作用的主要是长波，即q=0附近的波，靠近中间的是纵波，两边是横波。
2025-03-21 11:48:45
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原创 半导体物理 第五章 半导体载流子的平衡态统计分布
状态密度：单位能量间隔内的状态数目。能量变化导致k状态变化，然后导致k空间体积的变化（即等能面的扩张或收缩），进而导致状态数的变化。状态密度与能量呈抛物线关系。有效质量越大，状态密度也就越大。仅适用于能带极值附近。对于实际的半导体来说，硅的导带有六个相同的椭球型等能面，锗有四个（八个半椭球），因此要给状态密度乘相应的倍数，因此定义了电子状态密度有效质量。
2025-03-20 22:47:30
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原创 半导体物理 第四章 半导体中杂质和缺陷能级
施主杂质：P在Si中成为替位式杂质，可以电离成为正电中心，在导带形成一个电子。受主杂质：B在Si中成为替位式杂质，可以电离成为负电中心，在价带形成一个空穴。对于空位，有不饱和键，倾向于接收电子，成为受主；对于间隙，有多余的价电子，可以成为施主。Si既可以成为施主，也可以成为受主（两性杂质），首先倾向成为施主，逐渐小部分成为受主。对于载流子浓度影响较小，但是可以增强载流子复合，降低非平衡载流子的寿命。深能级杂质的能级离带边较远，可以有多种带电状态，因此可以有多重能级。刃位错和螺位错，可以成为施主或受主。
2025-03-20 17:35:06
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原创 半导体物理 第三章 半导体中的电子状态
电子有效质量：通过E-k关系，在价带顶或者导带底对色散关系进行二阶泰勒展开，对比质量和动量的关系，可以得到电子的有效质量。价带顶电子有效质量为负值，导带底电子有效质量为正值。对给定半导体，电子有效质量是定值，但只在价带顶或者导带底附近有效。
2025-03-20 17:03:30
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空空如也
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