基础知识：反相器

Q1:NMOS和PMOS区别

（1）开通/关断原理

（2）一般使用NMOS做下管

 使用NMOS当下管，S极直接接地（为固定值），只需将G极电压固定值6V即可导通；若使用NMOS当上管，D极接正电源，而S极的电压不固定，无法确定控制NMOS导通的G极电压，因为S极对地的电压有两种状态，MOS管截止时为低电平，导通时接近高电平VCC。当然NMOS也是可以当上管的，只是控制电路复杂，这种情况必须使用隔离电源控制，使用一个PMOS管就能解决的事情一般不会这么干，明显增加电路难度。
 

（3）一般使用PMOS做上管

 使用PMOS当上管，S极直接接电源VCC，S极电压固定，只需G极电压比S极低6V即可导通，使用方便；同理若使用PMOS当下管，D极接地，S极的电压不固定（0V或VCC），无法确定控制极G极的电压，使用较麻烦，需采用隔离电压设计。

（4）NMOS载流子是电子，PMOS载流子是空穴，有载流子流过才能导通，没有载流子流通就关断

 g:栅极，s：源极 D：漏极 衬底sub

Q2：MOS管需要知道的参数

耐压：

电流：

导通电阻：

 

 阈值电压关系到了mos管的开关

Q3：反相器构成，实现原理，生产截面图

 简单的图示便于记忆：

深层次的原理进行分析：

在这个图中，逆变器建立在p型衬底（p-type substrate）上。pMOS晶体管需要一个n型区域，因此n阱（n-well）在其附近扩散到衬底中。nMOS晶体管具有大量掺杂的n型源极（source）和漏极（drain）区域，以及一层薄薄的二氧化硅(SiO2，也称为栅极氧化物)上的多晶硅栅极（gate）。n+和p+扩散区表示大量掺杂的n型和p型硅。pMOS晶体管是一个类似的结构，具有p型源极和漏极区域。两个晶体管的多晶硅栅极连接在一起，形成输入A。nMOS晶体管的源接金属GND线，pMOS晶体管的源接金属VDD线。两个晶体管的漏级与金属连接，形成输出Y。一层厚厚的二氧化硅，称为场氧化物（field oxide），防止金属短路到其他层，除非接触点是明确蚀刻的。

在衬底连接部分，金属和轻掺杂半导体之间的接合形成一个肖特基二极管（Schottky diode），它只在一个方向上传输电流；当半导体掺杂较重时，它与金属形成良好的欧姆接触，为双向电流提供低电阻。衬底必须被绑定到一个低电位，以避免p型衬底和n+ nMOS源或漏之间的p-n结的正向偏置。同样地，n阱必须与一个高电位相连接。通过添加大量掺杂的衬底和阱 contact 或 tap ，将GND和VDD分别连接到衬底和n阱。