半导体的导电性

校历第五周计划（9.30-10.6）：半导体的导电性

上次组会的一些问题：

1. 周报加一些自己的理解：针对这个问题，学生也反复斟酌如何在现阶段基础知识学习中加入自己的一些见解，奈何真的是基础很差，写出自己的见解需要大量的基础知识作为底蕴。最后决定，学生目前先按照书本上的知识学习，针对一些目前阶段能够做出分析的知识点穿插一些自己的见解，等计划进行到看论文阶段再进行大部分的理解分析，加入自己的观点。
2. 针对上次组会学生提出的能级问题，学生已经理解清楚，有关于价带和导带的问题也有了更深的见解。由于文字博客表述不清，此处省略不写。

预备知识：

1. 欧姆定律：
2. 欧姆定律微分形式：（电流密度 =  电导率乘以电场强度）导体中某一点的电流密度和该处的电导率及电场强度直接联系起来。
3. 漂移运动：电子沿外加电场反方向运动称为漂移运动，速度称为漂移速度。电流密度可以表示为：，n为电子浓度，已知电子平均漂移速度与电场强度成正比。迁移率即为单位场强下电子的平均漂移速度。

• 一、半导体的电导率和迁移率

1. 电场强度较小时，半导体中的载流子在电场作用下的运动仍遵守欧姆定律，由于半导体中存在电子和空穴，且载流子浓度随内外部条件变化。故半导体导电机构与导体复杂。

   

2. 半导体中导电的电子（脱离共价键）在导带中，导电的空穴是在价带中，由于所处能带不同，故两者平均漂移速度不同，在外加电场时，总的电流密度的公式即为两者相加。n、p分别为电子和空穴浓度。
3. 电场强度较小时，电流密度和电场强度仍遵守欧姆定律，根据预备知识2，半导体的电导率为：
4. 针对P、N型半导体，电子或空穴对电流的贡献基本可以忽略，则上式即为单项。

• 二、载流子的散射

1. 除却漂移运动，载流子还有别的运动形式，否则载流子的漂移速度就会无限的被外加电场放大。散射是载流子与热振动着的晶格原子或电离了的杂质离子发生碰撞，用波的概念，就是电子波在半导体中传播时遭到了散射，因此载流子速度和方向会发生变化。

   

2. 半导体的主要散射机构包含电离杂质的散射、晶格振动的散射、等同的能谷间散射、中性杂质散射、位错散射、合金散射。

• 三、电阻率和杂质浓度的关系

1. 如图，锗、硅、砷化镓在300k时电阻率与杂质浓度的关系。
2. 杂质浓度升高时曲线发生弯曲的原因：一是杂质在室温下不能全部电离，在重掺杂的简并半导体情况更加严重；二是迁移率随杂质浓度的增加而显著下降。

• 四、电阻率随温度的变化

  

1. 以硅为例，如图，AB段：温度很低（本征激发可以忽略），载流子（主要由杂质电离提供）随温度的升高而增加，散射主要由电离杂质决定，迁移率随温度的升高而增大，故电阻率随温度升高而下降。
2. BC段：温度升高，杂质全部电离，本证激发还不十分显著，载流子基本上不随温度变化，晶格振动散射上升为主要矛盾，迁移率随温度升高而降低，电阻率随温度升高而增大。
3. C段：温度继续升高，本证激发很快增加，大量本征载流子的产生远远超过迁移率减小对电阻率的影响，这时，本证激发成为矛盾主要方面，杂质半导体的电阻率将随温度的升高而急剧地下降，表现出同本征半导体相似的特性。
4. 温度一旦到达本征导电起主要作用时，一般器件就不能正常工作，称为器件的最高工作温度。锗器件为100°C，硅为250°C，砷化镓可达450°C。