MOS管开关电路上下拉电阻的作用

最新推荐文章于 2024-08-07 08:34:37 发布
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在MOS管开关电路设计的时候我们常常在NMOS上加一个下拉电阻，在PMOS上加一个上拉电阻

这个上拉电阻和下拉电阻主要有以下几个作用

1.上电时给MOS管的栅极一个确定的电平，防止上电时GPIO为高阻状态时MOS栅极电平不确定受到干扰。

因为有些GPIO驱动MOS管时有些时间可以处于一个高阻的状态，这样MOS栅极的电平就是未知的，可能是高电平，也可能是低电平，很容易受外界干扰。

而有上下拉电阻存在时，当GPIO为高阻态时，上下拉电阻能给MOS管一个确定的电平，从而使MOS管确定在一个关闭的状态

2.断电时，如果MOS是导通的状态，GS间的寄生电容没有放电路径，电阻给Cgs一个放电路径，使MOS管能快速的关闭。

如果没有上下拉电阻，断电后，MOS管由于结电容的存在，可能在很长一段时间还是导通的状态，出现关不断的情况

而有上下拉电阻的话，结电容可以通过上下拉电阻快速放电，从而快速关闭MOS管

 3.防止静电击穿。

MOS管是电压驱动型器件，由于栅极结电容的存在，很容易积累静电电荷，造成损坏

上下拉电阻一般在10K左右

小鱼教你模数电
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专栏目录
MOS管是如何烧坏的
07-07
MOS在控制器电路中的工作状态：开通过程（由截止到导通的过渡过程）、导通状态、关断过程（由导通到截止的过渡过程）、截止状态。MOS主要损耗也对应这几个状态，开关损耗（开通过程和关断过程），导通损耗，截止损耗（漏电流引起的，这个忽略不计），还有雪崩能量损耗。只要把这些损耗控制在mos承受规格之内，mos即会正常工作，超出承受范围，即发生损坏。而开关损耗往往大于导通状态损耗，不同mos这个差距可能很大。   MOS损坏主要原因：过流----------持续大电流或瞬间超大电流引起的结温过高而烧毁；过压----------源漏过压击穿、源栅极过压击穿；静电----------静电击穿，CMOS电路都怕静电；Mos开关原理（简要）：Mos是电压驱动型器件，只要栅极和源级间给一个适当电压，源级和漏级间通路就形成。这个电流通路的电阻被成为mos内阻，就是导通电阻。这个内阻大小基本决定了mos芯片能承受的最大导通电流（当然和其它因素有关，最有关的是热阻），内阻越小承受电流越大（因为发热小）。Mos问题远没这么简单，麻烦在它的栅极和源级间，源级和漏级间，栅极和漏级间内部都有等效电容。所以给栅极电压的过程就是给电容充电的过程（电容电压不能突变），所以mos源级和漏级间由截止到导通的开通过程受栅极电容的充电过程制约。然而，这三个等效电容是构成串并联组合关系，它们相互影响，并不是独立的，如果独立的就很简单了。其中一个关键电容就是栅极和漏级间的电容Cgd，这个电容业界称为米勒电容。这个电容不是恒定的，随栅极和漏级间电压变化而迅速变化。这个米勒电容是栅极和源级电容充电的绊脚石，因为栅极给栅-源电容Cgs充电达到一个平台后，栅极的充电电流必须给米勒电容Cgd充电。这时栅极和源级间电压不再升高，达到一个平台，这个是米勒平台（米勒平台就是给Cgd充电的过程），米勒平台大家首先想到的麻烦就是米勒振荡。（即，栅极先给Cgs充电，到达一定平台后再给Cgd充电）。因为这个时候源级和漏级间电压迅速变化，内部电容相应迅速充放电，这些电流脉冲会导致mos寄生电感产生很大感抗。这里面就有电容、电感、电阻组成震荡电路（能形成2个回路），并且电流脉冲越强频率越高震荡幅度越大，所以最关键的问题就是这个米勒平台如何过渡。Gs极加电容，减慢mos管导通时间，有助于减小米勒振荡。防止mos管烧毁。过快的充电会导致激烈的米勒震荡，但过慢的充电虽减小了震荡，但会延长开关从而增加开关损耗。Mos开通过程源级和漏级间等效电阻相当于从无穷大电阻到阻值很小的导通内阻（导通内阻一般低压mos只有几毫欧姆）的一个转变过程。比如一个mos最大电流100a，电池电压96v，在开通过程中，有那么一瞬间（刚进入米勒平台时）mos发热功率是P=V*I（此时电流已达最大，负载尚未跑起来，所有的功率都降落在MOS管上），P=96*100=9600w！这时它发热功率最大，然后发热功率迅速降低直到完全导通时功率变成100*100*0.003=30w（这里假设这个mos导通内阻3毫欧姆），开关过程中这个发热功率变化是惊人的。如果开通时间慢，意味着发热从9600w到30w过渡的慢，MOS结温会升高的厉害。所以开关越慢，结温越高，容易烧mos。为了不烧mos，只能降低mos限流或者降低电池电压。比如给它限制50a或电压降低一半成48v，这样开关发热损耗也降低了一半，不烧管子了。这也是高压控容易烧管子原因，高压控制器和低压的只有开关损耗不一样（开关损耗和电池端电压基本成正比，假设限流一样），导通损耗完全受mos内阻决定，和电池电压没任何关系。其实整个mos开通过程非常复杂。里面变量太多。总之就是开关慢不容易米勒震荡，但开关损耗大，管子发热大，开关速度快理论上开关损耗低（只要能有效抑制米勒震荡）。但是往往米勒震荡很厉害（如果米勒震荡很严重，可能在米勒平台就烧管子了），反而开关损耗也大，并且上臂mos震荡更有可能引起下臂mos误导通，形成上下臂短路。所以这个很考验设计师的驱动电路布线和主回路布线技能。最终就是找个平衡点（一般开通过程不超过1us）。开通损耗这个最简单，只和导通电阻成正比，想大电流低损耗找内阻低的。
mos管开关电路_深入讲解三极管和MOS管加下拉电阻的作用，下次设计电路注意了...
weixin_39631767的博客
12-05 703
一、三极管和MOS管介绍三极管和MOS管是两种较为常用的半导体元器件，它们都是只有三个引脚。三极管有NPN和PNP型，三个电极分别为：基极B、集电极C，发射极E；MOS管有漏极D、源极S、栅极G三个电极，其中中间的箭头表示衬底，如果箭头向里表示是N沟道的MOS管，箭头向外表示是P沟道的MOS管。三极管一般应用于开关电路、信号放大电路、电平转换电路等，而MOS管多用于放大电路、开关电路，有时候两者可...
MOS管开关电路中，上拉电阻和下拉电阻有什么区别？
VBsemi的博客
04-13 452
比如说，在实际电路中我们会经常遇到器件输出电压幅度不足的情况，如果前级只能输出0V-3V的电平，而后级系统需要一个0V-5V的高电平或者低电平，就可以利用上拉电阻，强制拉高前级的输出电压，但是这种方式只能够将电压拉到3V-5V之间。MOS管在上电的时候会有一段时间呈现高阻态，在导通的情况下这种状态是不受控制的，NMOS可能会受到高电频干扰，PMOS会受到低电频干扰，这很容易导致开关管被烧毁。在MOS管的开关电源中，一般会在NMOS管上加一个下拉电阻，在PMOS管栅加一个上拉电阻，大概在10K左右。
上下拉电阻会增强驱动能力吗？
huxyc的博客
12-05 396
开关的相对位置不同，还决定了电路在某一状态下的驱动能力：开关的导通电阻为0，可视为驱动力无穷大，可是电阻（或恒流源）的驱动能力呢，只有VDD/R（或者恒流I），这就导致了电路在输出H或L的时候驱动能力不对称（换一个说法，就是电路在输出H或者L的时候，输出阻抗不一样）。下表是仿真有无上拉电阻时，负载电流与输出电压的关系，可以看到上拉电阻确实增强了在一定负载下的输出电压，不过当负载电流较大时效果并不明显，而且边际效应也很显著，当上拉电阻减小到一定程度以后，增强效果也不太显著，而且会大大增加静态功耗。
模电——MOS管接下拉电阻
Xa_L
07-02 4404
引言 当我们在设计电路时，我们会用到MOS管，我们设计用单片机来驱动电机，使其正常工作，看下图
MOS栅源（G-S）极下拉电阻有什么作用？
huxyc的博客
10-31 3117
还有，由于保护电路吸收的瞬间能量有限，太大的瞬间信号和过高的静电电压将使保护电路失去作用。保护栅极G~源极S，场效应管的G-S极间的电阻值是很大的，这样只要有少量的静电就能使他的G-S极间的等效电容两端产生很高的电压，如果不及时把这些少量的静电泻放掉，他两端的高压就有可能使场效应管产生误动作，甚至有可能击穿其G-S极。MOS管本身的输入电阻很高，而栅源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电，而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压 (U=Q/C)，将管子损坏。这个电阻称为栅极电阻。
驱动电路、驱动能力详解（二）
weixin_45365488的博客
11-17 7051
电压驱动和电流驱动的区别
上拉电阻与下拉电阻总结 与 GPIO框图分析
runafterhit的博客
03-06 3848
三态门/三态输出电路三种状态为：高电平，低电平，高阻态；计算机中的记忆元件由触发器组成，而触发器只有01两个状态。如果要在一条信号线上连接多个触发器，而每个触发器可以根据需要与信号线连通或断开，当连通时可以传送0或1，断开时对信号线上的信息不产生影响，此状态为高阻态。高阻态从端口看进去，对GND或者VCC的电阻都很大，什么也不输出了，引脚上的电平可由其它电路来控制，外面任何弱驱动都能改变该点的电位。
从0学习数字电路（3）
m0_67743934的博客
12-10 1402
从0学习数字电路（3）
MOS管寄生参数的影响和其驱动电路要点
03-21
MOS管寄生参数对其驱动电路的影响非常重要，其中最影响MOS管开关性能的是源边感抗。源边感抗主要有两种来源，第一个就是晶圆DIE和封装之间的Bonding线的感抗，另外一个就是源边引脚到地的PCB走线的感抗（地是作为...
MOSFET驱动电阻选择
08-27
合理的驱动电阻不仅能够有效减少开关损耗，还能提高系统的整体性能。 #### 二、MOSFET驱动电路分析 MOSFET的驱动电路主要包括以下几个关键部分：PCB走线电感(L)、栅极驱动电阻(Rg)、栅源极电容(Cgs)以及驱动信号。 ...
高速MOS驱动电路设计和应用指南.pdf
04-11
- **定义**：MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），即金属氧化物半导体场效应晶体管，是一种广泛应用于高频、高效开关电路的关键组件。 - **发展历程**：尽管MOSFET早在1930年就被发明，但...
mos管GS之间的跨接的电阻的真正作用
xp562870732的博客
08-15 4181
在mos管的驱动电路里,某些场合下,会看到这个电阻,在某些场合中,又没有这个电阻.这个电阻的值比较常见的为5k,10k.但是这个电阻有什么用呢? 在分析这个问题之间,可以做一个简单的实验: 找一个mos管,让它的G悬空,然后在DS上加电压,结果是怎样?结果是在输入电压才几十V的时候,管子就烧掉了,因为管子导通了. 为什么mos管在没有加驱动信号的前提下会导通,那是因为管子的DG,GS之间分别有结电容,Cdg和Cgs.所以加在DS之间电压会通过Cdg给Cgs充电,这样G极的电压就会抬高直到mos管导通. 所以
单片机外围电路：电阻（2）之上下拉电阻
一㐀的博客
01-26 3517
1概念 先看一下百度的解释。“”上拉就是将不确定的信号通过一个电阻钳位在高电平，电阻同时起限流作用。下拉同理，也是将不确定的信号通过一个电阻钳位在低电平。
verilog学习笔记7——PMOS和NMOS、TTL电路和CMOS电路
qq_42135020的博客
09-08 3946
PMOS、NMOS电路，TTL电路，根据逻辑表达式画出电路图
总算搞明白MOS管GS极电阻作用
qq_45508321的博客
03-01 2045
总算搞明白MOS管GS极电阻作用，希望对你有用。
电路中上拉、下拉电阻的作用及原理
cy413026的博客
12-23 6132
假定芯片的供电电压为3.3V（忽略晶体管饱和压降），则输出最大电流25mA时，负载RL的值约为132欧姆（3.3V/25mA），如果负载值小于132欧姆，则相应输出电流会更大（超过25mA），但是芯片引脚只能提供最大25mA的电流，因此，输出电平将会下降（老板你只给我2500月薪，我就只能干2500的活，你要我干更多的活得开更多的工资，一个道理）需要使用上拉电阻还是下拉电阻，主要取决于电路系统本身的需要，比如，对于高有效的使能控制信号（EN），我们希望电路系统在上电后应处于无效状态，则会使用下拉电阻。
江科大/江协科技 STM32学习笔记P20
最新发布
sususu_2001的博客
08-07 941
编码器接口的初始化，第一步，RCC开启时钟，开启GPIO和定时器的时钟，第二步，配置GPIO，这里把PA6和PA7配置成输入模式，第三步，配置时基单元，这里预分频器选择不分频，自动重装寄存器给最大65535，第四步，配置输入捕获单元，只有滤波器和极性选择有用，第五步，配置编码器接口模式，最后，调用TIM_Cmd，启动定时器。
mos管开关电路_mos管开关电路
06-01
好的，您想了解关于 MOS管开关电路方面的内容，下面是一些相关信息： MOS管开关电路是一种常见的电路，它主要是利用 MOS管的导通和截止状态来实现电路的开关控制。MOS管是一种金属氧化物半导体场效应管，具有高阻抗、低功耗、开关速度快等优点，因此被广泛应用于各种电子设备中。 MOS管开关电路可以应用于各种电路中，例如电源开关、逆变器、PWM调制等。其中，电源开关电路主要用于电源管理中，可以实现电源的开关控制和电流保护；逆变器电路主要用于将直流电转换为交流电，广泛应用于电力电子领域；PWM调制电路主要用于控制电机转速、灯光亮度等。 以上是有关 MOS管开关电路的简介，希望对您有所帮助。如果您有其他问题，可以随时向我提问。
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