电子工程师入门-07MOS管相关知识（上）

以下内容均作为个人学习时遇到问题的学习历程，记在这里也是希望自己能常回顾。另外，文章出现的图片有些是个人手绘不太标准。

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一，结型场效应管（JFET）

1.1 JFET的初识

结型场效应管又有N沟道和P沟道两种类型。两个高掺杂的P区引出的电极为栅极G，两个N区引出的电极分别是源极S和漏极D。

1.2 JEFT的工作原理

根据N沟道的场效应管示意图，为了使其正常工作，给GS之间加上负向电压，即 <0，保证耗尽层承受反向电压。在漏极与源极之间加上正向电压，以形成漏极电流。

1.当V(即 d、s短路)时，对导电沟道的控制作用：

当 = 0V且时候，耗尽层很窄，导电沟道宽。当增大的时候，耗尽层加宽，沟道变窄，沟道电阻增大。当增大到一定的数值，耗尽层闭合，沟道消失，此时的的值为夹断电压。

2，当 在  ~ 0 V中的值，对漏极电流的影响：

当 = 0V，ds间的电压为0，多子不会定向移动，漏电流为0，当 > 0V 的时，则有电流从漏极流向源极，从而使沟道中各点与栅极间的电压不再相等，而是沿沟道从源极到漏极逐渐增大，造成靠近漏极一边的耗尽层比靠近源极一边的宽。换言之，靠近漏极一边的导电沟道比靠近源极一边的窄。因为栅 - 漏的电压为，当逐渐增大，定值，使减小，靠近漏极的导电沟道将变窄。

3当 < ,对的控制作用：

1.3 JEFT的特性曲线

场效应管有三个工作区域：

1：可变电阻区（也称非饱和区），图中虚线为预夹断轨迹，愈大，预夹断的值愈大。当确定时，直线的斜率就确定，为d-s间的等效电阻的倒数，在此区域可以通过改变的大小来改变漏源等效电阻的阻值。

2：恒流区（也称饱和区），当 < 的时候，当增大，只是略有增大。因而可将近似为电压控制的电流源。

3：夹断区，当 <  时，导电沟道被夹断，  0。

4：击穿区，当增大到一定程度的时候，漏电流会急剧增大，管子将被击穿。这种击穿是因为栅极漏极耗尽层破坏引起的。栅源击穿电压为。

二，数据手册分析

这里选择型号为2SK209-GR的N沟道的结型场效应管分析。

该参数指出了该管子的跨导。表示 栅源电压对漏极电流的控制能力。在典型条件下（.typ）测试，表示：当栅源电压变化 1 V 时，漏极电流会变化 15 mA，并且是在VDS为10V，VGS为0V测得。

**跨导：

1，放大能力：跨导越高，栅源电压对漏极电流的控制能力越强，放大器的电压增益也越高。

2，线性度：跨导的线性范围影响放大器的失真特性。

3，动态响应：跨导与JFET的开关速度和频率响应相关。

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表示高击穿电压。

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有好的低噪声系数。

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IGSS :表示当 栅-源极电压 VGS 施加一个反向偏压（通常是 VGS = 负值） 时，栅极的漏电流大小。对于结型场效应管（JFET），由于栅极-源极结通常是反向偏置的，所以该电流通常非常小，通常在 nA 或 pA 级别。

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V (BR) GDS:代表 栅-漏击穿电压（Gate-Drain Breakdown Voltage），它表示 JFET 的 栅极-漏极 PN 结反向击穿的电压。超过 V(BR)GDS 时，栅-漏结会发生反向击穿，导致电流迅速增大，可能损坏 JFET。

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IDSS (Note)：漏极饱和电流，（Drain-Source Saturation Current） 是 JFET 的一个关键参数，它表示当 VGS = 0V 时，漏极电流的最大值。

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VGS (OFF)：截止电压（Gate-Source Cutoff Voltage）。

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Ciss：（输入电容，Input Capacitance） 是 JFET 或 MOSFET 的输入端等效电容，通常由栅极（Gate）与漏极（Drain）和源极（Source）之间的寄生电容组成。

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Crss：（反向传输电容，Reverse Transfer Capacitance） 是 JFET 或 MOSFET 的 栅-漏电容（Cgd），表示栅极与漏极之间的寄生电容。它也被称为 反馈电容（Feedback Capacitance），在高频电路和放大器设计中非常重要。

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NF (1) ：（噪声系数，Noise Figure） 表示 JFET 在特定频率和条件下对输入信号产生的额外噪声，单位通常是 dB（分贝）。它是一个衡量放大器或有源器件 信噪比（SNR）恶化程度 的指标，数值越小越好。