光耦智能门驱动器中去饱和度故障检测

介绍

本应用说明介绍了智能系统中去饱和故障检测功能的设计门驱动程序。 以及去饱和度故障检测功能在驱动程序中如何工作。

去饱和故障检测电路为电源半导体开关（IGBT或MOSFETs）提供保护，以防止可能导致这些电源开关损坏的短路电流事件。逆变器的去饱和也可能由于逆变器门驱动器性能故障或导致的驱动器电源电压问题不足而发生。可能导致逆变器中电流过大和功率损耗过大的其他故障模式可能是由于用户连接错误或线路错误导致的相位和/或轨道供电短路、噪声或计算错误导致的控制信号故障、负载引起的过载条件以及栅极驱动电路中的部件故障。大大增加的功耗很快过热的功率逆变器，并破坏了它。为了防止对驱动器的灾难性损坏，必须实施去饱和故障检测和保护，以减少故障状态下的或关闭过电流。

故障检测

IGBT集电极-发射极电压VCESAT由栅极驱动光耦合器的DESAT引脚监测（图1a和1b中的Pin14）。当一个应用程序中出现短路，且有很大的电流通过IGBT时，它就会进入去饱和模式；因此其VCESAT电压会升高。一旦VCESAT电压超过内部去饱和故障检测阈值电压，通常为7.0 V，光耦合器栅极驱动器就会检测到故障（当IGBT打开时）出现故障。

此故障检测会触发以下两个事件：

a.光耦合器门驱动器的排气被缓慢地降低，以“轻轻地”关闭IGBT，防止大的di/dt诱导的电压峰值。

b.激活内部反馈通道，使故障输出较低，以通知微控制器故障情况。此时，微控制器必须采取适当的动作来关闭或重置电机驱动器。

软关闭

这一特性存在于门光耦合器中。g.ACPL333J、ACPL- 330J、ACPL-332J、ACPL-331J和HCPL-316J)。当DESAT功能检测到故障时，输出驱动阶段的弱下拉设备将“轻”地关闭IGBT，并防止大的di/dt感应电压。该装置缓慢放电IGBT栅，以防止集电极电流的快速变化，导致杂散电感造成的电压峰值。在缓慢关闭期间，大输出下拉装置保持关闭，直到输出电压低于维+ 2 V，此时大下拉设备锁定IGBT门维.

关闭状态并重置

在IGBT关闭状态下，驾驶员故障检测电路被禁用，以防止错误的“故障”信号。故障输出，图1a的Pin 3被拉下，输出Pin 11