一、系统构架
STM32F103 系列的架构如下图所示:
其中包括四个驱动单元和四个被动单元。
驱动单元(图中红色框)
- D-bus: DCode总线(Data code)
- S-bus: 系统总线(system bus)
- DMA1: 直接存储器访问1(Direct memory access)
- DMA2: 直接存储器访问2(Direct memory access)
被动单元(图中绿色框)
- Flash:闪存存储器
- SRAM: 静态内部存储器(static ram)
- FSMC: 灵活的静态存储控制器(Flexible static memory controller)
- AHB总线和AHB到APBx总线: 高性能总线AHB(Advanced High Performance Bus), 高性能外设总线APB(Advanced Peripheral Bus)
二、内存映射
stm32是32位单片机,理论上会有4G(2^32)的内存空间,但是实际没有那么大。在这 4GB 的地址空间中,ARM 已经粗线条的平均分成了 8 个块,每块 512MB。
内存映射图如下所示
block2所示的外设按照APB1->APB2->AHB的顺序进行排列。
但是实际上用CubeMX生成的是如下所示
#define SRAM_BB_BASE 0x22000000UL /*!< SRAM base address in the bit-band region */
#define PERIPH_BB_BASE 0x42000000UL /*!< Peripheral base address in the bit-band region */
/*!< Peripheral memory map */
#define APB1PERIPH_BASE PERIPH_BASE
#define APB2PERIPH_BASE (PERIPH_BASE + 0x00010000UL)
#define AHBPERIPH_BASE (PERIPH_BASE + 0x00020000UL)
AHB实际是从0x40020000开始的。
2.1 位带(bit band)
Cortex™-M3存储器映像包括两个位带
(bit-band)
区,一个在SRAM区域(block1),另一个在peripherial区域(block2)。这两个位带区将别名存储器区中的每个字 映射到位带存储器区的一个位,在别名存储区写入一个字具有对位段区的目标位执行读-
改
-
写操作的相同效果。
两个位带区:
- 0x2000_0000‐0x200F_FFFF(SRAM 区中的最低 1MB)
- 0x4000_0000‐0x400F_FFFF(片上外设区中的最低 1MB)
转换公式如下:
bit_word_addr = bit_band_base + (byte_offset×32) + (bit_number×
4)
备注:
- bit_word_addr是别名存储器区中字的地址,它映射到某个目标位。
- bit_band_base是别名区的起始地址。
- byte_offset是包含目标位的字节在位段里的序号
- bit_number是目标位所在位置(0-31)
例子:
下面的例子说明如何映射别名区中
SRAM
地址为
0x20000300
的字节中的位
2
:
0x22006008 = 0x22000000 + (0x300
×
32) + (2
×
4).
对
0x22006008
地址的写操作与对
SRAM
中地址
0x20000300
字节的位
2
执行读
-
改
-
写操作有着相
同的效果。