肖特基二极管
区别
普通二极管:P型半导体+N型半导体 形成PN结
肖特基二极管:金属+N型半导体
优点
1.反向恢复时间小(<10ns)
2.开启电压小,导通压降小
缺点
1.反向击穿电压低
2.反向漏电流大
应用
适用于高频、低压、大电流电路
命名和型号
1.MBR系列
例:MBR10200CT
M——Motorola品牌
B——Barrier势垒
R——Rectifier整流
10——10A正向额定整流电流
200——200V反向耐压值
C——TO-200封装
T——Tube
例:MBR D/B/F 10100CT
D/B/F——封装形式
2.按电流分类
1A:
1N17~1N19
1S20~1S60
1N5817~1N5819
SR/SB120~180
2A:
SR/SB220~280
3A:
SR/SB320~380
5A:
SR/SB520~5100
10A:
MBR1035
MBR1060
整流二极管
作用
利用二极管单向导电性把交流电转换成直流电
低频整流二极管
特点:
1.If正向额定电流大
2.Vr反向耐压值高
3.结电容大——不适合高频信号
4.硅管——温度特性好
例:1N40000系列,1N5400系列
高频整流二极管
要考虑If、Vr、fm最高工作频率、Trr反向恢复时间 四个参数
快速恢复二极管(Trr在100n到300ns之间)
FR、PFR小功率
RC、MHR大功率
肖特基二极管(Trr<10ns)