半导体制程离子注入注入的是哪些离子

离子注入是一种低温过程

通过该过程将一种元素的离子加速进入固体靶材，从而改变靶材的物理、化学或电学性质。离子注入用于半导体器件制造和金属精加工以及材料科学研究。如果离子停止并保留在目标中，则它们可以改变目标的元素成分（如果离子的成分与目标不同）。当离子以高能量撞击目标时，离子注入还会引起化学和物理变化。高能碰撞级联可能会损坏甚至破坏目标的晶体结构，并且足够高能量（数十兆电子伏）的离子可以引起核嬗变。

在制造晶圆时，离子注入工艺中经常使用砷化氢和磷化氢等有毒材料。其他常见的致癌、腐蚀性、易燃或有毒元素包括锑、砷、磷和硼。半导体制造设施高度自动化，但在维修过程中和真空泵硬件中可能会遇到机器中残留的有害元素。

高电压和粒子加速器

离子注入所需的离子加速器中使用的高压电源可能会造成电击伤害的风险。此外，高能原子碰撞可以产生 X 射线，在某些情况下还可以产生其他电离辐射和放射性核素。除了高压之外，射频线性粒子加速器和激光尾场等离子体加速器等粒子加速器还存在其他危险。

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所有种类的离子注入光束线设计都包含通用的功能组件组。离子光束线的第一个主要部分包括用于生成离子种类的离子源。离子源与偏置电极紧密耦合，用于将离子提取到光束线中，并且通常与选择特定离子种类以传输到主加速器部分的一些装置紧密耦合。

离子源通常由高熔点材料制成，例如钨、掺杂氧化镧的钨、钼和钽。通常在离子源内部&#x