电子工程师细节问题-关于增强型NMOS管两问

最新推荐文章于 2025-05-11 08:34:56 发布

RollTao

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文章标签：嵌入式硬件硬件工程社交电子

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以下内容均作为个人学习时遇到问题的学习历程，记在这里也是希望自己能常回顾。另外，文章出现的图片有些是个人手绘不太标准。

问题1：对于增强型NMOS管，如果GS电压大于GS开启电压，且是一个定值，此时如果持续增加DS间的电压，mos管会有怎样的变化？

答：

在增强型NMOS管中，当 VGS 保持在一个固定值且大于开启电压（阈值电压 Vth）时，随着 VDSV的不断增大，器件的工作状态会经历以下几个阶段：

线性（欧姆）区：
- 当 VDS较小（通常满足 VDS<VGS−Vth）时，NMOS管的沟道从源极到漏极均已形成。
- 此时，漏极电流近似满足线性关系：
- 电流随 VDSV_{DS} 线性上升，器件表现为一个可变电阻。
饱和区：
- 当 VDS增加到接近 VGS−Vth时，靠近漏极处的沟道开始钳制（即通道在漏极端“收缩”），器件进入饱和区。
- 理想情况下，在饱和区内，漏极电流主要由 VGS控制，而对 VDS的依赖很弱，公式为：
- 实际上，由于沟道长度调制（Channel Length Modulation）的影响，随着 VDS 的进一步增加，饱和区内的漏电流会有轻微的上升，可以修正为：其中 λ是沟道长度调制系数。
极限与击穿现象：
- 如果继续增大 VDSV_{DS} 并远超过饱和条件下的电压，器件内部特别是在漏区会产生非常高的电场。
- 当电场超过器件材料的承受能力时，就可能引起雪崩击穿或其他击穿机制，此时器件会突然导通大量电流，并有可能损坏。
- 这种击穿现象通常在设计中应避免出现，通过控制 VDS 在安全范围内工作来保护器件。

总结：

在固定 VGS（且 VGS>VthV）的情况下，随着 VDS的增加，NMOS管先从线性区进入饱和区。
在线性区内，电流随 VDS近似线性增长；进入饱和区后，电流基本由 VGS−Vth决定，仅因沟道长度调制而有微小上升。
如果 VDS 继续增大到超过器件的设计极限，则可能引发击穿现象，导致器件损坏。

问题2：DS电压是一个定值，GS电压持续增加，mos管的变化

答：

1. VGS<Vth —— 关断状态

当栅源电压低于阈值电压 Vth 时，沟道未形成，器件处于关断状态，几乎没有漏极电流流过。

2. VGS刚超过 Vth —— 初始导通 & 饱和区

开始导通： 一旦 VGS稍微大于 Vth（即 VGS=Vth+ΔV，其中 ΔV很小），沟道开始在源极处形成。但由于此时 VGS−Vth非常小，而 VDS是一个固定且相对较高的值，通常满足： VDS>VGS−Vth
工作区域： 根据MOSFET的工作区划分条件，若 VDS>VGS−Vth，器件处于饱和区（也称为活性区），即使 VDS值固定，漏极电流主要受 VGS−Vth控制。
漏极电流： 在理想模型中（不考虑沟道长度调制），饱和区电流近似为：因此在这个阶段，随着 VGS增加，ID会大致按二次函数关系增加。

3. 进一步增大 VGS—— 由饱和区转入三极管（线性）区

转变条件： 当 VGS持续升高，直到满足： VGS−Vth>VDS此时，整个沟道都被充分增强，且不再出现漏极端的钳位现象。也就是说，当 VGS>Vth+VDS器件就会进入三极管区（或称为线性区）。
三极管区特性： 在三极管区，MOSFET的漏极电流可以写成：此时，对于固定的 VDS，ID随着 VGS的增加近似呈线性增长，并且器件表现为一个可变电阻，其导通电阻 Ron 大致为：因此，随着 VGS增加，沟道电导提高，Ron减小。

4. 总结

从关断到导通： 当 VGS从低于 Vth增加到刚刚超过 Vth 时，器件开始导通，但由于 VGS−Vth很小且 VDS固定较高，工作在饱和区，此时漏极电流随 VGS 的增加呈二次关系上升。
由饱和区转入线性区： 当 VGS继续增大并满足 VGS>Vth+VDS 后，整个沟道被充分增强，器件进入线性区（欧姆区），此时器件表现为一个低阻值的开关，漏极电流随 VGS变化的增幅变得接近线性。
实际效果： 固定 VDS 的情况下，增加 VGS将使得MOS管的导通性能不断增强：漏极电流增大、导通电阻减小，最终使器件表现得更加“饱满”（即低阻通路）。

需要注意的是，实际器件中还可能会受到次级效应（如沟道长度调制、高场效应等）的影响，但总体趋势如上所述。

结论：
在固定 VDS的条件下，随着 VGS的持续增加，增强型NMOS管会从完全关断进入饱和区（初期导通时电流按 (V_{GS}-V_{th})^2 增加），并在 VGS足够高时转入线性区（导通电阻降低、漏极电流线性增加）。当 VGS足够大、超过了MOS管所允许的最大额定值时，会引起栅氧化层的击穿，从而导致器件损坏。因此，在设计和使用过程中必须严格控制栅极电压，确保其不超过规格书中规定的最大值。