双脉冲测试基本原理、实验和测试波形

最新推荐文章于 2024-05-14 09:42:01 发布

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文章标签：驱动开发硬件工程

原文链接：https://m.elecfans.com/article/1850171.html

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描述

在电路设计中，我们通常都是通过厂家提供的技术手册来了解器件的参数特性，但是手册中提供的参数都是在特定的条件下测出来的，与实际工况下会有差别，因此不能直接拿来使用。因此通过双脉冲测试，通过给定两个脉冲来测试IGBT的开关特性，进而对器件进行更准确的评估。

一、双脉冲测试能获得哪些参数

首先，双脉冲测试可以获取开关管开关过程中的参数，通过测试结果评估驱动电阻是否合适，是否需要吸收电路等。而且可以衡量开关管在实际工作中的表现，主要有反向恢复电流，关断电压尖峰，开通关断时间等。

通过观察IGBT的栅极波形，评估IGBT驱动板是否为IGBT开启提供足够的驱动电流，获取IGBT在开通、关断过程的主要参数，以评估Rgon与Rgoff的选择是否合适。

观察开通、关断过程是否有电压尖峰，评估实际应用是否需要吸收电路；评估二极管反向恢复行为和安全余量，测量母排的杂散电感。

二、双脉冲测试的原理是什么

以集成驱动电路的简化模型为例进行分析，双脉冲测试通常以半桥形式测试，所谓双脉冲就是上管保持关断，下管驱动信号给定两个脉冲从而测试下管的开关特性。如图1所示，上管两端并接一个电感，就可以测试出下管的特性及上管的反向二极管特性。

图1双脉冲简化模型

三、双脉冲测试基本实验以及波形

（1）如图2，在t0时刻，门级发出第一个驱动信号，开关管饱和导通，电感电流线性上升，电流公式如下，t1时刻电流值最大，由时间t1决定电流大小。

I = （U*t）/L

图2 第一个脉冲驱动信号

（2）如图3，在t1时刻，被测开关管T2被关断，电感电流由上管二极管续流，电流波形如虚线所示，此电流一般不容易检测。

图3 被测T2关断

（3）如图4，在t2时刻，第二个脉冲的上升沿到达，被测开关管再次导通，续流二极管进入反向恢复，反向恢复电流会穿过开关管，在电流探头上能捕捉到这个电流。

图4 第二个脉冲驱动信号

（4）如图5，在t3时刻，开关管关断，此时电流较大，因为母线杂散电容存在，电压会出现尖峰

图5 被测T2第二次关断

根据上面的分析，我们可以通过双脉冲测试得到两者的二极管的反向恢复时间。开关管上升时间，下降时间等。

（5）双脉冲测试实例

用高压隔离探头测量Vce以及Vge的电压大小，用罗氏线圈测量电流Ic的大小，测试结果通过示波器进行监控；上管IGBT的Vge加负压或直接短路，因此它是关断的，只有其并联的二极管起续流作用，在实际测试过程中可以用二极管替代。

定义：

（1）二极管反向恢复时间:开关从导通状态向截止状态转变时，二极管或整流器在二极管阻断反向称为反向恢复时间,在此期间电流反向流过二极管。电流之前需要首先释放存储的电荷,这个放电时间被总的来说，反向恢复时间就是正向导通时PN结存储的电荷耗尽所需要的时间。

1、反向电源电压越小，反向恢复电流越小，电荷耗尽越慢，反向恢复时间越长。

2、正向电流越大，存储的电荷越多，耗尽时间越长，反向恢复时间越长。

3、半导体的载流子复合效率越低，寿命越长，电荷耗尽时间越长，反向恢复时间越长，整个过程，电源电压，二极管两端电压，反向电流的波形图，如下图所示，图中的trr就是反向恢复时间。

（2）IGBT开关管参数的定义：ton、td(on)、tr、toff、td(off)、tf、(di/dt)on属于IGBT的开关时间参数，直观的表征了IGBT在理想状况下的开关速度。其中，ton=td(on)+tr，toff=td(off)+tf，因此我们只要搞清楚td(on)、tr、td(off)、tf就可了，技术手册一般给的也是这几个参数

ton：turn-ON time，开通时间

td(on)：turn-ON delay time，开通延时

tr：Rise time，上升时间

toff：Turn-off time，关断时间

td(off)：Turn-off delay time，关断延时

tf：Fall time，下降时间

(di/dt)on：Turn-On current slope，开通电流波形斜率，单位A/us

tf、tr和td(on)、td(off)在数值上差别不大，但tr、tf是集电极电流变化范围比较大的时间断，因此对IGBT的性能影响比较大，用他们来衡量IGBT的开关速度也更实用，要限制(di/dt)on一般通过调整栅极电阻来实现。

开关时间受Ic的影响比较小，受Ig的影响比较明显，而Ig又明显受栅极电阻Rg的影响，因此Rg对开关时间是有明显影响的。Rg增大，除了会使tf略有减小以外，将使其它开关参数变长，总的影响是开关时间变长，影响趋势如图2所示，因此，要限制开关时间，可适当增大Rg，但是过大的Rg会使IGBT的适用功率频率降低，还会增加栅极驱动功率损耗。总体来看，Rg一般不超过100Ω，电流规格越大的IGBT，Rg的取值越小。