浅谈SiC MOSFET之双脉冲原理

已于 2024-05-14 10:33:24 修改
阅读量6k 收藏 65
点赞数 28
分类专栏： SiC MOSFET 文章标签： 功率半导体
于 2024-05-14 09:42:01 首次发布
版权声明：本文为博主原创文章，遵循 CC 4.0 BY-SA 版权协议，转载请附上原文出处链接和本声明。
本文链接：https://blog.csdn.net/weixin_58670090/article/details/138768964
版权

1.双脉冲实验实验的必要性

        在平常的使用中，我们基本通过芯片手册来了解功率器件的各种性能参数，但是手册中的参数的测量环境都是在理想状态下，与实际使用或多或少都会有差别。通过双脉冲实验可以获取器件在真实工况下的参数，对于产品设计很有帮助。

2.具体作用

评估驱动电阻数值是否合适，是否需要加吸收电路

衡量开关管在实际电路中的表现，主要有反向恢复电流，关断电压尖峰，开通关断时间

观察器件的栅极波形，评估驱动板是否能为开关管的开启提供足够的驱动电流

获取开关管在开通、关断过程的主要参数，以评估Rgon与Rgoff的选择是否合适

观察开通、关断过程是否有电压尖峰，评估实际应用是否需要吸收电路

评估二极管的反向恢复行为和安全裕量；

测量母排的杂散电感；

3.双脉冲的具体原理

        从名字上可以看出，双脉冲是以两个脉冲的形式发送脉冲信号，这两个脉冲的区别一个宽一个窄。

测试的原理图

        在直流侧加上直流电压

最低0.47元/天 解锁文章
IGBT双脉冲测试原理
qq_37974687的博客
12-09 3483
1、IGBT（阻性/感性）双脉冲测试指标 •漏极电压测试范围：5V-1500V，5V-100V，步进0.1V， 100V-1500V，步进1.0V； •漏极电流测试范围：1A-300A，分辨率1A； •栅极驱动：±30V，分辨率0.1V； •最大栅极电流：2A； •最大脉冲电流：300A； •电源电压（VDD）：5V-100V，步进0.1V， 100V-1500V，步进1.0V。 •脉冲宽度：1us-100us,步进0.1us •时间测试精度：1ns； •感性负载：0.01mH-160mH程序控制，步进10
3测试原理_IGBT双脉冲测试原理解析
weixin_39672296的博客
12-24 1672
通常我们对某款IGBT的认识主要是通过阅读相应的datasheet，数据手册中所描述的参数是基于一些已经给定的外部参数条件测试得来的，而实际应用中的外部参数都是个性化的，往往会有所不同，因此这些参数有些是不能直接拿来使用的。因此可以通过双脉冲测试，对IGBT的性能进行更为准确的评估。双脉冲测试的主要功能如下：1、测量IGBT的各项动态参数(td>r、Eon、td off、tf、Eoff 等)...
英飞凌双脉冲测试
12-11
详细介绍了英飞凌IGBT双脉冲的测试方法。
MOSFET反向恢复特性总结-4
ltqdxl的博客
04-10 7220
总结 本文将对该系列内容进行总结。 在“通过双脉冲测试评估MOSFET的反向恢复特性”中，重点关注了由于逆变器电路、Totem Pole型功率因数校正（PFC）电路等是两个MOSFET串联连接的桥式电路，因此存在因上下桥臂的直通电流导致导通损耗增加的现象。 该现象受开关MOSFET和相对臂MOSFET的体二极管（寄生二极管）的反向恢复特性影响很大，因此给出了使用双脉冲测试评估MOSFET体二极管的反向恢复特性的结果。 在双脉冲测试中，从两个角度比较并评估了导通损耗。一个是标准SJ MOSFET与Presto
MOSFET的双脉冲测试-1
ltqdxl的博客
04-10 8972
什么是双脉冲测试？ 在“通过双脉冲测试评估MOSFET的反向恢复特性”中，我们将通过双脉冲测试来评估MOSFET体二极管的反向恢复特性，并确认MOSFET损耗情况。 MOSFET体二极管的反向恢复特性与桥式电路损耗的关系 在逆变器电路和Totem Pole型功率因数改善（PFC）电路等具有2个以上MOSFET的桥式电路中，由于流过上下桥臂的电流会使导通损耗增加。该现象受开关MOSFET和对应桥臂MOSFET的体二极管（寄生二极管）的反向恢复特性影响很大。因此，在桥式电路中，体二极管反向恢复特性优异的MOSF
Simulink尝试双脉冲实验验证MOSFET二极管反向恢复的特性（附仿真模型）
weixin_42665184的博客
06-08 6892
仿真模拟了两种管子的模型，对于上面一组模型，可以仿真出功率器件的部分特性而并非像第二种模型一样是理想器件，本来想用第一种器件去构建完整的控制算法，更接近实际的仿真模型，但是没有达到理想的效果，如果不设置步长，第一种模型的失真较高，如果设置步长要实现接近实际器件的特性，仿真步长需要非常小，想要跑完一个仿真除了电脑要很强，其次就是需要仿真很长的时间了，目前还没找到好的解决办法。
双脉冲测试
07-15
双脉冲测试，是设计IGBT驱动时必须要做的实验，本文详细介绍了测试方法。
双脉冲测试基本原理、实验和测试波形
TTJBUG的博客
04-23 1万+
高压驱动器双脉冲测试原理及测试方法介绍
IGBT的双脉冲测试实验
热门推荐
小幽余生不加糖
09-20 2万+
IGBT双脉冲测试 1.什么是双脉冲测试？ 通常我们对某种器件的认识是通过阅读相应的数据手册，实际上，手册中给定的参数一般是在外部给定条件下测来的，IGBT也是如此。我们要真正利用IGBT在实际应用中的表现，这些参数是不能直接拿过来用的，只能当做参考使用。 描述IGBT主要参数包括：ton，toff，Eon，Eoff，Isc，Irr，二极管的di/dt等。 要观测这些参数，最有效的方法就是‘双脉冲测试法’。 双脉冲测试，顾名思义需要两个脉冲。 双脉冲实验的基本实验波形 双脉冲实验的配置模型 双脉冲测试的
浅谈电力电子中的双脉冲测试
Cerman的博客
08-21 2万+
一、双脉冲测试可以获得器件哪些真实参数？二、双脉冲测试的基本原理是什么？三、双脉冲测试基本实验以及波形测试总结 一般的，我们是通过阅读器件厂商提供的datasheet来了解一个器件的参数特性，但是datasheet中所描述的参数是在特定的外部参数条件测试……
Double Pulse_IGBT双脉冲测试_双脉冲测试_double-pulse_
10-04
此程序位IGBT 双脉冲测试程序。 第一个脉宽30us 第二个脉宽10us 并且给出了实验波形 包括脉冲波形和IGBT的工作波形
IGBT双脉冲测试方法介绍_魏伟
10-14
双脉冲实验是所有从事电力电子技术研究的人必经的一个阶段，无论是做器件理论研究或是应用，拿到新的IGBT器件，都必须要用双脉冲实验测试其开关特性。
SiC MOSFET驱动电路及实验分析 (2013年)
05-19
根据SiC MOSFET开关特性，设计了一种SiC MOSFET的驱动电路，在此基础上采用双脉冲测试方法，对SiC MOSFET的开关时间、开关损耗等进行了实验测量，分析了不同驱动电阻对SiC MOSFET开关时间、开关损耗等的影响。
IGBT双脉冲测试方法
12-18
IGBT测试方法，评估IGBT的特性，选择门极电阻，评估驱动板
PSpice仿真中双脉冲测试电路对SiC MOSFET和IGBT开关特性评估的应用
最新发布
05-13
内容概要：本文详细介绍了利用PSpice仿真的双脉冲测试电路来评估SiC MOSFET和IGBT开关特性的方法。首先解释了双脉冲测试电路的基本概念及其重要性，接着描述了电路的具体结构，包括驱动电路、被测器件（SiC MOSFET和...
浅谈SiC MOSFET之驱动电阻设计
weixin_58670090的博客
05-14 1385
MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的驱动电阻，通常称为栅极驱动电阻，是连接在MOSFET的栅极和驱动电路之间的电阻。外部栅极驱动电阻器在限制栅极驱动路径中的噪声和振 铃方面发挥着至关重要的作用。如果没有尺寸合适的栅极电阻器，寄生电感和电容、高 dv/dt 和 di/dt 以及体二极管反向恢复可能导致不良行为。输入电容 CISS (CGD + CGS) 和 源极电感 LS 之间原本非常高的 Q 谐振可通过回路的串联电阻分量 RG (RG = RHI 或 LO+RGATE+RG,I) 进行衰减。
PSpice仿真中双脉冲测试电路对SiC MOSFET与IGBT开关特性评估的应用
04-29
内容概要：本文详细介绍了利用PSpice仿真的双脉冲测试电路对SiC MOSFET和IGBT进行开关特性评估的方法。首先解释了双脉冲测试电路的基本概念及其重要性，然后具体阐述了电路的组成（驱动电路、被测器件、测量设备），...
MOSFET 通过双脉冲测试评估反向恢复特性-2
ltqdxl的博客
04-10 2042
通过双脉冲测试评估反向恢复特性 本文我们将根据使用了几种MOSFET的双脉冲测试结果，来探讨MOSFET的反向恢复特性。该评估中的试验电路将使用上一篇文章中给出的基本电路图。另外，相应的确认工作也基于上次内容，因此请结合上一篇文章的内容来阅读本文。 通过双脉冲测试评估MOSFET反向恢复特性 为了评估MOSFET的反向恢复特性，我们使用4种MOSFET实施了双脉冲测试。4种MOSFET均为超级结MOSFET（以下简称“SJ MOSFET”），我们使用快速恢复型和普通型分别进行了比较。 先来看具有快速恢复特性
sic mosfet双脉冲测试
03-08
### SiC MOSFET双脉冲测试方法 #### 测试目的 双脉冲测试用于评估SiC MOSFET的动态特性，特别是开关性能和损耗。通过施加两个连续的电流脉冲来模拟实际工作条件下的开关过程。 #### 设备需求 为了执行有效的双脉冲测试，需要准备如下设备： - **信号发生器**：提供精确的时间延迟控制。 - **高速示波器**：记录电压和电流变化情况。 - **电源供应单元**：稳定可靠的直流电源输入。 - **栅极驱动电路**：确保能够快速切换MOSFET状态。 - **负载电阻**：作为外部负载消耗能量[^1]。 #### 实验搭建说明 实验平台构建需注意以下几点配置细节： - 将待测SiC MOSFET安装于散热良好的环境中； - 连接好源极端子至地平面以及漏极端子到电源正极之间； - 使用低感量连线减少寄生效应影响测量精度； - 设置合适的门限电压范围以触发器件动作[^2]。 #### 参数设定指南 针对具体应用场景调整各项参数至关重要： - **Vgs（栅源电压）**: 根据数据手册推荐值选取适当幅度； - **Ids（漏极电流峰值）**: 应不超过最大额定值并留有一定裕度； - **Ton/Toff (导通/关断时间)**: 调整使两次脉冲间隔足够短以便观察瞬态响应特征； - **频率f**: 控制在合理范围内以免过热损坏样品[^3]。 ```python import numpy as np from matplotlib import pyplot as plt def double_pulse_test(v_gs, i_ds_peak, ton, toff, f): t = np.linspace(0, 1/f*4, num=800) # 时间轴定义 v_g = [] # 存储栅压序列 i_d = [] # 存储漏流序列 for ti in t: if ((ti % (ton + toff)) >= ton): vg_current = 0 # 关闭期间保持零伏特 id_current = 0 else: vg_current = v_gs # 开启瞬间上升至指定电平 id_current = i_ds_peak v_g.append(vg_current) i_d.append(id_current) fig, ax1 = plt.subplots() color = 'tab:red' ax1.set_xlabel('Time(s)') ax1.set_ylabel('Gate Voltage(V)', color=color) ax1.plot(t, v_g, label='V_G',color=color) ax1.tick_params(axis='y', labelcolor=color) ax2 = ax1.twinx() color = 'tab:blue' ax2.set_ylabel('Drain Current(A)', color=color) ax2.plot(t, i_d,label='I_D', color=color) ax2.tick_params(axis='y', labelcolor=color) fig.tight_layout() plt.show() double_pulse_test(-5, 20, 0.0001, 0.0002, 1e3) ``` 此Python脚本展示了如何绘制理想化的双脉冲条件下SiC MOSFET的工作状况图解表示法[^4]。
评论
添加红包

请填写红包祝福语或标题

个

红包个数最小为10个

元

红包金额最低5元

当前余额3.43元 前往充值 >
需支付：10.00元
成就一亿技术人!
领取后你会自动成为博主和红包主的粉丝 规则
hope_wisdom
发出的红包

打赏作者

苦瓜人生

你的鼓励将是我创作的最大动力

¥1 ¥2 ¥4 ¥6 ¥10 ¥20
扫码支付：¥1
获取中
扫码支付

您的余额不足，请更换扫码支付或充值

打赏作者

实付元
使用余额支付
点击重新获取
扫码支付
钱包余额 0

抵扣说明：

1.余额是钱包充值的虚拟货币，按照1:1的比例进行支付金额的抵扣。
2.余额无法直接购买下载，可以购买VIP、付费专栏及课程。

余额充值