1700V25mΩ的SiC MOSFET 短路测试报告

SiC MOSFET 凭借着耐高压、耐高频、耐高温等独特优势，应用在很多电力电子产品中。在电子应用中经常会出现短路问题。因为SiC MOSFET面积小、短路电流高、漂移层薄等特性，导致其短路时发热量集中，对比IGBT器件，短路时间就相对短一些。

    目前市面上大部分IGBT都会在数据手册中标出短路能力，大部分在5~10us之间。而大部分的SiC MOSFET都没有标出短路能力，即使有，也比较短，例如英飞凌的CoolSiCTM MOSFET单管封装器件标称短路时间是3us，EASY封装器件标称短路时间是2us。

                 图片来源;英飞凌半导体

一.常见的SIC MOSFET的短路类型有两种：软开关短路和负载短路故障。

1. 软开关短路：在开关操作过程中，由于某种原因导致开关器件无法及时断开电流，从而导致电流在开关器件上持续流动，出现短路现象。

2.负载短路故障：负载端突然出现短路。由于负载器件损坏、接线错误或外部环境影响等原因引起的。当负载短路发生时，电流会迅速增加，导致SiC MOSFET过载并可能损坏。

二. 一般SIC MOSFET会出现短路的原因:

 1.电压过高：长时间受到超过其额定电压的电压，导致绝缘层击穿或氧化层破裂。

 2.电流过大：SiC MOSFET 被额定电流以上的过大电流击穿，导致输电通道内部结构受损，导致短路。

 3.温度过高：SiC MOSFET 运行在超过其允许的温度范围内时，温度过高会引起材料的热膨胀、电子迁移导致短路。

 4.设计问题：材料选择不当、电压和电流过大、电极之间的间隙不合适等都可能引起短路。

三.1700V25mΩ的SiC MOSFET测试数据

试验设备：半导体器件测试自动分选机（ PH-314UG ）

试验目的：短路测试是为了测试功率器件能够承受的最大电流 。电流过载发生时，漏极电流迅速上升，功率器件需要在电流峰值维持安全水平。

1、试验条件:门极开通电阻 R(on)=10Ω，门极关断电阻R(off)=10Ω ，高压母线Vdc=1000V 短路时间从2us逐渐往上加直至产品损坏。

2、测试原理：短路测试时，无需接负载电感，非动作管以正压保持导通状态，动作管（待测管）以一个单脉冲， 驱动形成桥臂直通。短路回路电感量很低，短路能量全部来自于母排电容组。

3、短路测试拓扑如下：

4、短路测试数据:

5、短路测试波形：

6、试验结论：

短路时间从2us逐渐往上加，短路极限为3.3us。

四.总结

SiC MOSFET短路能力设计还要考虑耐压、损耗、寿命等多种因素。可以设计一个损耗极低但没有短路能力的器件，也可以稍微牺牲一点性能，使器件具备短路能力，从而提升整体系统的可靠性。选择哪一个方向，使器件最终呈现什么样的性能，都是针对目标应用权衡的结果。