第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更优的热导率、更高的电子饱和速率以及更强的抗辐射能力，更适于制作高压、高温、高频、抗辐射及大功率器件。目前在高压大功率器件领域，SiC材料最被广泛看好。随着轨道交通技术的发展，人们对车辆的节能、噪声及轻量化等技术指标提出了更高要求。高压全SiC MOSFET器件技术的日趋成熟恰好能满足轨道交通发展应用需求。
碳化硅器件在电力电子系统中应用越来越广泛。在国家的双碳目标下，新能源领域的产品节能化，碳化硅MOSFET器件在众多产品上慢慢替代传统硅IGBT器件。在新能源汽车上的应用成为最好的案例。通过将硅基IGBT替换成碳化硅器件，不仅可以改善器件的整体性能，降低散热设计难度，而且可以降低整车的整体的成本。虽然碳化硅功率器件比IGBT这类的硅功率器件价格贵，但由于其损耗低，重量轻，可以有效增加整车续航能力，从而降低整车成本。碳化硅功率管，电路简单，而且开关频率高，从而可以使用更小型、更轻量的磁性元件。
常规碳化硅器件的耐压在650V-1200V-1700V的较多，3300V这种高压的产品，难点在于产品设计和生产工艺。器件在应用上，也有很多要注意的。
3300V高耐压碳化硅MOSFET器件，将在轨道交通领域、智能电网、3300V的牵引变频器、特种军用车等大功率高端细分领域得到应用，对于显著提高系统效率及功率密度，为系统装置小型化、轻量化将发挥重要应用优势。后续，针对智能电网应用领域的个性化需求，3300V产品通过管芯并联封装成功率模块，也将会在智能电网中得到广泛应用。
3300V产品简介
产品特性：
1. 第三代 SiC MOSFET 技术
2. 推荐使用 +18V/-3V 栅压驱动
3. 高压、低导通电阻
4. 高速、寄生电容小
5. 175℃工作结温
6. 高可靠快速恢复体二极管
7.开尔文连接驱动
8. 满足车规级要求
封装示意图：
产品应用 ：
1. 轨道交通领域
2. 智能电网
3. 3300V的牵引变频器
4. 特种军用车等大功率
5. 光伏逆变器
6. 储能电源
7. 电机驱动
8. 高压 DC/DC 变换器
产品参数：
产品尺寸图：
产品规格：
3300V--20A和3300V--60A
新技术和新产品:
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