《CMOS VLSI Design A Circuits and Systems Perspective》
晶体管(Transistor)是在薄硅片(silicon wafer)上制造的,硅片既是机械支撑,又是电气公共点,被称为衬底(substrate)。我们可以从两个角度来研究晶体管的物理布局。一种是俯视图,通过向下看晶圆(wafer)获得。另一种是横截面,通过将晶圆片从晶体管中间切开并沿侧面观察得到。我们从一个完整的CMOS反相器(inverter)的横截面开始。然后我们看同一反相器的顶视图,并定义一组掩模用于制造反相器的不同部分。晶体管和导线的尺寸由掩模尺寸决定,并受制造工艺分辨率的限制。这一解决方案的持续进步推动了半导体行业的指数级增长。
1 反相器横截面
1.1 结构
下图显示了反相器的截面和相应的原理图。
在这个图中,逆变器建立在p型衬底(p-type substrate)上。pMOS晶体管需要一个n型区域,因此n阱(n-well)在其附近扩散到衬底中。
nMOS晶体管具有大量掺杂的n型源极(source)和漏极(drain)区域,以及一层薄薄的二氧化硅(SiO2,也称为栅极氧化物)上的多晶硅栅极(gate)。
n+和p+扩散区表示大量掺杂的n型和p型硅。pMOS晶体管是一个类似的结构,具有p型源极和漏极区域。
两个晶体管的多晶硅栅极连接在一起,形成输入A。
nMOS晶体管的源接金属GND线,pMOS晶体管的源接金属VDD线。
两个晶体管的漏级与金属连接,形成输出Y。
一层厚厚的二氧化硅,称为场氧化物(field oxide),防止金属短路到其他层,除非接触点是明确蚀刻的。
1.2 衬底的链接
金属和轻掺杂半导体之间的接合形成一个肖特基二极管(Schottky diode),它只在一个方向上传输电流。
当半导体掺杂较重时,它与金属形成良好的欧姆接触,为双向电流提供低电阻。
衬底必须被绑定到一个低电位,以避免p型衬底和n+ nMOS源或漏之间的p-n结的正向偏置。
同样地,n阱必须与一个高电位相连接。通过添加大量掺杂的衬底和阱 contact 或 tap ,将GND和VDD分别连接到衬底和n阱。