电子工程师入门-02二极管详解

最新推荐文章于 2025-04-24 12:41:53 发布

RollTao

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以下内容均作为个人学习时遇到问题的学习历程，记在这里也是希望自己能常回顾。另外，文章出现的图片有些是个人手绘不太标准。

一，初始半导体

1.1本征半导体

本征半导体（Intrinsic Semiconductor） 是指纯净的半导体材料，没有掺杂任何类型的杂质（如施主或受主杂质），在本征半导体中，电导性完全由其自身的固有性质决定，常见的本征半导体材料包括硅（Si）和锗（Ge，原子结构中，最外层电子通常在价带中，为了使半导体具备导电性，价带中的电子需要获得足够的能量跃迁到导带中，这种跃迁是温度或外界激发（如光照、电场）引起的，在本征半导体中，价带和导带之间存在一个禁带（带隙），通常在常温下，电子需要克服这个禁带才能从价带跃迁到导带，在本征半导体中，导带中的电子数目等于价带中的空穴数目（空穴是价带中的电子离开后留下的正电荷），因此，本征半导体的载流子浓度是热激发产生的电子和空穴对的数量。电子和空穴的浓度在常温下是相等的，这个浓度通常比较低，因此本征半导体在常温下的导电性相对较差。由此在本征半导体中添加少量的杂质元素，就可以得到杂志半导体。

1.2N型半导体

N型半导体是通过在本征半导体中掺杂少量施主杂质（Donor Impurity）而形成的半导体类型。在N型半导体中，导电主要依赖自由电子，这些自由电子是由施主杂质提供的，因此得名"N型"（Negative，负载流子主导），在本征半导体（如硅或锗）中加入五价杂质原子，例如磷（P）、砷（As）或锑（Sb），这些杂质原子的外层有5个价电子，替代半导体晶体中的部分原子时，多出的一个电子无法形成共价键，变成自由电子。对于N型半导体来说多数载流子是自由电子，少数载流子是空穴（正载流子），其浓度远低于自由电子。

1.3P型半导体

P型半导体是通过在本征半导体中掺入少量受主杂质（Acceptor Impurity）而形成的半导体类型。在P型半导体中，导电主要依赖于空穴（正载流子），这些空穴是由于受主杂质的引入而产生的，因此得名"P型"（Positive，正载流子主导），在本征半导体（如硅或锗）中加入三价杂质原子，如硼（B）、铝（Al）、镓（Ga）或铟（In），这些杂质原子有3个价电子，当它们替代半导体晶体中的一部分原子时，会缺少一个电子形成共价键，导致出现一个电子空缺，这个空缺称为空穴，三价杂质被称为受主杂质，因为它们能够接受一个电子以填补其价键空缺，在能带图中，受主能级位于禁带靠近价带的一侧（靠近价带顶部），这些能级易于从价带中吸引电子，从而形成空穴。对于P型半导体来说多数载流子是空穴（正载流子），少数载流子是自由电子（负载流子），但其浓度远低于空穴。

以上介绍二极管的两个极构成，同时我们知道，失去电子显正电，这一点我们后面分析将常常使用。

1.3PN结

PN结是半导体器件的核心结构，是通过将P型半导体和N型半导体紧密接触形成的。在PN结中，由于P区和N区的载流子浓度差异，发生扩散和漂移现象，从而形成一个独特的电荷分布和电场，赋予PN结许多关键的电气特性。

1.3.1PN结的形成

物质总是从浓度高的地方向浓度低的地方运动，这种由于浓度差引起的运动我们称为扩散运动。

当把P型半导体和N型半导体结合时候，由于两者的多数粒子浓度不同开始进行扩散运动，P区的空穴向N区移动，N区的自由电子向P区运动，空穴带正电，自由电子带负电，异性相吸，两者复合，所以在交界面附近多子的浓度下降，P区出现负离子区，N区出现正离子区，内电场构建起来，随着扩散运动进行，空间电荷区加宽，内电场增强，方向N->P，形成PN结，也叫耗尽层，其宽度由掺杂浓度决定，掺杂浓度高时，耗尽层窄；掺杂浓度低时，耗尽层宽。由于内建电场的存在，形成一个势垒电压，阻止多数载流子进一步扩散，这个电压就是我们常说的导通电压，硅的PN结势垒电压约为0.7V，锗的PN结势垒电压约为0.3V。另外在电场力的作用下，少子发生漂移运动。

1.3.2PN结的电流特性

PN结的电流特性由外加电压决定，主要表现为以下两种工作状态：(1) 正向偏置（Forward Bias）：外加电压使P区接正极，N区接负极，外加电场抵消内建电场，势垒降低，多数载流子可以跨过PN结，形成正向电流，随着外加电压增大，正向电流呈指数增加。(2) 反向偏置（Reverse Bias）：外加电压使P区接负极，N区接正极，外加电场增强了内建电场，势垒增大，多数载流子难以跨过PN结，几乎没有电流，而少数载流子因漂移运动形成极小的反向饱和电流。

1.3.3PN结的伏安特性曲线

伏安特性：PN结的电流随电压变化呈非线性关系，正向偏置：正向电流迅速增大，表现为指数关系；反向偏置：反向电流非常小，接近饱和，直到击穿（这里击穿有两种形式，齐纳击穿（低电压下）和雪崩击穿（高电压下），笔者目前使用暂未对此参数有详细的学习，这里就不展开）。

1.3.4PN结的电容效应

1.3.4.1 势垒电容

势垒电容也称为空间电荷电容，是由于PN结的耗尽层在外加电场作用下宽度发生变化所引起的电荷存储现象。类似于一个平行板电容器，耗尽层两侧的正、负固定离子形成“电极”，耗尽层宽度充当“介质”。其特性当反向偏置时反向电压增大，耗尽层宽度 W增加，结电容 Cj 减小；当正向偏置时正向电压增大，耗尽层宽度W 减小，结电容 Cj 增大。利用该特性可以制成各种变容二极管。在PLL（锁相环）电路中，用变容二极管实现频率合成。

1.3.4.2扩散电容

扩散电容是由于PN结在正向偏置下，多数载流子注入对方区域并暂时储存而引起的电荷存储效应。它与多数载流子的扩散和存储有关，仅在正向偏置下显著。当正向偏置时，正向电压增大时，多数载流子注入增加，扩散电容增大。其特性当反向偏置时，几乎无多数载流子注入，因此扩散电容可以忽略。扩散电容主要影响高速开关电路，例如晶体管的开关速度。

因此PN结的结电容是Cb + Cd之和。这两者一般非常小（结面积小的1PF左右，大的几十至几百皮法），对于低频信号呈现出很大的容抗，其作用可忽略不计，因而主要在高频时才考虑其作用，但是作为电子工程师是应当知道其存在的。