国产碳化硅功率器件（6寸碳化硅晶圆-碳化硅MOS单管-全碳化硅功率模块）的产品介绍与应用方案

最新推荐文章于 2024-11-10 13:25:11 发布
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公司专注碳化硅芯片的设计，功率器件研发和生产，产品从6寸碳化硅裸芯片-碳化硅MOSFET单管-全碳化硅功率模块-电机控制器-一体化动力总成。

碳化硅MOS管耐压650V-1200V-1700V-3300V，电流1A-150A等系列，

碳化硅模块多种封装，电压650V-1700V电流30A-800A.

产品批量生产，可以对标国际同行品牌的先进品质及水平。

通过工业级、车规级可靠性测试的碳化硅MOSFET和功率模块系列产品，应用于光伏逆变电源、新能源电动汽车及充电桩、智能电网、高频电焊、轨道交通、工业控制特种电源、国防军工等领域。由于其具有高速开关和低导通电阻的特性，即使在高温条件下也能体现优异的电气特性，大幅降低开关损耗，使元器件更小型化及轻量化，效能更高效，提高系统整体可靠性。

1.晶圆

采用6寸碳化硅晶圆片，产品耐压650V-1200V-1700V-3300V,电流1A-150A

8寸碳化硅晶圆在开发验证中。

2.碳化硅MOS单管

产品耐压650V-1200V-1700V-3300V,电流1A-150A，最低内阻12毫欧。

3.全碳化硅MOS功率模块

由多个碳化硅MOS单管构成的模块，耐压650V-1200V-1700V,电流30A-800A.半桥和三相全桥架构。

4.技术支持和方案应用

Sic_MOS_78016824
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09-27
碳化硅功率器件.pdf
电力电子与新能源越来越欢迎SiC MOSFET（国产碳化硅MOS管）技术
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电力电子技术与新能源越来越欢迎SiC MOSFET（国产碳化硅MOS管）技术。这是因为碳化硅系统能为电力电子技术与新能源带来众多好处。首先是成本，以新能源车充电机（OBC）为例,能够为DC/DC模块可以省去大量的栅极驱动和磁性元件，相比硅MOS系统，通常碳化硅能够将OBC系统成本降低20%左右。其中，采用SiC技术后，双向OBC的散热成本可降低三分之一。其次是体积和效率。https://pan.baidu.com/s/1yHquvTP-nBg9Ynpt9c2vQg?pwd=8vj9 提取码8vj9
碳化硅功率器件国产MOSFET（6寸碳化硅MOS晶圆-碳化硅MOS单管-全碳化硅模块-技术应用详解)
QLH_SiCMOS的博客
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国产碳化硅MOS实现电压650V-1200V-1700V-3300V，单管电流1A-200A；全碳化硅功率模块（SiC MODULE）多种拓扑结构:半桥/三相全桥/三电平等，多种封装62mm-HPD-EasyPACK/2B-Econodual等。
碳化硅MOS晶圆6英寸成熟，在进击8英寸工艺（国产碳化硅MOS芯片、SiC模块）
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碳化硅MOS管、PFC、普通无桥PFC、双升压无桥PFC，图腾柱无桥PFC等功率器件主开关管选择
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碳化硅MOS管、PFC、普通无桥PFC、双升压无桥PFC，图腾柱无桥PFC等功率器件主开关管选择。如传统的PFC拓扑、普通无桥PFC、双升压无桥PFC，图腾柱无桥PFC等，并已成功大范围应用在设计过程中。碳化硅MOSFET相对于IGBT或超结MOSFET有更低的开关损耗。
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QLH_SiCMOS的博客
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