1700V25mΩ的SiC MOSFET 短路测试报告

SiC MOSFET 凭借着耐高压、耐高频、耐高温等独特优势，应用在很多电力电子产品中。在电子应用中经常会出现短路问题。因为SiC MOSFET面积小、短路电流高、漂移层薄等特性，导致其短路时发热量集中，对比IGBT器件，短路时间就相对短一些。

    目前市面上大部分IGBT都会在数据手册中标出短路能力，大部分在5~10us之间。而大部分的SiC MOSFET都没有标出短路能力，即使有，也比较短，例如英飞凌的CoolSiCTM MOSFET单管封装器件标称短路时间是3us，EASY封装器件标称短路时间是2us。

                 图片来源;英飞凌半导体

一.常见的SIC MOSFET的短路类型有两种：软开关短路和负载短路故障。

1. 软开关短路：在开关操作过程中，由于某种原因导致开关器件无法及时断开电流，从而导致电流在开关器件上持续流动，出现短路现象。

2.负载短路故障：负载端突然出现短路。由于负载器件损坏、接线错误或外部环境影响等原因引起的。当负载短路发生时，电流会迅速增加，导致SiC MOSFET过载并可能损坏。

二. 一般SIC MOSFET会出现短路的原因:

 1.电压过高：长时间受到超过其额定电压的电压，导致绝缘层击穿或氧化层破裂。

 2.电流过大：SiC MOSFET 被额定电流以上的过大电流击穿，导致输电通道内部结构受损，导致短路。

 3.温度过高：SiC M