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RSS订阅原创 3300V碳化硅MOSFET国产化量产
3300V高耐压碳化硅MOSFET器件，将在轨道交通领域、智能电网、3300V的牵引变频器、特种军用车等大功率高端细分领域得到应用，对于显著提高系统效率及功率密度，为系统装置小型化、轻量化将发挥重要应用优势。
2024-05-10 14:00:31
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原创 SiC MOS器件在新能源汽车上的应用
以碳化硅为衬底制成的功率器件相比硅基功率器件，具有耐高压、耐高温、能量损耗低、功率密度高等优势，可实现功率模块小型化、轻量化。相同规格的碳化硅基 MOSFET 与硅基MOSFET 相比，其尺寸可大幅减小至原来的 1/10，导通电阻可至少降低至原来的 1/100。相同规格的碳化硅基 MOSFET 较硅基 IGBT 的总 能量损耗可大大降低 70%。
2024-05-06 12:04:58
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原创 1700V25mΩ的SiC MOSFET 短路测试报告
SiC MOSFET 凭借着耐高压、耐高频、耐高温等独特优势，应用在很多电力电子产品中。在电子应用中经常会出现短路问题。因为SiC MOSFET面积小、短路电流高、漂移层薄等特性，导致其短路时发热量集中，对比IGBT器件，短路时间就相对短一些。
2024-05-06 11:57:55
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原创 国产碳化硅功率器件（6寸碳化硅晶圆-碳化硅MOS单管-全碳化硅功率模块）的产品介绍与应用方案
公司专注碳化硅芯片的设计，功率器件研发和生产，产品从6寸碳化硅裸芯片-碳化硅MOSFET单管-全碳化硅功率模块-电机控制器-一体化动力总成。采用6寸碳化硅晶圆片，产品耐压650V-1200V-1700V-3300V,电流1A-150A。产品耐压650V-1200V-1700V-3300V,电流1A-150A，最低内阻12毫欧。碳化硅MOS管耐压650V-1200V-1700V-3300V，电流1A-150A等系列，碳化硅模块多种封装，电压650V-1700V电流30A-800A.2.碳化硅MOS单管。
2024-01-05 15:04:12
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原创 碳化硅mos对比硅mos的11大优势
专注碳化硅器件，产品适用新能源汽车，光伏逆变器，储能设备，电机驱动，激光医疗，工业和军工电源，感应加热，电池化成等设备。公司销售碳化硅裸芯片（6寸晶圆）～碳化硅二极管～碳化硅MOS管～碳化硅模块，产品耐压650V～900V～1200V～1700V～3300V，电流5A～120A，内阻低至15亳欧。产品满足车规级要求。是比亚迪、吉利、通用等汽车的碳化硅器件供货商，可以进口替代碳化硅器件。
2023-04-18 09:11:21
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原创 应用在新能源汽车，光伏逆变，储能，等领域的碳化硅器件
通过工业级、车规级可靠性测试的碳化硅MOSFET和功率模块系列产品，应用于光伏逆变电源、新能源电动汽车及充电桩、智能电网、高频电焊、轨道交通、工业控制特种电源、国防军工等领域。由于其具有高速开关和低导通电阻的特性，即使在高温条件下也能体现优异的电气特性，大幅降低开关损耗，使元器件更小型化及轻量化，效能更高效，提高系统整体可靠性。
2023-04-17 18:00:41
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空空如也
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