PhotoMOS输出光电耦合器的概要

PhotoMOS输出光电耦合器的概要

PhotoMOS的动作原理:

PhotoMOS是利用功率MOSFET进行输出，在输入输出间实现电绝缘的输出光电耦合器(1500VAC·1分钟)，其等效电路如图1所示。动作原理为通过光电元件(太阳能电池)将发光元件 (LED)的光能转化成电能,通过功率MOSFET的导通、非导通,进行负载控制。图2显示了其内部的透视图，图3显示了动作以及复位时的原理。

 图1 PhotoMOS的等效电路

 图2 输出端

 图3 电流驱动

PhotoMOS的特点：

PhotoMOS兼具了EMR（有触点的机械继电器）以及SSD（可控硅输出光电耦合器）两者的功能，具有以下特点。

可对微小的模拟信号进行控制（参照图4）

晶闸管或光电耦合器及一般的SSD,不能控制数百mV以下的信号,但PhotoMOS闭路时的偏置电压极低,因此,即使是对微小电压信号或模拟信号也可进行不变形的控制)。

电路构成简单，因此可实现电路板的小型化以及设计的简便化

可将发光元件、光电元件、功率MOSFET集中到一个封装中,而且MOSFET的栅极也在封装中,因此具有较强的抗干扰或抗静电能力。此外,内置具有自身发电功能的光电元件,所以不需要外部电源来驱动功率MOSFET。

可实现小输入信号控制大负载（参照表1） 

与光电耦合器相比,因增幅率较大,所以可实现EMR所不具备的高灵敏度。

•开路时的漏电流极（参照图5） 

一般的SSD开路时的漏电流大到数mA,但PhotoMOS即使施加负载电压400V时,其漏出电流也仅有1µA以下。

可以适应各种负载控制

电流、电压通断范围较广,因此适合继电器、电机、灯、螺线管等各种负载的控制。

可控制含高频成分的信号

RF型输出端子间容量小至Typ.5pF,绝缘损失为40dB(1MHz)以上。

• 体积小、节省空间,安装不受限制

• 热电动势低至1µV以下

• 使用寿命接近永久,无需更换

• 不发生电弧(干扰),无触点,因而运行时没有声音

表1

 图4负载电压

 图5