Desat故障引发的设计思考——控制器故障排查与设计优化的方法讨论

前言

        Desat故障作为高压电控与电驱产品核心的常见故障，理应在产品设计中予以高度重视。然而当下的产品设计中，对核心参数、指标所存在的分析草率、理解浅显、验证不足等问题却日益突出，静心、踏实的进行产品开发的设计理念，在技术人员的认知中也日益淡薄。本文以Desat故障设计分析为引，针对故障出现的可能原因与硬件设计关注的思考，表达了个人的一种产品硬件设计价值理念，希望能与设计开发者有所共鸣。

1 Desat故障的定义

Desat是desaturation（退饱和）的英文简写；在电力电子中发生Desat是指：IGBT退出饱和区进入放大区的现象。IGBT完全导通时，处于饱和区的损耗低，热功耗小，不易过热损坏；而IGBT处于放大区的不完全导通时，损耗高，发热严重，极易发生热失效。故把IGBT从饱和区完全导通的状态退出，进入放大区不完全导通的现象，称之为退饱和故障——Desat故障。

2 Desat故障的本质

        IGBT的开关在理论上分为三种状态：关闭（截止）、线性开通（放大区）、完全开通（饱和区），其特性曲线如图1所示，IGBT温度与VCE的关系曲线如图2所示。

          

图1 IGBT开关状态区示意图                                                      图2 IGBT结温与VCE关系示意图

        IGBT的等效电路如图3所示：

 

图3 IGBT等效电路示意图

        IGBT主要由易于控制的MOSFET和大电流处理能力的BJT组成；在其组合形成IGBT的过程中，形成了寄生晶体管T2和体区电阻Rbr。由图1与图2的关系曲线可知：在安全应用范围内，驱动电压越高，相同电流下的VCE幅值越低；工作温度越高，相同电流下的VCE幅值越高。体区电阻的阻值主要受栅极驱动电压和温度影响。

        Desat现象的本质是：当IGBT发生短路时，瞬时大电流在Rbr上的伏安特性，使VCE（on）的电压迅速上升，同时其热功耗使IGBT的温度迅速上升，致使Rbr的阻值继续上升，形成恶性循环；直到IGBT有效关断或热失效。

        此类对IGBT安全使用风险很大的Desat现象，利用IGBT在大电流工况下VCE（on）电压迅速上升的特性，将IGBT的VCE（on）电压超过驱动电路设定阈值的现象，定义为Desat故障。其检测电路的原理如图4所示。

 

图4 Desat故障检测电路示意图

Desat故障检测电路的工作原理：

1. 当IGBT在导通时，驱动芯片内部钳位开关管5关断，恒流源4经过Desat引脚，向电容6充电；
2. Desat引脚端的电压，等于IGBT的导通电压VCE(on)与防反二极管的正向导通压降，及电阻压降之和；
3. Desat引脚端的电压，经过电压处理电路3，送达电压比较电路2，进行电压幅值的实时比较；
4. 当IGBT工作异常，VCE(on)升高，使Desat引脚端，送达电压比较电路2的电压高于芯片阈值时，比较器2的输出状态翻转；
5. 逻辑处理电路1根据输入状态的变化，输出Desat故障报警。

3 引起Desat故障的原因 

3.1设计原因

3.1.1消隐时间不足引起误触发

        IGBT关闭时的VCE电压幅值等同于母线电压值，当其完全开通后VCE(on)一般在1-2V之间。IGBT由关断到开通所需要的时间，由器件自身的特性、工作环境温度、工作电压及门极驱动参数等决定。IGBT在驱动芯片发出开管信号，到IGBT完成开通这个过程需要的时间，定义为消隐时间。消隐时间的定义如图5所示：

图5 消隐时间的定义示意图

        消隐时间的长短，由图4中的电容6的容值决定。由公式1与公式2计算可确定出消隐时间与电容6的容值关系。

      公式1

       公式2

        公式2中的电流为驱动芯片内部恒流源的固定输出电流，故消隐时间的长短由图4中电容6的容值决定。电容容值越小，消隐时间越短，对于IGBT的Desat故障保护越及时；也越容易引起Desat故障的误触发。

        在产品的产业化设计中，需充分评估IGBT的Desat故障耐受能力，平衡好Desat故障保护及时性与产业化鲁棒性。需基于极限工况与误差链的综合评估与计算，确定出产品设计的最优值。

3.1.2死区时间不足

        半桥的PWM控制信号与VCE的状态信号如下图6所示，

 

图6 PWM控制与VCE的状态示意图

        图6中的红圈所示为半桥中的PWM控制信号，设置的死区时间（Dead Time）；篮圈为半桥中IGBT实际开关的死区时间。IGBT的死区时间主要受器件特性，工作的温度、电压、电流，IGBT的门极参数等影响。当其设计值偏小时，易导致IGBT在特定工况下，存在上下桥臂同时导通的一类短路，大电流引起IGBT触发Desat故障。

        死区时间，需基于系统效率要求、极限工况与误差链的综合评估与计算，确定出产品设计的最优值。

3.1.3应用环境覆盖不足

        高电压、大电流与高工作温度的叠加工况，导致IGBT的开关特性变化，引起IGBT死区时间不足，一类短路的大电流导致Desat故障。高温和低温对检测回路器件参数的叠加影响导致消隐时间不足，引起Desat故障的误触发。极限工况分析与实测，是确定设计合理性的最有效途径。

3.2应用损伤

        高压电控产品在实际应用过程中的各种应力，均可能引起图7中的Desat故障检测回路参数特性的变化，从而引起驱动芯片报Desat故障。

 

图7 Desat故障检测回路示意图

3.2.1机械应力引起器件损伤

        产品实际实用中的机械应力，引起电气参数变化而误报Desat故障。电容4为多层陶瓷电容(MLCC)，其内部结构组成如图8所示。电控产品工作在机械冲击、振动环境下时，机械应力易导致电容4内部的陶瓷绝缘材料断裂。陶瓷绝缘层的断裂，引起电容4的容量下降或开路损坏时； Desat故障检测的消隐时间缩短，引起故障误报。

 

图8 陶瓷电容的组成示意图

        PCB板因温度变化、机械冲击、振动形成的应变与应力，高于电阻2和二极管3的器件引脚耐受能力，出现引脚开裂时，回路中阻抗增大。当回路阻抗的伏安特性高于Desat故障检测阈值时，误报Desat故障。

        IGBT器件5的C、E引脚，因温度变化、机械冲击、振动形成的应变与应力，高于引脚与焊点的耐受能力，出现开裂时，回路中经过C、E引脚的阻抗增大。当回路阻抗的伏安特性高于Desat故障检测阈值时，误报Desat故障。

3.2.2热应力引起器件损伤

        热应力对IGBT、二极管等半导体器件的影响，主要体现在使用寿命上。当器件工作温度升高，其对应的体区电阻也随之升高；当温度高于器件耐受阈值后，既会导致器件的不可逆损伤，又会因导通压降的上升，使Desat引脚的电压高于检测阈值，误报Desat故障。

        温度升高后，电容内部介电层的介电能力下降，引起电容实际耐压能力下降；热应力达到一定阈值后，将引起电容内部的绝缘层间放电，形成坏点；故热应力亦会引起电容损伤，容值下降使消隐时间被压缩，从而引起Desat故障误报。

        热应力同样影响驱动芯片内部恒流源的输出电流值，电压比较器的参考电压阈值。恒流源输出电流值增大，比较器的参考电压阈值下降，均会缩短Desat故障检测的消隐时间，进而引起Desat故障的误报。

3.2.3电应力引起器件损伤

        IGBT在运行过程中，过高的di/dt 与dv/dt，亦会损伤器件，使其性能参数劣化。在高电压、大电流的工况下，因IGBT开关速度、导通状态参数（VCE（on））的劣化，而报出Desat故障。

3.3生产不良

3.3.1器件质量与参数的误差累计

        Desat故障检测回路中的驱动芯片、电容、电阻、二极管、IGBT因器件来料不良，或是器件参数离散性的极限误差累计，导致Desat故障。

3.3.2焊接加工质量

        Desat故障检测回路中的驱动芯片、电容、电阻、二极管、IGBT，在回流焊与波峰焊过程中，因工艺、制程管控导致的虚焊、假焊；致使回路不通或阻抗异常；从而引起Desat故障的误报。

4 失效所引发的设计思考

4.1电路原理的设计思考

        电路原理设计中针对产品实际应用场景的WCA结果，确定出器件选型的理论参数误差极限。在器件选型设计过程中：

1. 做好器件核心参数的误差与理论允许误差极限的校核；
2. 对影响产品性能指标的核心参数，需完成对应电路器件离散误差累计的理论校核；
3. 针对核心参数的表现特征，在ICT/FCT测试中100%检测的同时，还需进行测试数据正态分布的监控与分析，做好偏差管控与拦截。

4.2PCB的Layout设计思考

        PCB的Layout直接会影响到器件在产品使用中的机械应力与热应力。对于热应力而言，器件在满足电气性能要求的基础上，其Layout的位置应尽量远离热源。在结构紧凑和保证电气性能必须将器件置于热源附近时，应尽量在Layout的设计中，增加PCB散热的覆铜面积，通过良好的散热来改善器件的实际运行温度，减小器件所受的热应力。对于机械应力在PCB Layout中的设计注意事项，可参考电阻失效所引发的设计思考中，对于PCBA应力的分析与建议。

4.3测试验证的设计思考

        产品正常设计开发过程中，一般都会经历摸底试验、DV/PV的形式试验；但是相当部分产品在测试验证都通过的情况下；产业化投放市场，依然出现批量问题，甚至整车召回。在测试验证上出现这种现象的主要原因：

1. 测试验证所定义的工况，未能覆盖产品实际使用的环境与工况；
2. 测试样本的参数离散性，不具备产业化产品的状态代表性；

        产品的试验验证，是专业性很强的开发工作。其既需要对产品所使用的法律法规的要求熟悉，又需要对产品的实际使用环境、工况等需求明确，还需要对产品产业化状态的代表性参数特征有良好的经验预估。对产品的国标、企标要求的熟悉，方可在与客户的交流中，确定出产品试验运行边界的基础要求。通过明确产品使用工况与环境的需求，根据阿伦纽斯模型、科芬-曼森模型、劳森模型，方可计算出产品验证的试验条件、周期、循环数量等。

        如何确定产品测试验证工况，对于实际使用环境与工况的覆盖：

1. 明确散热与环境工况的叠加要求，如：液冷散热的入水口最高温度与最低流量要求和产品最高工作环温的叠加——验证产品的高温工况下的输入与输出特性是否满足产品SOR要求； 液冷散热的入水口最低温度与最大流量要求和产品最低工作环温的叠加——验证产品的低温工况下的启动、输入与输出特性是否满足产品SOR要求，低温工作是否存在因受热不均的结露、密封和IP防护等问题；
2. 明确高低压电气负荷的叠加要求，如：低压的最低工作电压与高压的最高工作电压叠加——验证低压在最低工作电压工况下偏差的控制与驱动能力，是否满足高压最高工作电压下的功率器件，对于驱动响应、延时、功率、死区时间、开关频率、调速范围的要求；
3. 明确机械应力的叠加要求，如：控制器产品与动力总成、整车之间的机械连接方式，所引起的机械应力叠加——验证MCU产品在实际安装环境下机械振动、冲击叠加后，产品所受的实际应力是否在其设计允许范围内；

        如何确定测试验证所用样品，具备产业化状态代表性：

1. 对于强度、密封类试验，根据产品零件图纸要求，选择接近误差上下限的配合部件，组成装配状态的类极限件进行验证；
2. 对于用于控制的采样、驱动回路中的器件，针对WCA分析的上下限极限，准备样机用于产品的功能、性能、耐久、动态响应等试验；

        通过以上极限样件的测试结果，校核硬件设计在产业化方面的鲁棒性，确保MCU的产品验证，对实际生产与使用过程中的各类情况，有良好的覆盖度。

4.4系统控制策略的设计思考

        IGBT的关断拖尾现象会因高温、大电流、高电压而加剧。高温又会引起IGBT的开通门槛阈值降低，而缩短IGBT的开通时间。综合两部分的叠加影响，使IGBT的死区时间被压缩。死区时间的缩短，加剧IGBT桥臂直通的一类短路风险，触发Desat故障的概率提升。为此在系统控制策略上应根据：

1. IGBT的工作电压、电流、温度升高时，在控制上延长IGBT的死区时间，以确保产品的稳定性与可靠性；
2. IGBT的工作电压、电流、温度降低时，在控制上缩短IGBT的死区时间，以提升产品的系统效率；

4.5产业化稳定性匹配要求的设计思考

        产品在产业化中的稳定性，主要受产品设计鲁棒性的影响。产品设计对于来料管控、生产加工、客户应用的鲁棒性越强，其在终端客户的表现便越稳定。

        Desat故障消隐时间的设计鲁棒性——在满足IGBT退饱和保护（短路保护）有效性的基础上，消隐时间越长，误触发Desat故障的风险越低。

        Desat故障死区时间的设计鲁棒性——在满足产品效率与EMC要求的基础上，死区时间越长，触发Desat故障的风险越低。

总结

高压电驱、电控产品的硬件设计，实现功能简单，实现产业化难！产品基本的硬件功能实现，各类芯片代理商、方案提供商都能提供DEMO的设计参考。因此国内相当部分企业，为给老板、投资人讲好故事，总喜欢找最漂亮学历背景或跨国企业工作背景的设计人员来负责产品的设计开发。结果是PPT材料很漂亮，汇报很成功；产业化后的稳定性与可靠性确很差，问题不断而导致产品实际的盈利能力，远难达到立项预期。

硬件设计开发需要沉心静气的去分析产品的核心价值体现和客户追求，需要大量的产品设计经验积累，需要成系统的测试验证覆盖度的经验积累。现实国情是：急功近利的管理者与投资者，承担了神学传播的重担；对于但凡能看得见的任何设计都缺乏认可和尊重；对于看不见、摸不着、难以直观评价与度量的虚拟事物，确谜一般的认可和膜拜。世人皆知：画鬼魅容易，画犬马难！然世人皆画鬼魅，何人画犬马？如世人皆向虚妄，技术以何进步，以何弯道超车？PPT式的设计开发，不可能在市场竞争中赢得胜利；更不会将中国引入伟大的民族复兴！务实的长期主义，才应该是设计开发工作的主流价值观。