一、 如何判断击穿机制?
对于硅和砷化镓结,
若击穿电压小于约4(Eg)/q时(Eg为禁带宽度),击穿机制归因于隧穿效应;
若击穿电压超过约6(Eg)/q时(Eg为禁带宽度),击穿机制归因于雪崩倍增;
若击穿电压介于两者之间,击穿则为雪崩倍增和隧穿效应两者的混合;
二、雪崩倍增
强调是在反向偏压的作用下,耗尽区内因热产生的电子由电场得到动能,如果电场足够大,电子可以获得足够的动能,以至于当和原子撞击时能破坏晶格价键,产生电子-空穴对,这些新产生的电子和空穴,可由电场获得动能,并产生额外的电子-空穴对,该过程一直持续;