半导体器件物理学-7非平衡过剩载流子

当外加激励作用于半导体时，除了热平衡浓度外，还会出现导带中的过剩电子和价带中的过剩空穴。任何偏离热平衡的情况都会改变半导体中的电子和空穴浓度。外部激励的例子有光学照明和外部偏置。

光照、外部偏置电压、多余的电子和空穴不能彼此独立地运动

载流子的产生与复合

平衡状态半导体

分别令G_no和G_p0为电子和空穴的产生率，单位是＃/cm³-s。对于直接带隙产生米说，电子和空穴是成对出现的，因此一定有
G_no=G_p0

同理令R_no和R_p0为电子和空穴的复合率
R_no=R_p0
对于热平衡状态来说，电了和窄穴的浓度与时间无关，因此产生和复合的概率相等
G_no=G_p0=R_no=R_p0

过剩载流子的产生与复合

假设高能光子射人半导体，从而导致价带中的电子被激发跃人导带。此时不只是在导带
中产生了一个电子，价带中也会同时产生一个空穴，这样就生成了电子－窄穴对。而这种额外
的电子和空穴就称为过剩电子和过剩空穴。

对于直接带隙产生来说，过剩电子和空入是成对出现的，因此
一定有
g_n^’=g_p^’
当产生了非平衡的电子和空穴后，导带中的电子浓度和价带中的空穴浓度就会高于它们
在热平衡时的值。可以写为
n=n₀+$\delta$n
p=p₀+